陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板的PPI(像素密度)逐漸提升，TFT(薄膜晶體管）的 尺寸越來(lái)越小，對(duì)應(yīng)Via ho 1 e (過(guò)孔)尺寸也隨之變小。
[0003] 現(xiàn)有陣列基板的制作工藝中，通常采用PVD(F*hysical Vapor Deposition,物理氣 相沉積)方式在絕緣層的過(guò)孔處沉積導(dǎo)電層，W實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層與位于絕緣層下的導(dǎo)電圖形的 連接，但是該種方式要求過(guò)孔的尺寸不能太小，如果過(guò)孔的尺寸太小，則在過(guò)孔處形成的導(dǎo) 電層與導(dǎo)電圖形之間容易出現(xiàn)接觸不良，導(dǎo)致陣列基板的生產(chǎn)良率因此而降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠優(yōu) 化陣列基板過(guò)孔處的電連接狀況，提高陣列基板的生產(chǎn)良率。
[000引為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：
[0006] -方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0007] 在基板上形成第一導(dǎo)電圖形；
[0008] 在形成有所述第一導(dǎo)電圖形的基板上形成包括有過(guò)孔的絕緣層，所述過(guò)孔處暴露 出至少部分所述第一導(dǎo)電圖形；
[0009] 將形成有所述絕緣層的基板沉浸在金屬鹽溶液中；
[0010] 向所述第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)，使得過(guò)孔處的金屬鹽溶液在接觸到所述第一導(dǎo) 電圖形后，金屬鹽溶液中的金屬離子被還原而沉積在所述過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部。
[0011] 進(jìn)一步地，所述陣列基板上形成有與所述第一導(dǎo)電圖形連接的信號(hào)輸入端，所述 向所述第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)包括：
[0012] 向所述信號(hào)輸入端輸入電信號(hào)。
[0013] 進(jìn)一步地，所述向所述信號(hào)輸入端輸入電信號(hào)包括：
[0014] 將供電結(jié)構(gòu)的探針與所述信號(hào)輸入端連接，向所述信號(hào)輸入端輸入電流，其中，所 述探針未與所述信號(hào)輸入端接觸的部分包裹有隔離層，所述隔離層用于隔絕所述探針與所 述金屬鹽溶液的接觸。
[0015] 進(jìn)一步地，向所述信號(hào)輸入端輸入電流包括：
[0016] 向所述信號(hào)輸入端輸入大小可調(diào)節(jié)的電流，進(jìn)而控制所述過(guò)孔處金屬離子的沉積 速率。
[0017] 進(jìn)一步地，形成所述導(dǎo)電連接部之后，所述方法還包括：
[0018] 在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與過(guò)孔處的所述導(dǎo)電連接 部連接。
[0019] 進(jìn)一步地，所述陣列基板上形成有多個(gè)薄膜晶體管，所述第一導(dǎo)電圖形為薄膜晶 體管的漏極，所述第二導(dǎo)電圖形為像素電極。
[0020]進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形為公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖形為公共電極。
[0021 ]進(jìn)一步地，所述金屬鹽溶液包括銀離子溶液。
[0022] 進(jìn)一步地，所述銀鹽溶液為銀氨溶液或銀離子的馨合物溶液。
[0023] 進(jìn)一步地，所述銀鹽溶液中，銀離子的濃度為0.05mol/L~Imol/L。
[0024] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，為采用上述的制作方法制作得到，所述陣 列基板上形成有包括有過(guò)孔的絕緣層，所述過(guò)孔處形成有與第一導(dǎo)電圖形連接的導(dǎo)電連接 部。
[0025] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0026] 本發(fā)明的實(shí)施例具有W下有益效果：
[0027] 上述方案中，將形成有絕緣層的陣列基板沉浸在金屬鹽溶液中，對(duì)絕緣層的過(guò)孔 處暴露的第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)，過(guò)孔處的金屬鹽溶液在接觸到第一導(dǎo)電圖形后，能夠 使得金屬鹽溶液中的金屬離子被還原而沉積在過(guò)孔處，在過(guò)孔處形成與第一導(dǎo)電圖形連接 的導(dǎo)電連接部。本發(fā)明的技術(shù)方案不存在第一導(dǎo)電圖形與導(dǎo)電連接部接觸不良的問(wèn)題，能 夠提高陣列基板的生產(chǎn)良率;并且本發(fā)明的技術(shù)方案對(duì)過(guò)孔的尺寸沒(méi)有要求，能夠在很小 尺寸的過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部，進(jìn)而可W將過(guò)孔的尺寸設(shè)置的比較小，從而提高陣列基板 的開(kāi)口率。
【附圖說(shuō)明】
[0028] 圖1為陣列基板的平面示意圖；
[0029] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)供電結(jié)構(gòu)向信號(hào)輸入端輸入電流的示意圖；
[0030] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例在過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部后的示意圖；
[0031 ]圖4為本發(fā)明實(shí)施例形成公共電極后的示意圖。
[0032] 附圖標(biāo)記
[0033] 1基板 11信號(hào)輸入端 13探針 14隔離層
[0034] 2柵絕緣層 3純化層 4柵極 5像素電極
[0035] 6公共電極線 7源漏金屬層 8導(dǎo)電連接部 9公共電極
【具體實(shí)施方式】
