]圖6是本發(fā)明實施例1一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中在硅基體前表面制備SiNx鈍化減反膜和在硅基體背表面制備SiNx鈍化膜的示意圖；
[0038]圖7是本發(fā)明施例2—種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中在硅基體前表面制備Al203/SiNx鈍化減反膜和在硅基體背表面制備SiNx鈍化膜的示意圖；
[0039]圖8是本發(fā)明施例3—種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中在硅基體前表面制備Si02/Al203/SiNx鈍化減反膜和在硅基體背表面制備Si02/SiNx鈍化膜的示意圖；
[0040]圖9是本發(fā)明實施例1一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中通過絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)的工藝實現(xiàn)P+摻雜的發(fā)射極和η+摻雜的基極歐姆接觸并完成N型雙面電池制作的示意圖；
[0041 ]圖10是本發(fā)明實施例2—種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中通過絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)的工藝實現(xiàn)P+摻雜的發(fā)射極和η+摻雜的基極歐姆接觸并完成N型雙面電池制作的示意圖；
[0042]圖11是本發(fā)明實施例2—種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法中通過絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)的工藝實現(xiàn)P+摻雜的發(fā)射極和η+摻雜的基極歐姆接觸并完成N型雙面電池制作的示意圖。
[0043]1、N型單晶硅基體；2、BSG膜；3、PSG膜；4、ρ+摻雜的發(fā)射極；5、η+摻雜的基極；6、Si〇2介質(zhì)膜;7、SiNx介質(zhì)膜;8、Ah03介質(zhì)膜;9、ρ+電極；10、η+電極。
【具體實施方式】
[0044]下面將結(jié)合實施例以及附圖對本發(fā)明加以詳細說明，需要指出的是，所描述的實施例僅旨在便于對本發(fā)明的理解，而對其不起任何限定作用。
[0045]實施例1
[0046]參見圖1至圖6以及圖9所示，本實施例提供的一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0047](I)、選擇N型晶體硅基體，并對N型晶體硅基體的前表面作制絨處理;本實施例中，如圖1所不，所選用的N型晶體娃基體為有〈100〉晶向的N型單晶娃基體I，本實施例的N型單晶硅基體I是N型CZ單晶硅基體(按照直拉生長的方法得到的單晶硅)，Ν型單晶硅基體I的電阻率為0.5?15Ω.cm;N型單晶娃基體I的厚度為50?300μηι，優(yōu)選80?200μπι;制絨處理的具體方式為:將該N型單晶硅基體I置于堿性水溶液中進行表面腐蝕以形成金字塔小絨面，堿性水溶液優(yōu)選為氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液，制絨后的N型單晶硅基體I用質(zhì)量濃度為5?10%的鹽酸浸泡I?3分鐘，優(yōu)選2分鐘，再用去離子水將N型單晶硅基體I漂洗干凈，進行下一步驟。
[0048](2)、如圖2所示，將步驟(I)處理后的N型單晶硅基體I放入工業(yè)用APCVD(常壓化學(xué)氣相沉積)設(shè)備中，在N型晶體硅基體的前表面沉積摻硼的S12膜，形成BSG膜2(硼硅玻璃)，所使用的硼源優(yōu)選為氣態(tài)的B2H6,沉積膜所用環(huán)境氣體為SiH4和02，所沉積的BSG膜2的厚度優(yōu)選為大于50nmo
[0049](3)、如圖3所示，將N型單晶硅基體I放入工業(yè)用APCVD設(shè)備中，在N型單晶硅基體I的背表面沉積摻磷的S12膜，形成PSG膜3(磷硅玻璃)，所使用的磷源優(yōu)選為氣態(tài)的PH3,沉積膜所使用的環(huán)境氣體為SiH4和O2，沉積的PSG膜3的厚度優(yōu)選為大于50nm。
[0050](4)、如圖4所示，將同時沉積有BSG膜2和PSG膜3的N型單晶硅基體I放入退火爐(本實施例優(yōu)選管式的退火爐)中進行退火處理，退火的峰值溫度優(yōu)選為700?1100°C，優(yōu)選為900?1000°C，退火時間為30?200min，優(yōu)選為60?200min，環(huán)境氣源優(yōu)選為N2和02，退火處理使得要摻雜的硼雜質(zhì)和磷雜質(zhì)分別從BSG膜2和PSG膜3中擴散到N型單晶硅基體I中，從而在N型單晶硅基體I的前表面形成ρ+摻雜的發(fā)射極4，在N型單晶硅基體I的背表面形成η+摻雜的基極5。
[0051](5)、如圖5所示，將退火后的N型單晶硅基體I置于HF溶液中，用于去除硅基體前后表面的BSG膜2和PSG膜3，然后按照RCA標準清洗法的清洗流程對硅片進行清洗。
