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      一種含p型半導體電極的太陽能電池及其制備方法_2

      文檔序號:9789258閱讀:來源:國知局
      【具體實施方式】
      [0028]為使本方面的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚,下面將對本方面的技術方案進行詳細的描述。顯然,所描述的實施例僅僅是本方面一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒痉矫嬷械膶嵤├?,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所得到的所有其它實施方式,都屬于本方面所保護的范圍。
      [0029]本發(fā)明提供一種含P型半導體電極的太陽能電池,所述太陽能電池從受光面到背光面依次包括:負極、PN結硅片和正極,所述負極包括受光面的P型半導體片和背光面的銀電極片,所述P型半導體片和銀電極片均與所述PN結硅片的受光面連接。
      [0030]根據(jù)本發(fā)明,為了降低入射光線的反射以及太陽能的內阻,所述PN結硅片的受光面還優(yōu)選包括減反射膜,所述減反射膜可以為氮化硅和/或氧化鈦減反射膜,所述PN結硅片的背光面還可以包括銀背場。
      [0031]根據(jù)本發(fā)明,所述PN結能夠將光能轉化為電能,所述PN結硅片可以為硼擴散摻磷娃片。
      [0032]根據(jù)本發(fā)明,所述正極可以為銅片或銀片。
      [0033 ]本發(fā)明還提供一種太陽能電池的制備方法,該方法包括:將負極、PN結硅片和正極依次從受光面到背光面的順序進行組合,得到太陽能電池;所述負極包括受光面的P型半導體片和背光面的銀電極片,所述P型半導體片和銀電極片均與所述PN結硅片的受光面連接。
      [0034]根據(jù)本發(fā)明,為了降低入射光線的反射以及太陽能的內阻,所述PN結硅片的受光面還優(yōu)選包括減反射膜,所述減反射膜可以為氮化硅和/或氧化鈦減反射膜,所述PN結硅片的背光面還可以包括銀背場。
      [0035]根據(jù)本發(fā)明,所述PN結能夠將光能轉化為電能,所述PN結硅片可以為硼擴散摻磷娃片。
      [0036]根據(jù)本發(fā)明,所述正極可以為銅片或銀片。
      [0037]下面將通過實施例來進一步說明本發(fā)明,但是本發(fā)明并不因此而受到任何限制。
      [0038]如無特別說明,本發(fā)明所用材料均為商購,不同品牌的商品不影響具體使用。
      [0039]實施例1
      [0040]如圖1所示,將5cmX 5cm的摻磷硅片進行硼擴散,得到硼擴散摻磷硅片,將所述硼擴散摻磷硅片的P極涂覆氮化硅減反射膜,N極涂覆銀背場。
      [0041]將2.5cmX2cm P型半導體片和2.5cmX2cm銀電極片相互重合,然后一端放置在減反射膜的正中間并焊接,另一端突出硅片0.5cm,采用0.lcmX0.2cm的P型半導體小片,使P型半導體片與減反射膜連接。
      [0042]將銅片點焊在銀背場上作為負極,得到本發(fā)明的太陽能電池。
      [0043]實施例2
      [0044]如圖1所示,將5cmX 5cm的摻磷硅片進行硼擴散,得到硼擴散摻磷硅片,將所述硼擴散摻磷硅片的P極涂覆氧化鈦減反射膜,N極涂覆銀背場。
      [0045]將2.5cmX2cm P型半導體片和2.5cmX2cm銀電極片相互重合,然后一端放置在減反射膜的正中間并焊接,另一端突出硅片0.5cm,采用0.lcmX0.2cm的P型半導體小片,使P型半導體片與減反射膜連接。
      [0046]將銅片點焊在銀背場上作為負極,得到本發(fā)明的太陽能電池。
      [0047]實施例3
      [0048]如圖1所示,將5cmX 5cm的摻磷硅片進行硼擴散,得到硼擴散摻磷硅片,將所述硼擴散摻磷硅片的P極涂覆氧化鈦減反射膜,N極涂覆銀背場。
      [0049]將2.5cmX2cm P型半導體片和2.5cmX2cm銀電極片相互重合,然后一端放置在減反射膜的正中間并焊接,另一端突出硅片0.5cm,采用0.lcmX0.2cm的P型半導體小片,使P型半導體片與減反射膜連接。
      [0050]將銀片點焊在銀背場上作為負極,得到本發(fā)明的太陽能電池。
      [0051]由實施例可知,本發(fā)明采用P型半導體片和銀電極片的復合電極片作為太陽能電池的負極,不僅增加了受光面的面積,而且不影響導電;本發(fā)明的負極可以通過太陽能電池的側面與另一個太陽能電池的正極相連,從而導電帶不影響太陽能電池的受光面積;本發(fā)明PN結硅片的背光面設置有銀背場,可以極大地降低太陽能電池內阻。
      【主權項】
      1.一種含P型半導體電極的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池從受光面到背光面依次包括:負極、PN結硅片和正極,所述負極包括受光面的P型半導體片和背光面的銀電極片,所述P型半導體片和銀電極片均與所述PN結硅片的受光面連接。2.根據(jù)權利要求1的太陽能電池,其特征在于,所述PN結硅片的受光面還包括減反射膜,所述PN結硅片的背光面還包括銀背場。3.根據(jù)權利要求2的太陽能電池,其特征在于,所述減反射膜為氮化硅和/或氧化鈦減反射膜。4.根據(jù)權利要求1的太陽能電池,其特征在于,所述PN結硅片為硼擴散摻磷硅片。5.根據(jù)權利要求1的太陽能電池,其特征在于,所述正極為銅片或銀片。6.—種太陽能電池的制備方法,該方法包括:將負極、PN結硅片和正極依次從受光面到背光面的順序進行組合,得到太陽能電池;其特征在于,所述負極包括受光面的P型半導體片和背光面的銀電極片,所述P型半導體片和銀電極片均與所述PN結硅片的受光面連接。7.根據(jù)權利要求6的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述PN結硅片的受光面還包括減反射膜,所述PN結硅片的背光面還包括銀背場。8.根據(jù)權利要求6的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述減反射膜為氮化硅和/或氧化鈦減反射膜。9.根據(jù)權利要求6的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述PN結硅片為硼擴散摻磷娃片。10.根據(jù)權利要求6的太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述正極為銅片或銀片。
      【專利摘要】本發(fā)明涉及一種含P型半導體電極的太陽能電池及其制備方法,所述太陽能電池從受光面到背光面依次包括:負極、PN結硅片和正極,所述負極包括受光面的P型半導體片和背光面的銀電極片,所述P型半導體片和銀電極片均與所述PN結硅片的受光面連接。本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明的太陽能電池受光面積大,制備方法簡單。
      【IPC分類】H01L31/0224, H01L31/18, H01L31/0216
      【公開號】CN105552141
      【申請?zhí)枴緾N201610065957
      【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
      【申請人】佛山市聚成生化技術研發(fā)有限公司
      【公開日】2016年5月4日
      【申請日】2016年1月29日
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