[0036] 為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合 附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037] 本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中采用PVD方式在絕緣層的過(guò)孔處沉積導(dǎo)電層，容 易出現(xiàn)接觸不良，導(dǎo)致陣列基板的生產(chǎn)良率因此而降低的問(wèn)題，提供一種陣列基板及其制 作方法、顯示裝置，能夠優(yōu)化陣列基板過(guò)孔處的電連接狀況，提高陣列基板的生產(chǎn)良率。
[003引實(shí)施例一
[0039] 本實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0040] 在基板上形成第一導(dǎo)電圖形；
[0041] 在形成有所述第一導(dǎo)電圖形的基板上形成包括有過(guò)孔的絕緣層，所述過(guò)孔處暴露 出至少部分所述第一導(dǎo)電圖形；
[0042] 將形成有所述絕緣層的基板沉浸在金屬鹽溶液中；
[0043] 向所述第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)，使得過(guò)孔處的金屬鹽溶液在接觸到所述第一導(dǎo) 電圖形后，金屬鹽溶液中的金屬離子被還原而沉積在所述過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部。
[0044] 本實(shí)施例中，將形成有絕緣層的陣列基板沉浸在金屬鹽溶液中，對(duì)絕緣層的過(guò)孔 處暴露的第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)，過(guò)孔處的金屬鹽溶液在接觸到第一導(dǎo)電圖形后，能夠 使得金屬鹽溶液中的金屬離子被還原而沉積在過(guò)孔處，在過(guò)孔處形成與第一導(dǎo)電圖形連接 的導(dǎo)電連接部。本發(fā)明的技術(shù)方案不存在第一導(dǎo)電圖形與導(dǎo)電連接部接觸不良的問(wèn)題，能 夠提高陣列基板的生產(chǎn)良率;并且本發(fā)明的技術(shù)方案對(duì)過(guò)孔的尺寸沒(méi)有要求，能夠在很小 尺寸的過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部，進(jìn)而可W將過(guò)孔的尺寸設(shè)置的比較小，從而提高陣列基板 的開(kāi)口率。
[004引進(jìn)一步地，所述陣列基板上形成有與所述第一導(dǎo)電圖形連接的信號(hào)輸入端，所述 向所述第一導(dǎo)電圖形輸入電信號(hào)包括：
[0046] 向所述信號(hào)輸入端輸入電信號(hào)。
[0047] 具體實(shí)施例中，所述向所述信號(hào)輸入端輸入電信號(hào)包括：
[0048] 將供電結(jié)構(gòu)的探針與所述信號(hào)輸入端連接，向所述信號(hào)輸入端輸入電流，其中，所 述探針未與所述信號(hào)輸入端接觸的部分包裹有隔離層，所述隔離層用于隔絕所述探針與所 述金屬鹽溶液的接觸，避免對(duì)過(guò)孔處的金屬沉積造成影響。
[0049] 進(jìn)一步地，向所述信號(hào)輸入端輸入電流包括：
[0050] 向所述信號(hào)輸入端輸入大小可調(diào)節(jié)的電流，進(jìn)而控制所述過(guò)孔處金屬離子的沉積 速率。運(yùn)樣可W通過(guò)調(diào)節(jié)電流的大小，調(diào)節(jié)過(guò)孔處金屬離子的沉積速率。
[0051] 進(jìn)一步地，形成所述導(dǎo)電連接部之后，所述方法還包括：
[0052] 在所述絕緣層上形成第二導(dǎo)電圖形，所述第二導(dǎo)電圖形與過(guò)孔處的所述導(dǎo)電連接 部連接，進(jìn)而通過(guò)導(dǎo)電連接部實(shí)現(xiàn)與第一導(dǎo)電圖形的電連接。
[0053] 具體實(shí)施例中，所述陣列基板上形成有多個(gè)薄膜晶體管，所述第一導(dǎo)電圖形為薄 膜晶體管的漏極，所述第二導(dǎo)電圖形為像素電極。
[0054] 另一具體實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電圖形為公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖形為公共 電極。
[0055] 進(jìn)一步地，所述金屬鹽溶液包括銀離子溶液。
[0056] 具體實(shí)施例中，金屬鹽溶液為包括有銀離子的銀鹽溶液。運(yùn)樣能夠在過(guò)孔處形成 銀制成的導(dǎo)電連接部，具有良好的導(dǎo)電性能。
[0057] 具體實(shí)施例中，銀鹽溶液為銀氨溶液或銀離子的馨合物溶液。
[0058] 優(yōu)選實(shí)施例中，銀鹽溶液中，銀離子的濃度為0.05mol/L~Imol/L。
[0059] 實(shí)施例二
[0060] 本實(shí)施例提供了一種陣列基板，為采用上述的制作方法制作得到，所述陣列基板 上形成有包括有過(guò)孔的絕緣層，所述過(guò)孔處形成有與第一導(dǎo)電圖形連接的導(dǎo)電連接部。
[0061] 本實(shí)施例的技術(shù)方案不存在第一導(dǎo)電圖形與導(dǎo)電連接部接觸不良的問(wèn)題，能夠提 高陣列基板的生產(chǎn)良率;并且本實(shí)施例的技術(shù)方案對(duì)過(guò)孔的尺寸沒(méi)有要求，能夠在很小尺 寸的過(guò)孔處形成導(dǎo)電連接部，進(jìn)而可W將過(guò)孔的尺寸設(shè)置的比較小，從而提高陣列基板的 開(kāi)口率。
[0062] 實(shí)施例S
[0063] 本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。所述顯示裝置可W為： 液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其 中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。
[0064] 實(shí)施例四
[0065] 下面W第一導(dǎo)電圖形為公共電極線、第二導(dǎo)電圖形為公共電極為例，對(duì)本發(fā)明的 技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步介紹。
[0066] 本實(shí)施例的陣列基板的制作方法具體包括W下步驟：
[0067] 步驟1:提供一襯底基板1，在襯底基板1上形成柵極4和公共電極線6的圖形；
[0068] 提供一襯底基板