具有弱電流通路的半導(dǎo)體元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別為當(dāng)柵極處于弱電壓范圍時，其中一第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)可提供一弱電流通路的半導(dǎo)體元件。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1A-1B所示的現(xiàn)有半導(dǎo)體元件10具有雙表面電場縮減(Double Resurf)的場效晶體管的結(jié)構(gòu)，其中圖1B為根據(jù)圖1A中剖切線AA’的剖面圖。半導(dǎo)體元件10包含一基板SUB，其上設(shè)置一第一導(dǎo)電型井區(qū)NW，而第一導(dǎo)電型井區(qū)NW上從圖1B自左至右，分別具有一第二導(dǎo)電型本體區(qū)PB0DY、一源極S、一絕緣層F0X、以及一漏極D，絕緣層FOX下方具有一第二導(dǎo)電型井區(qū)ΡΤ0Ρ。半導(dǎo)體元件10又包含一柵極G，設(shè)置于基板SUB之上，其一部分位于柵極氧化層GOX上方、另一部分位于絕緣層FOX —部分的上方。
[0003]連接于柵極G的電壓可控制源極S與漏極D間的電流導(dǎo)通狀態(tài)，源極S與漏極D間的電流方向如圖1B所示，電流沿著一電流通路Ch前進。因雙表面電場縮減的效果，電流通路Ch具有較長的通路，因此適合于高壓操作。但當(dāng)柵極G的控制電壓處于弱電壓(低電壓)范圍時，導(dǎo)通電阻也因此而相對較高，且在弱電壓時易發(fā)生操作錯誤，例如應(yīng)為導(dǎo)通卻不能導(dǎo)通。因此，半導(dǎo)體元件10的設(shè)計雖可具有較佳的高壓操作特性，但在弱電壓范圍內(nèi)卻造成不必要的耗能以及操作精確度降低。
[0004]因此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種半導(dǎo)體元件，當(dāng)柵極處于弱電壓范圍時，其中一第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)可提供一弱電流通路，避免在弱電壓范圍內(nèi)造成不必要的耗能以及操作精確度的降低。
[0006]為達上述目的，就其中一個觀點，本發(fā)明提供一種具有弱電流通路的半導(dǎo)體元件，其中包含:一基板；一第一導(dǎo)電型井區(qū)，設(shè)置于該基板上，該第一導(dǎo)電型井區(qū)內(nèi)形成一源極、一第二導(dǎo)電型井區(qū)、以及一漏極；多個絕緣層與多個第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)，沿一第一方向彼此交錯設(shè)置于該第二導(dǎo)電型井區(qū)上方，該多個絕緣層與該多個第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)沿一第二方向分別具有一第一端與一第二端，該第一端接近于該源極而該第二端接近于該漏極，其中該第一方向和該第二方向相交；以及一柵極，靠近該多個絕緣層的第一端，該柵極一部分位于該第一導(dǎo)電型井區(qū)上的一柵極氧化層上方、另一部分位于各該多個絕緣層的一部分的上方；其中，該多個第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)提供該源極與該漏極之間一弱電流通路。
[0007]—實施例中，當(dāng)該柵極于一相對較弱電壓范圍時，該弱電流通路導(dǎo)通；當(dāng)該柵極于一相對較強電壓范圍時，該弱電流通路不導(dǎo)通。
[0008]一實施例中，該第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)的第一端并未緊接該柵極較靠近的一側(cè)，其間留有距離。
[0009]一實施例中，該第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)的第二端緊接該漏極。
[0010]—實施例中，該第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)的第二端并未緊接該漏極較靠近的一側(cè)，其間留有距離。
[0011]下面通過具體實施例詳加說明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點及其所達成的功效。
【附圖說明】
[0012]圖1A、1B顯示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件；
[0013]圖2A、2B、2C顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體元件示意圖；
[0014]圖3A、3B顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體元件示意圖。
[0015]圖中符號說明
[0016]10、20、30半導(dǎo)體元件
[0017]AA’、BB’、CC’、DD’剖切線
[0018]Ch電流通路
[0019]Chl強電流通路
[0020]Ch2弱電流通路
[0021]D漏極
[0022]FOX絕緣層
[0023]FSl第一端
[0024]FS2第二端
[0025]G柵極
[0026]GOX柵極氧化層
[0027]ND第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)
[0028]NSl第一端
[0029]NS2第二端
[0030]NW第一導(dǎo)電型井區(qū)
[0031]PTOP第二導(dǎo)電型井區(qū)
[0032]PBODY第二導(dǎo)電型本體區(qū)
[0033]S源極
[0034]SUB基板
[0035]X位置線
【具體實施方式】
[0036]有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點與功效，在以下配合參考圖式的一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。本發(fā)明中的圖式均屬示意，主要意在表示各區(qū)域之間的位置相對關(guān)系，至于形狀、厚度與寬度則并未依照比例繪制。
[0037]圖2A-2C顯示本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件20，其中圖2A為俯視圖、圖2B為根據(jù)圖2A中剖切線BB’的剖面圖、圖2C為根據(jù)圖2A中剖切線CC’的剖面圖。與圖1A-1B的現(xiàn)有技術(shù)相較，其中主要的差異為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體元件10的絕緣層FOX為一連續(xù)結(jié)構(gòu)，而半導(dǎo)體元件20的各絕緣層FOXl之間分別設(shè)置第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)ND。參照圖2A-2C，半導(dǎo)體元件20包含:一基板SUB ;—第一導(dǎo)電型井區(qū)NW，設(shè)置于基板SUB上，第一導(dǎo)電型井區(qū)NW中形成一源極S、一第二導(dǎo)電型井區(qū)PTOP、以及一漏極D ;多個絕緣層FOXl與多個第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)ND，沿第一方向(本實施例中的軸向)彼此相鄰、交錯、且設(shè)置于第二導(dǎo)電型井區(qū)PTOP上方，其中絕緣層FOXl沿第二方向(本實施例中的徑向)分別具有一第一端FSl與一第二端FS2,且第一導(dǎo)電型淺摻雜區(qū)ND沿該第二方向分別具有一第一端NSl與一第二端NS2，第一端FSl、NSl接近于源極S，而第二端FS2、NS2接近于漏極D ；以及一柵極G，靠近絕緣層FOXl的第一端FSl，柵極G —部分位于第一導(dǎo)電型井區(qū)NW上的一柵極氧化層GOX上方、另一部分位于絕緣層FOX—部分的上方，其中該第一方向和該第二方向相交。
[0038]如圖2B、2C所示，源極S與漏極D間具有一強電流通路Chl與一弱電流通路Ch2。當(dāng)柵極G處于較高電壓范圍(例如為半導(dǎo)體元件20設(shè)計