圖11) 對應(yīng)的子像素201、202、203。所述黑矩陣232由不透光的材料制成以避免相鄰子像素201、 202、203之間所發(fā)出光線的相互干擾。
[0038] 步驟S803,如圖13所示，在所述陣列基板21設(shè)置有薄膜晶體管陣列210(見圖11) 的一側(cè)表面上依次形成一下電極221、一發(fā)光材料層222及一上電極220以構(gòu)成一發(fā)光元件 22。所述陣列基板21及發(fā)光元件22構(gòu)成一發(fā)光陣列基板20。其中，所述下電極221與陣 列基板21相連接并由陣列基板21上的薄膜電晶體210 (見圖11)所驅(qū)動。當上電極220與 下電極221之間施加外電壓時，夾設(shè)在上電極220與下電極221之間的發(fā)光材料層222發(fā) 光。所述上電極220由高反射率的導電材料制成，以將從所述發(fā)光元件22發(fā)出的光線朝向 陣列基板21反射。所述下電極221由透明的導電材料制成，以使得由所述發(fā)光元件22發(fā) 出的光線射出并穿透陣列基板21。在本實施方式中，所述下電極221由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO)制成。所述發(fā)光材料層222由有機電致發(fā)光材料制成。所述發(fā)光元件22 發(fā)出藍色的顯示光線。
[0039] 可以理解的是，也可以先在所述陣列基板21上形成了所述發(fā)光元件22之后再在 所述陣列基板21與發(fā)光元件22相對的另一側(cè)形成所述黑矩陣232。
[0040] 步驟S804,如圖14所示，在所述上電極220與發(fā)光材料層222相對的一側(cè)表面上 形成一第一平坦層24以保護上電極220免受損壞。
[0041] 步驟S805,如圖15所示，在所述黑矩陣232所定義的子像素201、202內(nèi)依次沉積 用于將發(fā)光元件22發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換成全彩顯示的三原色光線的量子點區(qū)塊230。單個子像 素20U202內(nèi)的量子點區(qū)塊230將發(fā)光元件發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換為三原色中的其中一種顏色的 分量光線。所述量子點區(qū)塊230根據(jù)所轉(zhuǎn)換的光線顏色區(qū)分為紅色量子點區(qū)塊2301及綠 色量子點區(qū)塊2302。所述量子點區(qū)塊230通過噴墨打?。↖nk-jet Printing)或微接觸蝕 刻（Micro-contact Printing)的方法形成在黑矩陣232所劃分的對應(yīng)子像素20U202內(nèi)。
[0042] 步驟S806,如圖16所示，在所述黑矩陣232與陣列基板21相對的另一側(cè)形成一第 二平坦層25以密封保護子像素20U202內(nèi)的量子點區(qū)塊230。所述第二平坦層25由透明 材料制成，以透出經(jīng)量子點區(qū)塊230轉(zhuǎn)換后的顯示光線。
[0043] 本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發(fā)明， 而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對以上實施例所作的 適當改變和變化都落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種顯示面板包括陣列基板、發(fā)光元件及顏色轉(zhuǎn)換層，其特征在于：所述陣列基板 的一側(cè)表面上設(shè)置有薄膜晶體管陣列，所述發(fā)光元件設(shè)置在薄膜晶體管陣列所在的陣列基 板一側(cè)，所述顏色轉(zhuǎn)換層設(shè)置在陣列基板與發(fā)光元件相對的另一側(cè)，所述顏色轉(zhuǎn)換層包括 多個量子點區(qū)塊，所述顯示面板定義有多個用于發(fā)射不同顏色分量光線的子像素，所述量 子點區(qū)塊對應(yīng)所述子像素設(shè)置以將發(fā)光元件所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換為全彩顯示的三原色分量 光線。2. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于：所述子像素至少包括發(fā)射紅色分量光 線的第一子像素、發(fā)射綠色分量光線的第二子像素及發(fā)射藍色分量光線的第三子像素。3. 如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于：所述發(fā)光元件發(fā)出藍色的顯示光線。4. 