一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著GaN基發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，簡稱LED)在顯示和照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，LED的市場需求數(shù)量呈現(xiàn)幾何級數(shù)增加，這對LED的生產(chǎn)效率和生產(chǎn)質(zhì)量提出了更高要求。
[0003]為了檢測LED芯片的質(zhì)量，通常由電荷親合元件(Charge-coupled Device，簡稱CCD)獲取待檢測芯片的圖像，由于外延片在圖像中表現(xiàn)為透明圖形，電極在圖像中表現(xiàn)為黑色圖形，因此利用芯片的圖像即可確定LED芯片是否有電極，進(jìn)而確定正常芯片的數(shù)量。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]可見光無法穿透LED芯片中的分布式布拉格反射鏡(distributed Braggreflect1n，簡稱DBR)，帶有DBR的LED芯片在CCD下顯示為全黑圖形，此時(shí)無法利用芯片的圖像確定LED芯片是否有電極，造成正常芯片的計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)無法確定帶有DBR芯片是否有電極、造成計(jì)數(shù)不準(zhǔn)確的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法和裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)裝置，所述計(jì)數(shù)裝置包括:
[0008]光源模塊，用于將紅外光或紫外光照射待檢測的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR;
[0009]取像模塊，用于獲取所述紅外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產(chǎn)生的圖像；
[0010]處理模塊，用于從所述圖像中識別并統(tǒng)計(jì)具有所述電極的發(fā)光二極管芯片。
[0011]可選地，所述處理模塊包括:
[0012]選取單元，用于在所述圖像上選取多個(gè)待測區(qū)域，所述待測區(qū)域的大小與標(biāo)準(zhǔn)圖像相同，所述標(biāo)準(zhǔn)圖像為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像，所述多個(gè)待測區(qū)域的集合覆蓋所述圖像；
[0013]獲取單元，用于獲取各個(gè)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值；
[0014]比較單元，用于比較各個(gè)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值，確定各個(gè)所述待測區(qū)域是否為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。
[0015]具體地，所述比較單元用于，
[0016]當(dāng)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度不小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測區(qū)域?yàn)榫哂兴鲭姌O的發(fā)光二極管芯片的圖像；
[0017]當(dāng)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測區(qū)域不是具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。
[0018]具體地，所述選取單元用于，
[0019]將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動(dòng)，每隔一個(gè)步長停頓一次，將每次停頓時(shí)選擇框中的所述圖像作為所述待測區(qū)域，所述步長為每次滑動(dòng)的距離。
[0020]可選地，所述光源模塊包括:
[0021 ]光源，用于提供所述紅外光或所述紫外光；
[0022]調(diào)整單元，用于調(diào)整所述紅外光或所述紫外光的出射強(qiáng)度。
[0023 ]可選地，所述取像模塊為電荷耦合元件CXD。
[0024]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法，所述計(jì)數(shù)方法包括:
[0025]將紅外光或紫外光照射待檢測的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR;
[0026]獲取紅外光或紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產(chǎn)生的圖像；
[0027]從所述圖像中識別并統(tǒng)計(jì)具有所述電極的發(fā)光二極管芯片。
[0028]可選地，所述從所述圖像中識別并統(tǒng)計(jì)具有所述電極的發(fā)光二極管芯片，包括:
[0029]在所述圖像上選取多個(gè)待測區(qū)域，所述待測區(qū)域的大小與標(biāo)準(zhǔn)圖像相同，所述標(biāo)準(zhǔn)圖像為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像，所述多個(gè)待測區(qū)域的集合覆蓋所述圖像；
[0030]獲取各個(gè)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值；
