表面安裝型電阻橋的封裝結(jié)構(gòu)和封裝工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體來說，涉及一種電阻橋的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電阻橋封裝通常將芯片安裝在金屬或陶瓷基座(如TO型金屬外殼、插針引腳或者表面安裝陶瓷基座等)的腔體中，用金絲/金帶或鋁絲/鋁帶等將芯片與基座電極互連起來，再用絕緣膠將金屬絲包裹(包括芯片壓焊焊盤)，電阻橋有效區(qū)暴露出來，亦或在印刷線路板(PCB)上進(jìn)行封裝(COB)，這些均存在封裝尺寸大，封裝成本高等不足，不能像1206、0805、0603等規(guī)格尺寸的表面安裝電阻、電容一樣采用現(xiàn)有表面安裝設(shè)備自動(dòng)貼裝并能滿足超薄、超小型尺寸要求的封裝需求。
[0003]針對(duì)相關(guān)技術(shù)中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種表面安裝型電阻橋的封裝結(jié)構(gòu)和封裝工藝，以克服目前存在的上述不足。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]—種表面安裝型電阻橋的封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體電阻橋芯片，所述半導(dǎo)體電阻橋芯片包括上端面邊緣的引出端焊盤、上端面中部的電阻橋區(qū)和下端面的絕緣層，所述引出端焊盤與電阻橋區(qū)相聯(lián);所述半導(dǎo)體電阻橋芯片靠近引出端焊盤兩側(cè)端面由粘接層通過粘接的方式與金屬電極固定;所述引出端焊盤與金屬電極上端面通過金屬引線相連接;所述引出端焊盤、金屬引線和金屬電極上端面用包封膠包封，半導(dǎo)體電阻橋芯片上端面的電阻橋區(qū)無包封膠。
[0007]進(jìn)一步的，所述金屬電極的上表面為可焊性優(yōu)良的焊料涂鍍層，所述金屬電極的表面鍍敷層結(jié)構(gòu)材料為鎳-金或鎳-鈀金。
[0008]進(jìn)一步的，所述金屬引線通過熱壓球焊、超聲楔焊或載帶自動(dòng)焊的方式將半導(dǎo)體電阻橋芯片的引出端焊盤與金屬電極互連起來。
[0009]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體電阻橋芯片的下端面和金屬電極的下端面共面、側(cè)面呈直線。
[0010]進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體電阻橋芯片下端面的絕緣層是圓片時(shí)制作厚度為幾微米到幾十微米且能經(jīng)受住電阻橋使用中可能的焊接溫度的有機(jī)膜或玻璃。
[0011]進(jìn)一步的，所述粘接層為絕緣性有機(jī)膠或玻璃，厚度在幾十微米到幾百微米。
[0012]—種表面安裝型電阻橋的封裝工藝，包括如下步驟:
[0013]步驟I):芯片分離，將半導(dǎo)體電阻橋圓片減薄到表面安裝尺寸需要的厚度，在半導(dǎo)體電阻橋圓片背面制作幾到幾十微米厚度的絕緣層，其中，絕緣層為聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂或Si02層;將半導(dǎo)體電阻橋圓片采用金剛砂輪劃片機(jī)或激光劃片機(jī)切割分離出單顆半導(dǎo)體電阻橋芯片；
[0014]步驟2):金屬電極制作，采用模具沖制或刻蝕出半導(dǎo)體電阻橋安裝需要的尺寸金屬電極，并在金屬電極的表面鍍上鎳-金或鎳-鈀金層；
[0015]步驟3):將半導(dǎo)體電阻橋芯片靠近引出端焊盤兩側(cè)端面通過幾十微米到幾百微米厚度的材料為絕緣性環(huán)氧樹脂或玻璃的粘接層與金屬電極粘接，并且保證半導(dǎo)體電阻橋芯片下端面和金屬電極的下端面共面、半導(dǎo)體電阻橋芯片側(cè)面和金屬電極的側(cè)面呈直線；
[0016]步驟4):互連，將粘接好后的半導(dǎo)體電阻橋芯片與金屬電極采用氬-氫離子進(jìn)行清洗，然后用金屬引線將半導(dǎo)體電阻橋芯片上端面邊緣的引出端焊盤與同側(cè)的金屬電極上端面相互連接；
[0017]步驟5):包封，將半導(dǎo)體電阻橋芯片上端面邊緣的引出端焊盤、金屬引線和金屬電極上端面用包封膠包封并固化；
[0018]步驟6):檢測(cè)，對(duì)封裝半導(dǎo)體電阻橋進(jìn)行外觀檢查、性能測(cè)試以及代碼標(biāo)識(shí)打印。
[0019]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0020]本發(fā)明用金屬電極與半導(dǎo)體電阻橋芯片直接粘接，不需要底座或基板，縮小了封裝尺寸、降低了封裝厚度降低了封裝成本;并通過控制半導(dǎo)體電阻橋芯片、金屬電極的面積而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體電阻橋表面安裝尺寸的標(biāo)準(zhǔn)化(如1206、0805、0603、0402等)。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0022]圖1-1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體電阻橋芯片的示意圖。
[0023]圖1-2是圖1-1的A-A剖視圖。
[0024]圖2-1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的金屬電極的示意圖。
[0025]圖2-2是圖2-1的A-A剖視圖。
[0026]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的的半導(dǎo)體電阻橋芯片與金屬電極互連的俯視圖。
[0027]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的半導(dǎo)體電阻橋包封的俯視圖。
[0028]圖5-1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的表面安裝電阻橋的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖5-2是圖5-1的A-A剖視圖。
[0030]圖中:
[0031]1、半導(dǎo)體電阻橋芯片；11、引出端焊盤；12、電阻橋區(qū)；13、絕緣層；2、金屬電極;3、
粘接層;4、金屬引線;5、包封膠。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]如圖1至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所述的一種表面安裝型電阻橋的封裝結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體電阻橋芯片I，該半導(dǎo)體電阻橋芯片I包括上端面邊緣的引出端焊盤11和上端面中部的電阻橋區(qū)12，以及下端面的絕緣層13;所述引出端焊盤11與電阻橋區(qū)12相聯(lián)，所述絕緣層13為與表面安裝板的絕緣層。
[0034]所述半導(dǎo)體電阻橋芯片I靠近引出端焊盤11的兩個(gè)側(cè)端面由粘接層3通過粘接的方式分別固定金屬電極2，兩個(gè)金屬電極2分布于半導(dǎo)體電阻橋芯片I的兩端。金屬電極2與半導(dǎo)體電阻橋芯片I相連端面無鍍層。半導(dǎo)體電阻橋芯片I底端面和金屬電極2底端面共面，金屬電極2和半導(dǎo)體電阻橋芯片I的前面平齊、后面亦平齊;金屬引線4通過熱壓球焊、超聲楔焊(WB)或載帶自動(dòng)焊(TAB)等方式將半導(dǎo)體電阻橋芯片I的引出端焊盤11與金屬電極2互連起來;包封體5將金屬引線4和引出端焊盤11包封起來。
[0035]半導(dǎo)體電阻橋芯片I下端面的絕緣層13是圓片時(shí)制作厚度為幾微米到幾十微米且回流焊溫度的絕緣有機(jī)膜、玻璃。
[0036]半導(dǎo)