氧化物介電層202的寬度，另一光致抗蝕劑層206的厚度可以保證后續(xù)蝕刻半導(dǎo)體襯底200形成作為腔室的溝槽后其厚度大于3微米。然后，以所述圖案化的另一光致抗蝕劑層206為掩膜，選用深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)方法蝕刻半導(dǎo)體襯底200，以在半導(dǎo)體襯底200中形成作為腔室的溝槽201，溝槽201的側(cè)壁的頂端向另一光致抗蝕劑層206的下方凹進(jìn)。作為示例，溝槽201的深度可以為20微米-40微米。
[0030]接著，如圖2D所示，在溝槽201中沉積金屬層205。作為示例，金屬層205的構(gòu)成材料可以為鈦。在本實(shí)施例中，采用電子束沉積工藝在溝槽201中沉積金屬層205，由于溝槽201的側(cè)壁的頂端向另一光致抗蝕劑層206的下方凹進(jìn)，因而只在溝槽201的底部形成金屬層205，同時(shí)，為了后續(xù)實(shí)施剝離技術(shù)的需要，所述圖案化的另一光致抗蝕劑層206的剖面形狀呈下寬上窄的梯形，因而在另一光致抗蝕劑層206的側(cè)壁和頂部均形成有金屬層205。
[0031]接著，如圖2E所示，去除另一光致抗蝕劑層206。在本實(shí)施例中，采用剝離技術(shù)去除另一光致抗蝕劑層206，以將覆蓋在另一光致抗蝕劑層206的側(cè)壁和頂部上的金屬層205一并去除。由于經(jīng)過蝕刻的氧化物介電層202的側(cè)壁部分與溝槽201的頂端拐角部分構(gòu)成臺(tái)階，形成于所述臺(tái)階位置上的另一光致抗蝕劑層206的側(cè)壁坡面角度增大(坡面角度大于75度)，在其上沉積的金屬層205的厚度變薄，同時(shí)，由于溝槽201的側(cè)壁的頂端向另一光致抗蝕劑層206的下方凹進(jìn)，實(shí)施剝離技術(shù)所使用的剝離液(例如ST-44等)更容易沿著溝槽201的頂端拐角滲入另一光致抗蝕劑層206中，即剝離液更容易從另一光致抗蝕劑層206的底部滲透進(jìn)去，進(jìn)而有效增強(qiáng)剝離液對(duì)另一光致抗蝕劑層206的去除效果，因此，實(shí)施剝離技術(shù)之后，在溝槽201的頂端拐角的邊緣不會(huì)出現(xiàn)金屬層205的殘留。作為示例，為了增強(qiáng)剝離技術(shù)的實(shí)施效果，采用Semitool、ST-44、N2和去離子水的組合完成所述剝離。
[0032]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例一的方法實(shí)施的工藝步驟。根據(jù)本發(fā)明，實(shí)施剝離技術(shù)之后，在作為腔室的溝槽201的頂端拐角部分不會(huì)出現(xiàn)金屬層205的殘留。
[0033]參照?qǐng)D3，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例一的方法依次實(shí)施的步驟的流程圖，用于簡要示出制造工藝的流程。
[0034]在步驟301中，提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有氧化物介電層，在氧化物介電層上形成有多個(gè)鍺帽層；
[0035]在步驟302中，蝕刻氧化物介電層，直至露出半導(dǎo)體襯底，以形成露出半導(dǎo)體襯底的多個(gè)開口；
[0036]在步驟303中，形成具有作為腔室的溝槽圖案的光致抗蝕劑層，其底部寬度大于經(jīng)過蝕刻的氧化物介電層的寬度；
[0037]在步驟304中，以所述圖案化的光致抗蝕劑層為掩膜，蝕刻半導(dǎo)體襯底，以在半導(dǎo)體襯底中形成作為腔室的溝槽；
[0038]在步驟305中，在溝槽中沉積金屬層；
[0039]在步驟306中，去除所述圖案化的光致抗蝕劑層。
[0040][示例性實(shí)施例二]
[0041]接下來，可以通過后續(xù)工藝完成整個(gè)半導(dǎo)體器件的制作，包括:形成圖案化的第三光致抗蝕劑層，僅露出位于溝槽201的底部的金屬層205 ;以第三光致抗蝕劑層為掩膜，蝕刻去除露出的金屬層205 ;采用灰化工藝去除第三光致抗蝕劑層。
[0042][示例性實(shí)施例三]
[0043]本發(fā)明還提供一種電子裝置，其包括根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例二的方法制造的半導(dǎo)體器件。所述電子裝置可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、V⑶、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可以是任何包括所述半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。所述電子裝置，由于使用了所述半導(dǎo)體器件，因而具有更好的性能。
[0044]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有氧化物介電層，在所述氧化物介電層上形成有多個(gè)鍺帽層； 蝕刻所述氧化物介電層，直至露出所述半導(dǎo)體襯底，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的多個(gè)開口 ； 形成具有作為腔室的溝槽圖案的光致抗蝕劑層，所述光致抗蝕劑層的底部寬度大于所述經(jīng)過蝕刻的氧化物介電層的寬度； 以所述圖案化的光致抗蝕劑層為掩膜，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底，以在所述半導(dǎo)體襯底中形成所述溝槽； 在所述溝槽中沉積金屬層； 去除所述圖案化的光致抗蝕劑層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻所述氧化物介電層的工藝步驟包括:在所述氧化物介電層上形成具有所述作為腔室的溝槽圖案的另一光致抗蝕劑層，覆蓋所述鍺帽層；修剪所述圖案化的另一光致抗蝕劑層，以減小所述另一光致抗蝕劑層的關(guān)鍵尺寸；以所述經(jīng)過修剪的另一光致抗蝕劑層為掩膜，蝕刻所述氧化物介電層，以形成露出所述半導(dǎo)體襯底的多個(gè)開口。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述經(jīng)過修剪的另一光致抗蝕劑層的底部寬度大于所述鍺帽層的寬度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述溝槽后，所述光致抗蝕劑層的厚度大于3微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽的深度為20微米-40微米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，沉積所述金屬層之后，還包括采用剝離技術(shù)去除所述光致抗蝕劑層的步驟。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，采用Semitool、ST-44、N2和去離子水的組合完成所述剝離。8.一種采用權(quán)利要求1-7之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。9.一種電子裝置，所述電子裝置包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有氧化物介電層，在氧化物介電層上形成有多個(gè)鍺帽層；蝕刻氧化物介電層，直至露出半導(dǎo)體襯底，以形成露出半導(dǎo)體襯底的多個(gè)開口；形成具有作為腔室的溝槽圖案的光致抗蝕劑層，所述光致抗蝕劑層的底部寬度大于經(jīng)過蝕刻的氧化物介電層的寬度；以所述圖案化的光致抗蝕劑層為掩膜，蝕刻半導(dǎo)體襯底，以在半導(dǎo)體襯底中形成所述溝槽；在所述溝槽中沉積金屬層；去除所述圖案化的光致抗蝕劑層。根據(jù)本發(fā)明，實(shí)施剝離技術(shù)去除所述圖案化的光致抗蝕劑層之后，在作為腔室的所述溝槽的頂端拐角部分不會(huì)出現(xiàn)金屬層的殘留。
【IPC分類】B81C1/00, H01L21/02
【公開號(hào)】CN105575766
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410554510
【發(fā)明人】倪梁, 汪新學(xué)
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2014年10月17日