[0052](6)、如圖6所示，在清洗后的N型單晶硅基體I的前表面用PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積法)的方式沉積一層SiNx介質(zhì)膜7，SiNx介質(zhì)膜7的厚度優(yōu)選為60?lOOnm，在N型單晶硅基體I的背表面同樣采用PECVD方式沉積一層SiNx介質(zhì)膜7，SiNx介質(zhì)膜7的厚度優(yōu)選為30?80nm，N型單晶硅基體I前表面的SiNx介質(zhì)膜7的作用為實現(xiàn)N型單晶硅基體I前表面的鈍化和光的減反射，N型單晶硅基體I背表面的SiNx介質(zhì)膜的作用為實現(xiàn)N型單晶硅基體I背表面的鈍化。
[0053](7)、如圖9所示，通過絲網(wǎng)印刷工藝和共燒結(jié)工藝在N型單晶硅基體I的前表面實現(xiàn)與P+摻雜的發(fā)射極歐姆接觸的P+電極9，P+電極9包括金屬細柵線和金屬主柵線;在N型單晶硅基體I的背表面實現(xiàn)與η+摻雜的基極歐姆接觸的N+電極10，N+電極10也包括金屬細柵線和金屬主柵線，完成N型雙面電池的制作。
[0054]本實施例中通過絲網(wǎng)印刷和共燒結(jié)的方式制作金屬電極并與ρ+摻雜的發(fā)射極和η+摻雜的基極形成歐姆接觸，與P+摻雜的發(fā)射極相歐姆接觸的金屬電極為正極金屬電極，其包括相垂直設(shè)置的正極金屬細柵線和正極金屬主柵線。與η+摻雜的基極相歐姆接觸的金屬電極為負極金屬電極，其包括負極金屬細柵線和負極金屬主柵線，這兩種金屬電極通過絲網(wǎng)印刷的方式分別印刷在鍍膜后的N型單晶硅基體I前后表面，印刷結(jié)束后經(jīng)一次燒結(jié)形成歐姆接觸，制備工藝簡單。
[0055]參見圖9所示，本實施例還提供了一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的前表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜的發(fā)射極4、鈍化減反膜和與P+摻雜的發(fā)射極4歐姆接觸的P+電極9;Ν型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的η+摻雜的基極5、鈍化膜和與η+摻雜的基極5歐姆接觸的N+電極10 ;ρ+摻雜的發(fā)射極4和η+摻雜的基極5利用APCVD技術(shù)分別沉積一層摻硼的S12和摻磷的S12,然后退火處理的方式制備。本實施例中鈍化減反膜是單層的SiNx介質(zhì)膜7，鈍化減反膜的厚度為70?llOnm，優(yōu)選30?IlOnm;鈍化膜是單層的SiNx介質(zhì)膜7，鈍化膜的厚度大于或者等于20nm。優(yōu)選地，N型晶體硅基體前表面的SiNx介質(zhì)膜7的厚度為60nm?100nm，N型晶體硅基體背表面的SiNx介質(zhì)膜7厚度大于或者等于20nmo
[0056]本實施例提供的一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法，利用APCVD設(shè)備沉積BSG膜2和PSG膜3的方式來實現(xiàn)發(fā)射極和基極的摻雜，不僅可以省去掩膜的工藝，而且也不需要邊緣刻蝕，工藝流程簡單可靠，降低了生產(chǎn)成本。僅需要一步高溫退火處理就可以實現(xiàn)發(fā)射極和基極的同時摻雜，因此對N型硅片的高溫破壞影響較小，從而可以有效提高產(chǎn)品良率。制備得到的基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池發(fā)電效率高、性能穩(wěn)定。
[0057]實施例2
[0058]參見圖1至圖5、圖7以及圖10所示，本實施例提供的一種基于APCVD技術(shù)的N型雙面太陽能電池的制備方法，包括如下步驟:
[0059](I)、選擇N型晶體硅基體，并對N型晶體硅基體的前表面作制絨處理;本實施例中，如圖1所不，所選用的N型晶體娃基體為有〈100〉晶向的N型單晶娃基體I，本實施例的N型單晶硅基體I是N型CZ單晶硅基體(按照直拉生長的方法得到的單晶硅)，N型單晶硅基體I的電阻率為0.5?15Ω.cm;N型單晶娃基體I的厚度為50?300μηι，優(yōu)選80?200μπι;制絨處理的具體方式為:將該N型單晶硅基體I置于堿性水溶液中進行表面腐蝕以形成金字塔小絨面，堿性水溶液優(yōu)選為氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液，制絨后的N型單晶硅基體I用質(zhì)量濃度為5?10%的鹽酸浸泡I?3分鐘，優(yōu)選2分鐘，再用去離子水將N型單晶硅基體I漂洗干凈，進行下一步驟。
[0060](2)、如圖3所示，將N型單晶硅基體I放入工業(yè)用APCVD設(shè)備中，在N型單晶硅基體I的背表面沉積摻磷的S12膜，形成PSG膜3(磷硅玻璃)，所使用的磷源優(yōu)選為氣態(tài)的PH3,沉積膜所使用的環(huán)境氣體為SiH4和O2，沉積的PSG膜3的厚度優(yōu)選為大于50nm。
[0061](3)、如圖2所示，將步驟(I)處理后的N型單晶硅基體I放入工業(yè)用APCVD(常壓化學(xué)氣相沉積)設(shè)備中，在N型晶體硅基體的前表面沉積摻硼的S12膜，形成BSG膜2(硼硅玻璃)，所使用的硼源優(yōu)選為氣態(tài)的B2H6,沉積膜所用環(huán)境氣體為SiH4和02，