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      一種光源及其封裝方法

      文檔序號(hào):9752840閱讀:1254來(lái)源:國(guó)知局
      一種光源及其封裝方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光源及其封裝方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 紅外二極管是一種很重要的發(fā)光二極管,在紅外遙控,光纖通信,環(huán)境監(jiān)控,生物 成像及生物醫(yī)藥等方面有著廣泛的應(yīng)用。目前商用的紅外二極管類型主要是有機(jī)電致發(fā)光 二極管和GaAs半導(dǎo)體發(fā)光二極管。但是有機(jī)發(fā)光二極管熱穩(wěn)定性差,發(fā)光效率低。而GaAs二 極管發(fā)光光譜范圍受限,且GaAs的制備過(guò)程用到元素 As。作為氮族元素的一員,As是毒性元 素,砷化物均有很強(qiáng)的毒性,三價(jià)砷化合物比其它砷化合物毒性更強(qiáng)。As化合物在制備或加 工過(guò)程中,如果進(jìn)入人體內(nèi)被吸收后,能破壞了細(xì)胞的氧化還原能力,影響細(xì)胞正常代謝, 引起組織損害和機(jī)體障礙,可直接導(dǎo)致多種疾病,其中包括:高血壓、心腦血管病、神經(jīng)病 變、糖尿病、皮膚色素代謝異常及皮膚角化,影響勞動(dòng)和生活能力,并最終發(fā)展為皮膚癌,可 伴膀胱、腎、肝等多種內(nèi)臟癌的高發(fā)。最新研究還表明胎兒比成人對(duì)砷的毒性更敏感。由此 可見(jiàn),GaAs的使用對(duì)環(huán)境隱患很大,危害人類健康。因此,從環(huán)境角度長(zhǎng)遠(yuǎn)考慮,有必要尋找 新的環(huán)境友好型材料來(lái)取代GaAs產(chǎn)品。
      [0003] 當(dāng)前,藍(lán)光芯片作為第四代固態(tài)照明領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù),是白光二極管的重要組 成部件。采用藍(lán)光InGaN芯片涂敷黃色"下轉(zhuǎn)移"熒光粉YAG:Ce3+(該熒光粉量子效率只接近 80%)所形成白光二極管自1996年問(wèn)世以來(lái),其發(fā)展迅速,發(fā)光效率不斷提高,有望取代白 熾燈、熒光燈和高壓汞燈等傳統(tǒng)的照明光源,成為二十一世紀(jì)最具發(fā)展前景的綠色照明光 源。在巨大應(yīng)用市場(chǎng)的推動(dòng)下,藍(lán)光LED芯片的制備技術(shù)日趨成熟,成本逐年降低。目前,市 場(chǎng)上同等功率的GaN和GaAs二極管,前者的價(jià)格大約是后者的1/4。且藍(lán)光芯片InGaN中的氮 元素不像砷元素那樣具有毒性,氮資源豐富,環(huán)境友好。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 本發(fā)明提供一種光源及其封裝方法,解決現(xiàn)有紅外二極管所采用的發(fā)光材料不夠 完善的問(wèn)題。
      [0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
      [0006] -種光源,包括至少一個(gè)芯片、封裝體、正引腳以及負(fù)引腳,所述封裝體用于覆蓋 各個(gè)芯片的發(fā)光區(qū)域,所述正引腳、負(fù)引腳用于接外部電路,所述封裝體含有第一發(fā)光材 料,所述第一發(fā)光材料含有發(fā)光體,所述發(fā)光體的化學(xué)式為(Yity- zAxCeyDz) j (Ali-mEm)q〇t,其 中:
      [0007] Y為釔元素;
      [0008] A 為 1^411、113、1^1中的至少一種;
