考慮到以上說(shuō)明，因?yàn)楦鶕?jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝100A和100B的第一絕緣層 152、154和156每一個(gè)具有包括至少兩個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，所以第一絕緣層152、154和156每 一個(gè)可以具有比根據(jù)對(duì)照實(shí)施例具有單層結(jié)構(gòu)的絕緣層高的熱膨脹系數(shù)，由此在倒裝芯片 結(jié)合過(guò)程之后并不由于殘余應(yīng)力而受到破壞。在多層第一絕緣層152、154和156中包括的 層的數(shù)目增加越多，第一絕緣層152、154和156的熱膨脹系數(shù)的第一平均值可以增加越多。 相應(yīng)地，發(fā)光器件封裝100A和100B可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的可靠性。
[0096] 另外，如上所述，當(dāng)?shù)谝唤^緣層152、154和156包括DBR時(shí)，不存在第二接觸層164 的區(qū)域中的反射率可以被DBR增強(qiáng)，因?yàn)镈BR能夠反射光。
[0097] 另外，在其中在圖3中示出的上述第二接觸層164包括由ΙΤ0形成的透明電極 164-1和由銀（Ag)形成的反射層164-2的情形中，銀（Ag)具有良好的反射率，但是具有不 良的附著性。在此情形中，當(dāng)發(fā)光器件K被結(jié)合到封裝主體110時(shí)，由于熱膨脹系數(shù)的差， 導(dǎo)致金屬（例如，銀（Ag))的剝離可以在圖3中示出的ΙΤ0 164-1和反射層164-2之間的 界面處發(fā)生。因此，根據(jù)該實(shí)施例，第一絕緣層150 ;152、154和156可以使用例如等離子體 增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積（PECVD)制造以便使得能夠覆蓋第二接觸層164,由此改進(jìn)銀的不良的 附著性以便可以防止金屬剝離。
[0098] 另外，在其中第一絕緣層150 ; 152、154和156使用離子束輔助沉積（IAD)制造的 情形中，IAD薄層的高密度特性可以防止銀（Ag)從反射層164-2的迀移并且改進(jìn)在發(fā)光結(jié) 構(gòu)170和第一絕緣層152、154和156之間的界面處的附著。
[0099] 另外，在其中第一絕緣層150 ;152、154和156具有多層結(jié)構(gòu)的情形中，如在圖3 中示例性示出地，即便在第二接觸層164的臺(tái)階式角部部分處產(chǎn)生裂紋，第一絕緣層150 ; 152、154和156仍然具有多層結(jié)構(gòu)，由此有效地防止由于裂紋引起的不利效果。
[0100] 同時(shí)，再次參考圖2和4,發(fā)光器件封裝100A和100B的模制部件190可以包封并 且保護(hù)發(fā)光器件K。模制部件190可以由例如硅（Si)形成并且包含熒光體，因此能夠改變 從發(fā)光器件K發(fā)射的光的波長(zhǎng)。雖然焚光體可以包括選自可以將從發(fā)光器件K產(chǎn)生的光改 變?yōu)榘坠獾腨AG基、TAG基、硅酸鹽基、硫化物基，和氮化物基波長(zhǎng)改變材料中的熒光體，但 是實(shí)施例不限于熒光體的種類(lèi)。
[0101] YGA 基和 TAG 基熒光體可以選自（Y、Tb、Lu、Sc、La、Gd、Sm)3(Al、Ga、In、Si、Fe)5(0、 S)12 :Ce，并且硅酸鹽基熒光體可以選自（Sr、Ba、Ca、Mg)2Si04 :(Eu、F、Cl)。
[0102] 另外，硫化物基熒光體可以選自（Ca、Sr)S:Eu、（3^0&、8&)仏1、6 &)234疋11，并且 氮化物基熒光體可以選自 者Ca-αSiA10N:Eu基（Cax、My)(Si、Al)12(0、N)16(這里，M是Eu、Tb、Yb，或者Er中的至 少一種，0· 05〈（x+y)〈0· 3、0· 02〈χ〈0· 27,并且 0· 03〈y〈0. 3)。
[0103] 紅色熒光體可以是包括N的氮化物基熒光體（例如，CaAlSiN3 :Eu)。與硫化物基 熒光體相比，氮化物基紅色熒光體在外部環(huán)境諸如、例如熱和潮濕的耐受性方面具有較高 的可靠性和較低的變色風(fēng)險(xiǎn)。
[0104] 雖然根據(jù)在圖1到6中示出的上述實(shí)施例的發(fā)光器件封裝100A和100B具有倒裝 芯片結(jié)合結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。即，在另一實(shí)施例中，本發(fā)明還可以應(yīng)用于具有豎直 結(jié)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件封裝。
[0105] 在根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，多個(gè)發(fā)光器件封裝的陣列可以布置在板上， 并且光學(xué)部件諸如、例如導(dǎo)光板、棱鏡片和擴(kuò)散片可以布置在發(fā)光器件封裝的光路中。發(fā)光 器件封裝、板和光學(xué)部件可以用作背光單元。
[0106] 另外，可以在一種發(fā)光設(shè)備諸如、例如顯示設(shè)備、指示器設(shè)備，和照明設(shè)備中包括 根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝。
[0107] 這里，該顯示設(shè)備可以包括底蓋、布置在底蓋上的反射板、配置為發(fā)光的發(fā)光模 塊、布置在反射板前面以向前引導(dǎo)從發(fā)光模塊發(fā)射的光的導(dǎo)光板、包括布置在導(dǎo)光板前面 的棱鏡片的光學(xué)片、布置在光學(xué)片前面的顯示板、連接到顯示板以向顯示板供應(yīng)圖像信號(hào) 的圖像信號(hào)輸出電路，和布置在顯示板前面的濾色片。這里，底蓋、反射板、發(fā)光模塊、導(dǎo)光 板，和光學(xué)片可以構(gòu)成背光單元。
[0108] 另外，該照明設(shè)備可以包括包括板和根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的光源模塊、 配置為輻射光源模塊的熱的散熱器，和配置為處理或者轉(zhuǎn)換來(lái)自外部來(lái)源的電信號(hào)以便將 其供應(yīng)到光源模塊的電源單元。例如，該照明設(shè)備可以包括燈、頭燈，或者街燈。
[0109] 頭燈可以包括包含布置在板上的發(fā)光器件封裝的發(fā)光模塊、配置為沿著給定方向 例如向前反射從光源模塊發(fā)射的光的反射器、配置為向前折射由反射器反射的光的透鏡， 和配置為通過(guò)阻擋或者反射由反射器反射并且引導(dǎo)到透鏡的一些光而實(shí)現(xiàn)由設(shè)計(jì)者選擇 的光分布圖案的遮光物。
