米片利用光刻等技術(shù)手段制作成光電器件，并利用CHI 660D電化學工作站等測試光電器件對紅外光的光響應，本實施例中制作的光電器件的紅外光(638nm)響應曲線見圖3，結(jié)果表明該器件具有非常好的光電探測性能。
[0034]實施例3:—種硫化亞錫納米片的制備方法，所述制備方法包括如下步驟:
[0035]步驟1、將硫化亞錫粉末置于干凈的石英舟中，將清洗干凈的Si02/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后將石英舟放置在石英管加熱區(qū)的中間位置，封閉石英管；
[0036]步驟2、向石英管中通入惰性氣體并持續(xù)10_30min以便將石英管中的空氣排凈；
[0037]步驟3、將石英管加熱升至700_750°C;升溫過程中調(diào)小惰性氣體的氣流量；
[0038]步驟4、將石英管在溫度為700-720°C的高溫區(qū)保溫6-12min，然后讓其自然降溫；
[0039]步驟5、待石英管自然降溫到560_600°C后，將石英管整體推出管式爐外迅速降溫；
[0040]步驟6、待石英管溫度降至室溫時，打開石英管取出樣品，樣品制備完成，得到硫化亞錫納米片。
[0041 ]實施例4:本實施例與實施例3的不同之處在于，本實施例中，步驟I中所述Si02/Si基底的清洗操作是:首先將Si02/Si基底在H2SO4 = H2O2按3: (1-1.5)的比例配成的混合液中浸泡l_2h，然后用去離子水、丙酮、酒精、去離子水依次超聲清洗，最終獲得干凈的Si02/Si基底。
[0042]實施例5:本實施例與實施例3的不同之處在于，本實施例中，步驟2中通入的惰性氣體的流量在270-300sccm之間。
[0043]實施例6:本實施例與實施例3的不同之處在于，本實施例中，步驟3中所述的升溫過程中調(diào)小惰性氣體的氣流量，具體操作是:當石英管加熱至380-400°C時，將氣流量調(diào)小至18_22sccm;當石英管加熱至580_610°C時，將氣流量調(diào)小至4_6sccm。
[0044]實施例7:本實施例與實施例3的不同之處在于，本實施例中，步驟2中通入的惰性氣體為氬氣或者氮氣。
[0045]實施例8: 一種硫化亞錫納米片的制備方法，具體包括如下步驟:
[0046]步驟1:首先將Si02/Si基底在H2SO4 = H2O2按3:1的比例配成的混合液中浸泡lh，然后一次用去離子水、丙酮、酒精、去離子水超聲清洗，獲得干凈的Si02/Si基底。然后將0.04g硫化亞錫粉末置于干凈的石英舟中，將清洗干凈的Si02/Si基底水平放置在石英舟的正上方；將石英舟放置在石英管加熱區(qū)的中間位置，封閉石英管；
[0047]步驟2:向石英管中通入惰性氣體氬氣或者氮氣作為保護氣體，通入的氣流量為270sccm，并持續(xù)通氣30分鐘將石英管中的空氣完全排出；
[0048]步驟3:加熱石英管:將石英管加熱升溫，并且在升溫過程中，當溫度升至380°C時，將氣流量調(diào)小至22sCCm;當溫度升至580°C時，再次將氣流量調(diào)小至6sCCm;最終使石英管升溫至720°C ；
[0049]步驟4:將石英管在720°C保溫12分鐘，使其反應完全在基底上沉積出納米片;然后讓其自然降溫。
[0050]步驟5:石英管自然降溫到500°C后，迅速將石英管整體推出管式爐外降溫；
[0051]步驟6:待石英管溫度降至室溫時，打開石英管取出樣品，樣品制備完成。
[0052]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種硫化亞錫納米片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟: 步驟1、將硫化亞錫粉末置于干凈的石英舟中，將清洗干凈的Si02/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后將石英舟放置在石英管加熱區(qū)的中間位置，封閉石英管； 步驟2、向石英管中通入惰性氣體并持續(xù)10-30min以便將石英管中的空氣排凈； 步驟3、將石英管加熱升至700-750°C;升溫過程中調(diào)小惰性氣體的氣流量； 步驟4、將石英管在溫度為700-720°C的高溫區(qū)保溫6-12min，然后讓其自然降溫； 步驟5、待石英管自然降溫到560-600°C后，將石英管整體推出管式爐外迅速降溫； 步驟6、待石英管溫度降至室溫時，打開石英管取出樣品，樣品制備完成，得到硫化亞錫納米片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化亞錫納米片的制備方法，其特征在于，步驟I中所述S12/Si基底的清洗操作是:首先將Si02/Si基底在H2SO4 = H2O2按3: (1-1.5)的比例配成的混合液中浸泡l_2h，然后用去離子水、丙酮、酒精、去離子水依次超聲清洗，最終獲得干凈的Si02/Si基底。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化亞錫納米片的制備方法，其特征在于，步驟2中通入的惰性氣體的流量在270-300sccm之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硫化亞錫納米片的制備方法，其特征在于，步驟3中所述的升溫過程中調(diào)小惰性氣體的氣流量，具體操作是:當石英管加熱至380-400°C時，將氣流量調(diào)小至18_22sccm;當石英管加熱至580_610°C時，將氣流量調(diào)小至4_6sccm。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一所述的硫化亞錫納米片的制備方法，其特征在于，步驟2中通入的惰性氣體為氬氣或者氮氣。6.—種根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的硫化亞錫納米片制備的光電器件，其特征在于，將硫化亞錫納米片利用光刻等技術(shù)制備成光電器件，并利用CHI660D電化學工作站等測試光電器件對紅外光的光響應。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種硫化亞錫納米片的制備方法及基于其制備的光電探測器，該制備方法包括如下步驟：將硫化亞錫粉末置于干凈的石英舟中，將清洗干凈的SiO2/Si基底水平放置在石英舟的正上方。然后將石英舟放置在石英管加熱區(qū)的中間位置，封閉石英管；向石英管中通入惰性氣體并持續(xù)10-30min以便將石英管中的空氣排凈；將石英管加熱升至700-750℃；升溫過程中調(diào)小惰性氣體的氣流量；將石英管在溫度為700-720℃的高溫區(qū)保溫6-12min，然后讓其自然降溫；待石英管自然降溫到560-600℃后，將石英管整體推出管式爐外迅速降溫；待石英管溫度降至室溫時，打開石英管取出樣品，樣品制備完成。通過上述方式，本發(fā)明能夠利用簡單的物理氣相沉積方法制備了高質(zhì)量的硫化亞錫納米片。
【IPC分類】H01L21/203, B82Y30/00, H01L31/00, H01L31/09, H01L31/032, B82Y40/00
【公開號】CN105551946
【申請?zhí)枴緾N201610013223
【發(fā)明人】鹿方園, 王曉亭, 陳穎, 陳新, 李京波
【申請人】廣東工業(yè)大學
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2016年1月7日