      [0009] D 為!1〇4廣恥、1'111、¥13、0中的至少一種;
      [0010] E為Gd、Ga、B中的至少一種;
      [0011] 〇<x<l,〇<y<l,〇<z<l,〇<m<l,2< j <4,4<q<6,ll < t< 13。
      [0012] 在一些實(shí)施例中,j = 3或j = 3.5。
      [0013] 在一些實(shí)施例中,q = 5.2。
      [0014] 在一些實(shí)施例中,t = 12。
      [0015] 在一些實(shí)施例中,所述發(fā)光體在芯片的激發(fā)下發(fā)射波長(zhǎng)為500納米至1500納米。 [0016]在一些實(shí)施例中,所述發(fā)光體的中心粒徑為1微米至30微米。
      [0017] 在一些實(shí)施例中,所述第一發(fā)光材料還含有以下雜相:含Y的氧合物、含A的氧合 物、含A1的氧合物、含Ce的氧合物、含D的氧合物、含E的氧合物中的至少一種。
      [0018] 在一些實(shí)施例中,各芯片為藍(lán)光芯片,所述封裝體還含有以下第二發(fā)光材料:紅色 發(fā)光材料、綠色發(fā)光材料、黃色發(fā)光材料中的至少一種;或者,
      [0019] 各芯片為紫外光芯片,所述封裝體還含有以下第三發(fā)光材料:紅色發(fā)光材料、綠色 發(fā)光材料、黃色發(fā)光材料中的至少一種。
      [0020] 本發(fā)明還提供上述光源的一種封裝方法,主要包括如下步驟:
      [0021] 步驟一、在基板上安裝至少一個(gè)芯片,將各芯片與基板電性連接;
      [0022]步驟二、在各芯片上覆蓋封裝體,露出基板上用于接外部電路的正引腳以及負(fù)引 腳。
      [0023] 本發(fā)明還提供上述光源的另一種封裝方法,主要包括如下步驟:
      [0024] 步驟一、將芯片單元固定,所述芯片單元包括至少一個(gè)芯片,若包括兩個(gè)或兩個(gè)以 上的芯片,且將各芯片電性連接;
      [0025]步驟二、在各芯片的發(fā)光區(qū)域覆蓋封裝體,露出芯片單元上用于接外部電路的正 引腳以及負(fù)引腳。
      [0026] 本發(fā)明提供的光源及其封裝方法。其中所用到的封裝體含有特殊的發(fā)光材料,配 合芯片能夠產(chǎn)生紅外光,尤其是遠(yuǎn)紅外光,可應(yīng)用來(lái)制作紅外二極管。提高了紅外二極管的 發(fā)光效率,降低了成本,且節(jié)能環(huán)保。
      【附圖說(shuō)明】
      [0027] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第一發(fā)光材料的粒徑分布示意圖;
      [0028] 圖2a為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第一發(fā)光材料的激發(fā)光譜的示意圖;
      [0029] 圖2b為本發(fā)明實(shí)施例一提供的第一發(fā)光材料的發(fā)射光譜的示意圖;
      [0030]圖3a為本發(fā)明實(shí)施例二提供的第一發(fā)光材料的激發(fā)光譜的示意圖;
      [0031] 圖3b為本發(fā)明實(shí)施例二提供的第一發(fā)光材料的發(fā)射光譜的示意圖;
      [0032] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的第一發(fā)光材料的電鏡示意圖;
