路理論以及電子電路設(shè)計等更具有一般性和 普適性。
[0079] 綜上所述，本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，在技術(shù)上思想與技術(shù)原理方面的核心的改進 點在于兩個方面：
[0080] -是，省略了用作阻變膜成分的陶瓷材料預(yù)先燒制步驟;二是，阻變膜陶瓷材料化 學成分方面的改進(即，采用+2價陽離子(Ca 2+)部分取代+3價陽離子(Bi3+)進行A位取代，與 現(xiàn)有技術(shù)的+2價的金屬陽離子的相互替代相比，增大了阻變層(單層陶瓷納米薄膜)中分子 結(jié)構(gòu)的不對稱性）。
[0081] 并且，基于上述兩方面的改進，使得陶瓷材料的阻變膜在結(jié)構(gòu)上，發(fā)生了有益的良 性變化(大幅增加了空穴數(shù)量），導致最終的憶阻器憶阻性能的顯著改善與提高。
[0082] 需要進一步說明的是:上述兩種技術(shù)方案中，分別根據(jù)各自選用上電極材料或鍍 電極方法的不同，對所采用的納米薄膜熱處理的順序不同。其目的在于：
[0083] 保證Bi(1-x)CaxFe03-x/ 2納米薄膜與上電極有極高的切合度和結(jié)合性，以避免上電極 損壞或電極與薄膜之間的結(jié)合不良。
[0084]不難看出，本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，具有制備工藝簡單、控制難度小、質(zhì)量穩(wěn)定、生 產(chǎn)效率高、成本低廉，所制得的憶阻器產(chǎn)品的憶阻性能更好等有益效果。
【附圖說明】
[0085] 圖1為本發(fā)明的單層納米薄膜憶阻器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0086] 圖2為本發(fā)明的單層納米薄膜憶阻器M(q)的數(shù)學模型。
【具體實施方式】
[0087] 下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明進行簡要說明。
[0088] 圖1為本發(fā)明的單層納米薄膜憶阻器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0089] 如圖1所示，本發(fā)明單層納米薄膜憶阻器為復合層結(jié)構(gòu)，自上向下依次包括上電 極、Bi(i-x)Ca xFe〇3-x/2納米薄膜和下電極。其中，上電極為Au、Ag、In-Ga或Pt，下電極為Pt或 Au，以Si基片為襯底。
[0090] 圖2為本發(fā)明的單層納米薄膜憶阻器M(q)的數(shù)學模型。
[0091] 從圖2中可以看出，本發(fā)明的憶阻機理隨著空穴及電離氧離子((Π產(chǎn)生量的變化 會導致兩電極之間的電阻變化，與之對應(yīng)薄膜呈現(xiàn)最小(R min)或最大(Rmax)兩種不同的電 阻，即Bi(1-x)Ca xFe03-x/2的憶阻特性機理。
[0092]下面結(jié)合實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。
[0093]說明：以下各實施例中，所用的下電極均采用市售產(chǎn)品。
[0094] 實施例1
[0095] 憶阻器的制備方法均包括以下步驟：
[0096] 第一步，制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革E材，具體步驟如下：
[0097] (1)、原料混合：
[0098] 將Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 99:1:100(摩爾比）混合；
[0099] 將上述混合物溶于10 % -20 %的稀硝酸中，放在磁力攪拌器上，進行攪拌，使其完 全溶解；
[0100] (2)、粉體制備
[0101]向上述溶液中緩慢滴加NaOH溶液直至沉淀完全，過濾沉淀并用去離子水洗滌，滴 加NaOH溶液并調(diào)節(jié)pH值，并裝入反應(yīng)釜中，放入事先達到確定溫度200°C的恒溫干燥箱內(nèi)， 水熱反應(yīng)24小時；
[0102] 水熱反應(yīng)后，將反應(yīng)釜自然冷卻至室溫，將反應(yīng)釜中所得的樣品用去離子水反復 清洗直到去除所有可溶性鹽，于60°C下烘干后得到Bia- x)CaxFe03-x/2粉體；
[0103] (3)、造粒：
[0104] 將上述粉體進行造粒：按待造粒混合料質(zhì)量的2-5 %，加入質(zhì)量百分比濃度為2-5%的聚乙烯醇溶液，拌和均勻后，過40目篩進行造粒；
[0105] (4)、Bi(x)CaxFe〇3-x/2靶材的壓制成型：
[0106] 將經(jīng)過造粒后的物料置于壓片機上壓制成塊;然后，將所得塊狀物料切割成直徑 為20-150mm，厚度為2-50mm的圓片，即得Bi (1-x)CaxFe03-x/ 2 靶材；
[0107] 第二步，選取下電極：
[0108]取Si基片，以Pt或Au為靶材，采用脈沖激光方法或磁控濺射方法，將Pt或Au沉積在 Si基片上，形成以Si基片為襯底、材質(zhì)為Pt或Au的下電極；
[0109]第三步，將所得到的Bi(1-x)CaxFe03- x/2靶材，采用脈沖激光方法或磁控濺射方法沉 積在上述下電極的上表面上；
[0110] 然后，在800°c下熱處理15分鐘，得到化學成分為Bi(1-x)CaxFe〇3- x/2的單層陶瓷納米 薄膜；
[0111] 第四步，以材質(zhì)為Au的靶材，采用脈沖激光方法，將Au沉積在上述的化學成分為 Bia-x)CaxFe03-x/2的單層陶瓷納米薄膜上，制得上電極，即得單層納米阻變膜憶阻器。
[0112] 上述上電極的厚度為10nm_50um。
[0113]上述單層陶瓷納米薄膜的厚度為10-990nm。
[0114] 實施例2
[0115]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革巴材的原料配方為：
[0116] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 98:2:100(摩爾比）、以及下 表1中的各參數(shù)之外；
[0117] 其余，均同實施例1。
[0118] 實施例3
[0119]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革E材的原料配方為：
[0120] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 97:3:100(摩爾比）、以及下 表1中的各參數(shù)之外；
[0121] 其余，均同實施例1。
[0122] 實施例4
[0123]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革巴材的原料配方為：
[0124] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 999:1:1000(摩爾比）、以及 下表1中的各參數(shù)之外；
[0125] 其余，均同實施例1。
[0126] 實施例5
[0127]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革巴材的原料配方為：
[0128] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 998:2:1000(摩爾比）、以及 下表1中的各參數(shù)之外；
[0129] 其余，均同實施例1。
[0130] 實施例6
[0131 ]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革E材的原料配方為：
[0132] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N03)2 · 4H2〇3:Fe(N03)3 · 9H2〇3 = 997:3:1000(摩爾比）、以及 下表1中的各參數(shù)之外；
[0133] 其余，均同實施例1。
[0134] 實施例7
[0135 ]除制備B i (1-X) CaxFe〇3-x/2革巴材的原料配方為：
[0136] Bi(N03)3 · 5H2〇3:Ca(N〇3)2 · 4H2〇3:Fe(N〇3)3 · 9H2〇3 = 9999:1:10000(摩爾比）；
[0137] 并且，將上述實施例1的制備方法中的"第四步"替換成：
[0138] 將In-Ga電極液，采用表面印刷方法鍍在上述的化學成分為Bi(1-x)CaxFe0 3-x/2的單 層陶瓷納米薄膜上，得到上電極；
[0139]以及下表1中的各參數(shù)之外；
[0140]其余，均同實施例1。
[0141] 實施例8
[0142]除制備Bi(i-x)CaxFe〇3-x/2革巴材的原料配方為：
[0143