[0031]比較各個(gè)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值，確定各個(gè)所述待測區(qū)域是否為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。
[0032]具體地，所述比較各個(gè)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值，確定各個(gè)所述待測區(qū)域是否為具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像，包括:
[0033]當(dāng)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度不小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測區(qū)域?yàn)榫哂兴鲭姌O的發(fā)光二極管芯片的圖像；
[0034]當(dāng)所述待測區(qū)域各個(gè)像素的灰度值與所述標(biāo)準(zhǔn)圖像各個(gè)像素的灰度值的相似度小于設(shè)定值時(shí)，判定所述待測區(qū)域不是具有所述電極的發(fā)光二極管芯片的圖像。
[0035]具體地，所述在所述圖像上選取多個(gè)待測區(qū)域，包括:
[0036]將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動(dòng)，每隔一個(gè)步長停頓一次，將每次停頓時(shí)選擇框中的所述圖像作為所述待測區(qū)域，所述步長為每次滑動(dòng)的距離。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0038]通過采用紅外光或紫外光照射待檢測的發(fā)光二極管芯片，紅外光和紫外光能穿透外延片和DBR且不能穿透電極，并獲取紅外光或紫外光穿透外延片和DBR所產(chǎn)生的圖像，從圖像中識別并統(tǒng)計(jì)具有電極的發(fā)光二極管芯片，實(shí)現(xiàn)確定帶有DBR芯片是否有電極，計(jì)數(shù)準(zhǔn)確。
【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041 ]圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的DBR反射率的變化曲線圖；
[0043]圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的發(fā)光二極管芯片的圖像示意圖；
[0044]圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0046]實(shí)施例一
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的計(jì)數(shù)裝置，參見圖1，該計(jì)數(shù)裝置包括:
[0048]光源模塊101，用于將紅外光或紫外光照射待檢測的發(fā)光二極管芯片200，發(fā)光二極管芯片包括外延片、電極、以及DBR;
[0049]取像模塊102，用于獲取紅外光或紫外光穿透外延片和DBR所產(chǎn)生的圖像；
[0050]處理模塊103，用于從圖像中識別并統(tǒng)計(jì)具有電極的發(fā)光二極管芯片。
[0051]在實(shí)際應(yīng)用中，外延片包括襯底、以及依次層疊在襯底的第一表面上的GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN層和GaN層交替形成的多量子阱層、P型GaN層。P型GaN層上設(shè)有從P型GaN層延伸至N型GaN層的凹槽，P型電極設(shè)置在P型GaN層上，N型電極設(shè)置在N型GaN層上。襯底的第二表面設(shè)有DBR，第二表面為與第一表面相反的表面。如圖2所示，I為電極，2為外延片，3為DBR。
[0052]待檢測的發(fā)光二極管芯片、取像模塊102依次位于光源模塊101出射的紅外光或紫外光的光路上，處理模塊103與取像模塊102電連接。具體地，光源模塊101位于第一表面一偵U，向電極所在側(cè)出射紅外光或紫外光;取像模塊102位于第二表面一側(cè)，從DBR所在側(cè)獲取圖像。
[0053]圖3為48層DBR的反射率的示意圖，從圖3可知，DBR對可見光(380?780nm)的反射率較高(80%?100%)，透過率低，CCD只能獲取全黑圖形;DBR對紅外光(700?100nm)和紫外光(280?400nm)的反射率較低(紅外光為25%，紫外光為15%)，紅外光和紫外光可以透過DBR。將紅外光或紫外光照射發(fā)光二極管芯片，能透過外延層和DBR且不能透過電極，獲取的圖像中可以發(fā)光二極管芯片是否具有電極，如圖4所示，圖4中具有黑色圓形和黑色方形的方框表不發(fā)光二極管芯片具有電極，透明方框表不發(fā)光二極管芯片沒有電極。
[0054]可選地，光源模塊101可以包括:
[0055]光源，用于提供紅外光或紫外光；
[0056]調(diào)整單元，用于調(diào)整紅外光或紫外光的出射強(qiáng)度，使取像模塊102可以獲取穩(wěn)定清晰的圖像。
[0057]具體地，光源可以為紅外光源或紫外光源。
[0058]優(yōu)選地，光源可以為LED。
[0059]可選地，取像模塊102可以為(XD。
[0060]可選地，處理模塊103可以包括:
[0061]選取單元，用于在圖像上選取多個(gè)待測區(qū)域，待測區(qū)域的大小與標(biāo)準(zhǔn)圖像相同，標(biāo)準(zhǔn)圖像為具有電極的發(fā)光二極管芯片的圖像，多個(gè)待測區(qū)域的集合覆蓋圖像；
[0062]獲取單元，用于獲取各個(gè)待測區(qū)域各