      [0033]圖5a為本發(fā)明實(shí)施例三提供的第一發(fā)光材料的發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的示意圖; [0034]圖5b為本發(fā)明實(shí)施例三提供的Yb3+的發(fā)射光譜隨Al2〇3含量的變化示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0035]本發(fā)明的主要構(gòu)思是:提供一種光源及其封裝方法,該光源中用于覆蓋芯片的發(fā) 光區(qū)域的封裝體含有一種新型的發(fā)光材料(第一發(fā)光材料),第一發(fā)光材料在芯片的激發(fā)下 能夠產(chǎn)生紅外光,尤其是遠(yuǎn)紅外光。例如在UV-LED(紫外光LED)芯片、藍(lán)光LED的激發(fā)下產(chǎn)生 紅外光。在紅外遙控,光纖通信,環(huán)境監(jiān)控,生物成像及生物醫(yī)藥等方面有廣泛的應(yīng)用前景。 相比現(xiàn)有的紅外二極管,本發(fā)明提高了發(fā)光效率,降低了成本,且節(jié)能環(huán)保。
      [0036] 本發(fā)明提供的光源,主要包括至少一個(gè)芯片、封裝體、正引腳以及負(fù)引腳。其中,封 裝體用于覆蓋各個(gè)芯片的發(fā)光區(qū)域;正引腳、負(fù)引腳用于接外部電路,外部電路包括:電源、 電源驅(qū)動(dòng)或控制裝置等等。當(dāng)然,在一些實(shí)施例中,光源還可以包括基板、用于將芯片與基 板電性連接的導(dǎo)線、用于封裝的支架等等。
      [0037] 具體地,作為一種實(shí)施例,一種光源包括支架、位于支架上的基板(基板具有用于 接外部電路的正引腳以及負(fù)引腳)、設(shè)于基板上的至少一個(gè)芯片、覆蓋在各芯片上的封裝 體,以及連接各芯片引腳和基板的導(dǎo)線(各芯片之間可以獨(dú)立,也可以電性串聯(lián)、并聯(lián)或混 合聯(lián))。封裝體將藍(lán)光芯片連同導(dǎo)線一并封裝,露出基板上用于接外部電路的正引腳以及負(fù) 引腳。相應(yīng)地,這類光源的封裝方法主要包括:
      [0038] 步驟一、在基板上安裝至少一個(gè)芯片,將各芯片與基板電性連接(例如用導(dǎo)線連 接);
      [0039]步驟二、在各芯片上覆蓋封裝體,露出基板上用于接外部電路的正引腳以及負(fù)引 腳。在各芯片上覆蓋封裝體的方法包括但不局限于:印刷、點(diǎn)膠、模壓、灌封。
      [0040] 作為另一種實(shí)施例,一種光源包括芯片單元,該芯片單元中包括至少一個(gè)藍(lán)光芯 片,該芯片單元具有用于接外部電路的正引腳以及負(fù)引腳,該光源還包括覆蓋在各藍(lán)光芯 片的發(fā)光區(qū)域的封裝體,封裝體將藍(lán)光芯片的發(fā)光區(qū)域封裝,露出芯片單元上用于接外部 電路的正引腳以及負(fù)引腳,這種光源省去了支架、基板、導(dǎo)線,在芯片上直接覆蓋封裝體。相 應(yīng)地,這類光源的封裝方法主要包括:
      [0041] 步驟一、將芯片單元固定,所述芯片單元包括至少一個(gè)芯片,若包括兩個(gè)或兩個(gè)以 上的芯片,且將各芯片電性連接(串聯(lián)、并聯(lián)或混合聯(lián));
      [0042]步驟二、在各芯片的發(fā)光區(qū)域覆蓋封裝體,露出芯片單元上用于接外部電路的正 引腳以及負(fù)引腳。芯片的發(fā)光區(qū)域包括:芯片的正面、背面、和/或側(cè)面。
      [0043] 本發(fā)明提供的光源,封裝體含有第一發(fā)光材料,第一發(fā)光材料含有發(fā)光體,發(fā)光體 的化學(xué)式為:(Υι-X-y-zAxCeAWAli- mEm)q0t,其中:Y為釔元素;
      [0044] A為L(zhǎng)a(鑭)、Eu(銪)、Tb(鋱)、Lu(镥)中的至少一種;
      [0045] D為Ho(鈥)、Er(鉺)、Nd(釹)、Tm(銩)、Yb(鐿)、Cr(鉻)中的至少一種;
      [0046] E為Gd(釓)、Ga(鎵
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