的兩側(cè)旁的基底110的底部形成第二摻雜區(qū)122’，其中第一摻雜區(qū)121’的摻雜濃度與第二摻雜區(qū)122’的摻雜濃度相同。
[0026]值得一提的是，對(duì)基底110所進(jìn)行上述摻雜制程可為毯覆式的摻雜。此外，在上述摻雜制程中能以凹入式柵極130為屏蔽，也就是說，當(dāng)以相同的摻雜能量，或者，當(dāng)以相同的摻雜濃度，分別摻雜屏蔽(例如凹入式柵極130)下方的基底110及摻雜沒有屏蔽阻礙的基底110時(shí)，屏蔽(例如凹入式柵極130)下方的基底110的摻雜深度會(huì)較沒有屏蔽阻礙的基底110的摻雜深度為淺。
[0027]在本發(fā)明一實(shí)施方式中，朝向凹入式柵極130的表面所引入的摻雜束可與分別朝向凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110的表面111所引入的摻雜束具有相同的摻雜能量。在另一實(shí)施方式中，朝向凹入式柵極130的表面所引入的摻雜束可與分別朝向凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110的表面111所引入的摻雜束具有相同的摻雜濃度。
[0028]接著,對(duì)基底110進(jìn)行一熱處理,例如通過熱擴(kuò)散(drive-1n)制程,使具有P型摻雜的第一摻雜區(qū)121’及第二摻雜區(qū)122’分別向下擴(kuò)散，以形成P型非連續(xù)的阱區(qū)120于基底110中，其中第一摻雜區(qū)121’向下擴(kuò)散，以形成非連續(xù)的阱區(qū)120的第一部分121于凹入式柵極130的下方，第二摻雜區(qū)122’分別向下擴(kuò)散，以形成非連續(xù)的阱區(qū)120的第二部分122于凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110的底部，如圖2A所示。
[0029]需要注意的是，在另一未示出的實(shí)施方式中，在摻雜基底110的步驟中，通過調(diào)整引入摻雜束的摻雜能量和/或摻雜濃度，也可直接摻雜凹入式柵極130下方的基底110，以在凹入式柵極130的下方形成非連續(xù)的阱區(qū)120的第一部分121，同時(shí)，以凹入式柵極130為屏蔽，分別直接摻雜凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110的底部，以分別于凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110的底部形成非連續(xù)的阱區(qū)120的第二部分122，并可省去熱處理的步驟。
[0030]隨后，可分別在位于凹入式柵極130的兩側(cè)旁的基底110上注入N型摻雜，以形成第一擴(kuò)散區(qū)141及一第二擴(kuò)散區(qū)142。然后，可于基底110的表面111覆蓋絕緣材料層，并使絕緣材料填入凹槽112內(nèi)，形成柵極覆蓋層133。
[0031]請(qǐng)參圖4，圖4為本發(fā)明一實(shí)施方式的自對(duì)準(zhǔn)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法的步驟流程圖。本發(fā)明另一實(shí)施方式提供一種自對(duì)準(zhǔn)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟:首先，提供一基底，所述基底具有一凹槽(步驟Si);接著，形成一凹入式柵極于所述凹槽中(步驟S2);然后，摻雜所述基底，以在所述基底中形成一非連續(xù)的阱區(qū)，其中，所述非連續(xù)的阱區(qū)包括不相接觸的至少一第一部分及至少兩個(gè)第二部分，至少一所述第一部分位于所述凹入式柵極下方，至少兩個(gè)所述第二部分分別位于所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部，且至少兩個(gè)所述第二部分的摻雜濃度分別與至少一所述第一部分的摻雜濃度相同(步驟 S3)。
[0032]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施方式的自對(duì)準(zhǔn)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法利用凹入式柵極130作為屏蔽，在形成凹入式柵極130的步驟之后再摻雜基底110，使離子摻雜能貫穿凹入式柵極130而留在溝道(channel)的底部，形成非連續(xù)的阱區(qū)120。非連續(xù)的阱區(qū)120的第一部分121可更有效地防止載流子的竄流，進(jìn)而降低漏電流。進(jìn)一步而言，溝槽隔離結(jié)構(gòu)150能在U形溝道(channel)的兩側(cè)旁，在沿著垂直于基底110的表面111的延伸方向上隔絕溝道與溝道間的載流子互擾，而非連續(xù)的阱區(qū)120能在U形溝道(channel)的底部，在沿著平行于基底110的表面111的延伸方向上屏蔽溝道內(nèi)的載流子由溝道底部往外竄流。
[0033]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，其并非用以限定本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。任何熟習(xí)相像技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，所作的更動(dòng)及潤飾的等效替換，仍為本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
[0034]符號(hào)說明
[0035]存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu) I
[0036]基底110
[0037]主動(dòng)區(qū)域IlOa
[0038]表面111
[0039]凹槽112、113
[0040]阱區(qū)120
[0041]第一部分121
[0042]第二部分122
[0043]第一摻雜區(qū)121’
[0044]第二摻雜區(qū)122’
[0045]凹入式柵極130
[0046]柵極介電層131
[0047]柵極導(dǎo)電層132
[0048]柵極覆蓋層133
[0049]第一擴(kuò)散區(qū)141
[0050]第二擴(kuò)散區(qū)142
[0051]溝槽隔離結(jié)構(gòu)150
[0052]區(qū)域R1、R2、R3
[0053]方向Dl
[0054]步驟SI ?S3
[0055]剖線AA、BB、CC