[0110] 如根據(jù)以上說(shuō)明清楚地，根據(jù)該實(shí)施例，發(fā)光器件封裝能夠通過(guò)減小在襯底和第 一絕緣層之間的熱膨脹系數(shù)差而防止第一絕緣層在倒裝芯片結(jié)合之后由于殘余應(yīng)力而受 到破壞。另外，該發(fā)光器件能夠防止在在反射層和在第二接觸層中包括的透明電極之間的 界面處金屬的剝離并且防止在反射層中包括的金屬的迀移。另外，該發(fā)光器件能夠增加在 發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一絕緣層之間的附著并且由于在第二接觸層中包括的反射層增加在其中光 的反射否則將是不可能的區(qū)域中的反射率。另外，即便在第二接觸層的臺(tái)階式角部部分處 產(chǎn)生裂紋，該發(fā)光器件仍然能夠有效地防止不利的效果。
[0111] 雖然已經(jīng)參考其多個(gè)示出性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人 員能夠設(shè)計(jì)將落入本公開(kāi)原理的精神和范圍內(nèi)的多個(gè)其它修改和實(shí)施例。更加具體地，在 本公開(kāi)、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在主題組合設(shè)置的構(gòu)件和/或布置方面，各種更改 和修改都是可能的。除了在構(gòu)件和/或設(shè)置方面的更改和修改，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言， 可替代物使用也將是明顯的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光器件封裝，包括： 襯底； 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)布置在所述襯底下面，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、 有源層，和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第一電極，所述第一電極被配置為穿過(guò)所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層，以便與 所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸； 接觸層，所述接觸層被配置為與所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸； 第一絕緣層，所述第一絕緣層布置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第一電極之間以及 在所述有源層和所述第一電極之間，所述第一絕緣層設(shè)置用于覆蓋所述接觸層的側(cè)部和上 部；以及 第二電極，所述第二電極被配置為穿過(guò)所述第一絕緣層，以便與所述接觸層接觸。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述接觸層包括： 反射層；和 布置在所述反射層和所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的透明電極。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一電極包括： 金屬層，所述金屬層被配置為穿過(guò)所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層，以便與所述 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸；和 結(jié)合焊盤(pán)，所述結(jié)合焊盤(pán)被配置為與所述金屬層接觸。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝，進(jìn)一步包括：布置成包封所述第一絕緣層和所述金屬 層的第二絕緣層， 其中，所述第二電極穿過(guò)所述第一和第二絕緣層以及所述金屬層，以便與所述接觸層 接觸。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝，其中，所述第一絕緣層包括至少兩個(gè)層。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，其中，所述第一絕緣層具有包括重復(fù)地布置的所述至 少兩個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝，其中，所述至少兩個(gè)層由具有不同的熱膨脹系數(shù)的材 料形成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝，其中，在所述襯底的第一熱膨脹系數(shù)和所述至少兩個(gè) 層的體積熱膨脹系數(shù)的平均值之間的差是±3x10 6K到±4x10 6K或者更低。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝，其中，所述襯底包括藍(lán)寶石，并且在所述襯底的第一 熱膨脹系數(shù)和所述至少兩個(gè)層的體積熱膨脹系數(shù)的平均值之間的差在從±2. 5x10 6Κ到 ±12. 5x10 6Κ的范圍內(nèi)。10. -種發(fā)光設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1到9中任何一項(xiàng)所述的發(fā)光器件封裝。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件封裝和包括該封裝的發(fā)光設(shè)備。實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，包括：襯底；布置在襯底下面的發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層，和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；配置為穿過(guò)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層以便與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸的第一電極；配置為與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層接觸的接觸層；布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第一電極之間以及在有源層和第一電極之間的第一絕緣層，第一絕緣層設(shè)置用于覆蓋接觸層的側(cè)部和上部；和配置為穿過(guò)第一絕緣層以便與接觸層接觸的第二電極。
【IPC分類(lèi)】H01L33/38, H01L33/60, H01L33/62
【公開(kāi)號(hào)】CN105552189
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510706196
【發(fā)明人】林祐湜, 徐在元, 任范鎮(zhèn)
【申請(qǐng)人】Lg伊諾特有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2015年10月27日
【公告號(hào)】EP3016152A1, US20160118543