如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于：所述量子點區(qū)塊根據(jù)所轉(zhuǎn)換成后出射 光線的顏色區(qū)分為紅色量子點區(qū)塊及綠色量子點區(qū)塊，所述紅色量子點區(qū)塊設(shè)置在發(fā)射紅 色分量光線的第一子像素內(nèi)，所述綠色量子點區(qū)塊設(shè)置在發(fā)射綠色分量光線的第二子像素 內(nèi)，所述發(fā)射藍色分量光線的第三子像素內(nèi)部為透明區(qū)塊以直接透過發(fā)光元件所發(fā)出的藍 色顯示光線。5. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于：所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管，其包 括上電極、下電極及夾設(shè)在上電極與下電極之間的發(fā)光材料層，所述發(fā)光材料層通過下電 極與陣列基板上的薄膜晶體管相連接。6. 如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于：所述上電極由高反射率的導電材料制 成，以將由所述發(fā)光元件發(fā)出的光線朝向下電極反射。7. 如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于：所述下電極由透明的導電材料制成，以 使得所述發(fā)光元件所發(fā)出的光線由下電極射出并穿透所述陣列基板后射入顏色轉(zhuǎn)換層。8. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于：還包括設(shè)置在上電極與陣列基板相對 的另一側(cè)上的第一平坦層。9. 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于：還包括設(shè)置在顏色轉(zhuǎn)換層與陣列基板 相對的另一側(cè)上的第二平坦層。10. -種顯示面板制造方法，其特征在于：該方法包括如下步驟： 提供一陣列基板，所述陣列基板的其中一側(cè)表面上設(shè)置有薄膜晶體管陣列以定義出多 個用于發(fā)射不同顏色分量光線的子像素； 在所述陣列基板設(shè)置有薄膜晶體管陣列的一側(cè)形成一發(fā)光元件，所述陣列基板與發(fā)光 元件構(gòu)成一發(fā)光陣列基板； 在所述發(fā)光陣列基板上對應(yīng)所述子像素設(shè)置多個量子點區(qū)塊以將所述發(fā)光元件發(fā)出 的光線轉(zhuǎn)換成全彩顯示的三原色光線； 在所述量子點區(qū)塊與發(fā)光陣列基板相對的另一側(cè)設(shè)置一第一平坦層。11. 如權(quán)利要求10所述的顯示面板制造方法，其特征在于：進一步包括步驟：在所述發(fā) 光陣列基板上形成黑矩陣以間隔所述量子點區(qū)塊。12. 如權(quán)利要求11所述的顯示面板制造方法，其特征在于：所述黑矩陣及量子點區(qū)塊 設(shè)置在發(fā)光元件與陣列基板相對的另一側(cè)上。13. 如權(quán)利要求12所述的顯示面板制造方法，其特征在于：所述發(fā)光元件為有機發(fā)光 二極管，其包括上電極、下電極及夾設(shè)在上電極與下電極之間的發(fā)光材料層，所述黑矩陣設(shè) 置在所述上電極與發(fā)光材料層相對的另一側(cè)。14. 如權(quán)利要求13所述的顯示面板制造方法，其特征在于：所述上電極由透明導電材 料制成。15. 如權(quán)利要求11所述的顯示面板制造方法，其特征在于：所述黑矩陣及量子點區(qū)塊 設(shè)置在陣列基板與發(fā)光元件相對的另一側(cè)上。16. 如權(quán)利要求15所述的顯示面板制造方法，其特征在于：所述發(fā)光元件為有機發(fā)光 二極管，其包括上電極、下電極及夾設(shè)在上電極與下電極之間的發(fā)光材料層，所述上電極由 高反射率的導電材料制成，所述下電極由透明導電材料制成。17. 如權(quán)利要求16所述的顯示面板制造方法，其特征在于：進一步包括步驟：在所述上 電極與陣列基板相對的另一側(cè)形成一第二平坦層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種顯示面板包括陣列基板、發(fā)光元件及顏色轉(zhuǎn)換層。所述陣列基板的一側(cè)表面上設(shè)置有薄膜晶體管陣列。所述發(fā)光元件設(shè)置在薄膜晶體管陣列所在的陣列基板一側(cè)。所述顏色轉(zhuǎn)換層設(shè)置在陣列基板與發(fā)光元件相對的另一側(cè)。所述顏色轉(zhuǎn)換層包括多個量子點區(qū)塊。所述顯示面板定義有多個用于發(fā)射不同顏色分量光線的子像素。所述量子點區(qū)塊對應(yīng)所述子像素設(shè)置以將發(fā)光元件所發(fā)出的光線轉(zhuǎn)換為全彩顯示的三原色分量光線。本發(fā)明還提供了一種制造所述顯示面板的方法。
【IPC分類】H01L27/32, H01L21/77
【公開號】CN105529346
【申請?zhí)枴緾N201410517886
【發(fā)明人】吳逸蔚, 鄭榮安
【申請人】業(yè)鑫科技顧問股份有限公司
【公開日】2016年4月27日
【申請日】2014年9月30日