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基底，具有一非連續(xù)的阱區(qū)； 一凹入式柵極，設(shè)置于所述基底的一凹槽中；以及 一第一擴(kuò)散區(qū)及一第二擴(kuò)散區(qū)，分別設(shè)置在位于所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底上，且所述第一擴(kuò)散區(qū)及所述第二擴(kuò)散區(qū)兩者的導(dǎo)電類型分別與所述非連續(xù)的阱區(qū)的導(dǎo)電類型相異； 其中，所述非連續(xù)的阱區(qū)包括不相接觸的至少一第一部分及至少兩個(gè)第二部分，至少一所述第一部分位于所述凹入式柵極下方，至少兩個(gè)所述第二部分分別位于所述第一擴(kuò)散區(qū)下方及所述第二擴(kuò)散區(qū)下方，且至少兩個(gè)所述第二部分的摻雜濃度分別與至少一所述第一部分的摻雜濃度相同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述凹槽沿著垂直于所述基底的表面的一延伸方向從所述基底的表面往所述基底內(nèi)部延伸，由所述延伸方向測(cè)量，至少兩個(gè)所述第二部分沿著所述延伸方向的深度分別大于至少一所述第一部分的沿著所述延伸方向深度。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，還包括一溝槽隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基底的另一凹槽中，另一所述凹槽沿著垂直于所述基底的表面的所述延伸方向從所述基底的表面往所述基底內(nèi)部延伸，且由所述延伸方向測(cè)量，所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)沿著所述延伸方向的深度大于或等于至少一所述第一部分沿著所述延伸方向的深度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中由所述延伸方向測(cè)量，至少兩個(gè)所述第二部分沿著所述延伸方向的深度分別等于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)沿著所述延伸方向的深度。5.一種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 提供一基底，所述基底具有一凹槽； 形成一凹入式柵極于所述凹槽中；以及 摻雜所述基底，以在所述基底中形成一非連續(xù)的阱區(qū)，其中，所述非連續(xù)的阱區(qū)包括不相接觸的至少一第一部分及至少兩個(gè)第二部分，至少一所述第一部分位于所述凹入式柵極下方，至少兩個(gè)所述第二部分分別位于所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部，且至少兩個(gè)所述第二部分的摻雜濃度分別與至少一所述第一部分的摻雜濃度相同。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中摻雜所述基底的步驟中，進(jìn)一步包括: 摻雜所述凹入式柵極下方的所述基底；以及 以所述凹入式柵極為屏蔽，分別摻雜所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部； 其中摻雜所述凹入式柵極下方的所述基底的步驟與分別摻雜所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部的步驟同時(shí)進(jìn)行。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中摻雜所述基底的步驟中，進(jìn)一步包括: 摻雜所述凹槽的底部的所述基底； 以所述凹入式柵極為屏蔽，分別摻雜所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部；以及 對(duì)所述一基底進(jìn)行一熱處理； 其中摻雜所述凹槽的底部的所述基底的步驟與分別摻雜所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部的步驟同時(shí)進(jìn)行。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中， 摻雜所述凹槽的底部的所述基底的步驟中，進(jìn)一步包括:朝向所述凹入式柵極的表面引入至少一摻雜束；其中，分別摻雜所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的底部的步驟中，進(jìn)一步包括:分別朝向所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的表面引入至少一摻雜束。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中朝向所述凹入式柵極的表面所引入的至少一所述摻雜束與分別朝向所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的表面所引入的至少一所述摻雜束具有相同的摻雜能量。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的制造方法，其中朝向所述凹入式柵極的表面所引入的至少一所述摻雜束與分別朝向所述凹入式柵極的兩側(cè)旁的所述基底的表面所引入的至少一所述摻雜束具有相同的摻雜濃度。
【專利摘要】本發(fā)明公開了存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制造方法。該存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括基底、凹入式柵極、第一擴(kuò)散區(qū)以及第二擴(kuò)散區(qū)，其中所述基底具有非連續(xù)的阱區(qū)。凹入式柵極設(shè)置于基底的一個(gè)凹槽中，第一擴(kuò)散區(qū)及第二擴(kuò)散區(qū)分別設(shè)置在位于凹入式柵極的兩側(cè)旁的基底上。第一擴(kuò)散區(qū)及第二擴(kuò)散區(qū)兩者的導(dǎo)電類型與非連續(xù)的阱區(qū)的導(dǎo)電類型相異。非連續(xù)的阱區(qū)包括不相接觸的至少一個(gè)第一部分及至少兩個(gè)第二部分。第一部分位于凹入式柵極下方，至少兩個(gè)所述第二部分分別位于第一擴(kuò)散區(qū)下方及第二擴(kuò)散區(qū)下方。第一部分的摻雜濃度與第二部分的摻雜濃度相同。
【IPC分類】H01L27/115, H01L21/8247
【公開號(hào)】CN105529330
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410514448
【發(fā)明人】李宗翰, 施能泰, 胡耀文, 呂承恩
【申請(qǐng)人】華亞科技股份有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2014年9月29日