驟如下：
[0050] (1)旋涂光刻膠
[0051] 在外延片表面旋涂厚度為1000 OA正性光刻膠形成光刻膠層;烘烤去除光刻膠中的 溶劑，在烘箱內(nèi)100 °c下烘烤20min;
[0052] (2)-次光刻圖形
[0053] 利用第一塊光刻掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0054] 所述第一光刻掩膜版上設(shè)置有多條相互平行、且一端對(duì)齊的第一圖形刻度；
[0055] 然后通過顯影移除曝光部分的光刻膠在所述外延片上光刻出所需要的圖形光刻 膠W及第一圖形刻度；
[0056] (3)二次光刻圖形
[0057] 利用第二塊光刻掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光；
[005引所述第二光刻掩膜版上設(shè)置有多條相互平行、且一端對(duì)齊的第二圖形刻度;該第 二圖形刻度與第一圖形刻度呈對(duì)稱設(shè)置；
[0059] 根據(jù)需要光刻出窄條脊形的線寬尺寸化m，在外延片上面找到第一次光刻制備的 第一圖形刻度3WI1，在所述第二塊光刻掩模版上找到第二圖形刻度3WI1，然后將第二圖形刻 度3WI1和第一圖形刻度3WI1重合對(duì)齊，然后曝光通過顯影移除曝光部分的光刻膠，然后將外 延片在烘箱內(nèi)90°C-ll(rC下烘烤15-30min或者熱板90°C-ll(rC烘烤l-4min;
[0060] (4)濕法腐蝕
[0061 ] 采用濕法腐蝕方法將沒有光刻膠掩蔽的外延層表面腐蝕到目標(biāo)深度后予W移除， W在所述外延片上得到所述線寬尺寸的窄條脊形結(jié)構(gòu)；
[0062] (5)生長(zhǎng)電流阻擋層
[0063] 在所述外延片表面上利用陽CVD生長(zhǎng)電流阻擋層，厚度為10腑A-1煎(地；
[0064] (6)剝離光刻膠
[0065] 剝離掉有光刻膠位置處的電流阻擋層，形成電流注入窗口，并使電流阻擋層均勻 地覆蓋在窄條脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面。
[0066] 所述第一圖形刻度按照長(zhǎng)短順序依次排列、所述第二圖形刻度按照長(zhǎng)短順序依次 排列。
[0067] 在上述步驟(6)后，還包括步驟(7):將剝離電流阻擋層W后的外延片進(jìn)行W下工 步處理，包括:P面電極蒸鍛、減薄、N面電極蒸鍛、合金和封裝。
[0068] 所述的第一塊光刻掩膜版中的圖形寬度為：15-100wii;所述的第二塊光刻掩膜版 中的圖形寬度為:15-100wii。
[0069] 所述的第一塊光刻掩膜版上第一圖形刻度的范圍：1-1化m;所述的第二塊光刻掩 膜版上第二圖形刻度的范圍：1-10皿。
[0070] 所述步驟(4)中所述濕法腐蝕方法，是利用分析純的憐酸、雙氧水、去離子水的混 合液，W及飽和漠水分別將沒有光刻膠掩蔽的外延片腐蝕目標(biāo)深度。
[0071] 所述分析純的憐酸、雙氧水、去離子水的混合液中，所有組分的體積比為，分析純 的憐酸:雙氧水:去離子水=1:1: 4。
[0072] 將沒有光刻膠掩蔽的外延片腐蝕目標(biāo)深度為7000-9000埃。
[0073] 步驟(5)中所述的電流阻擋層為Si化。
[0074] 實(shí)施例2、
[0075] -種利用如實(shí)施例1所述方法制備的GaAs基激光器，包括生長(zhǎng)有外延材料層的外 延片，在外延片表面腐蝕出窄條脊形結(jié)構(gòu)，電流阻擋層覆蓋所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面，在 所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的頂部設(shè)置有電流注入窗口，所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的寬度:3mi。
[0076] 實(shí)施例3、
[0077] 如實(shí)施例1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其區(qū)別在于，所述步驟 (1)中，在外延片表面旋涂厚度為12000A正性光刻膠形成光刻膠層;烘烤去除光刻膠中的溶 劑，在熱板98°C烘烤2min。
[0078] 步驟(3)利用第二塊光刻掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光；
[0079] 所述第二光刻掩膜版上設(shè)置有多條相互平行、且一端對(duì)齊的第二圖形刻度;該第 二圖形刻度與第一圖形刻度呈對(duì)稱設(shè)置；
[0080] 根據(jù)需要光刻出窄條脊形的線寬尺寸扣m，在外延片上面找到第一次光刻制備的 第一圖形刻度扣m，在所述第二塊光刻掩模版上找到第二圖形刻度扣m，然后將第二圖形刻 度扣m和第一圖形刻度扣m重合對(duì)齊，然后曝光通過顯影移除曝光部分的光刻膠，然后將外 延片在烘箱內(nèi)90°C-110°C下烘烤15-30min或者熱板90°C-110°C烘烤l-4min。
[0081 ] 實(shí)施例4、
[0082] 如實(shí)施例3所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其區(qū)別在于，所述步驟 (1)中，在外延片表面旋涂厚度為巧舶OA正性光刻膠形成光刻膠層;烘烤去除光刻膠中的溶 劑，在熱板l〇5°C烘烤Imin。
[0083] 實(shí)施例5、
[0084] 一種利用如實(shí)施例3、4所述方法制備的GaAs基激光器，包括生長(zhǎng)有外延材料層的 外延片，在外延片表面腐蝕出窄條脊形結(jié)構(gòu)，電流阻擋層覆蓋所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面， 在所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的頂部設(shè)置有電流注入窗口，所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的寬度:5wii。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟如下： (1) 旋涂光刻膠 在外延片表面旋涂正性光刻膠形成光刻膠層； (2) -次光刻圖形 利用第一塊光刻掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光； 所述第一光刻掩膜版上設(shè)置有多條相互平行、且一端對(duì)齊的第一圖形刻度； 然后通過顯影移除曝光部分的光刻膠在所述外延片上光刻出所需要的圖形光刻膠W 及第一圖形刻度； (3) 二次光刻圖形 利用第二塊光刻掩模版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光； 所述第二光刻掩膜版上設(shè)置有多條相互平行、且一端對(duì)齊的第二圖形刻度;該第二圖 形刻度與第一圖形刻度呈對(duì)稱設(shè)置； 根據(jù)需要光刻出窄條脊形的線寬尺寸，在外延片上面找到第一次光刻制備的第一圖形 刻度，在所述第二塊光刻掩模版上找到第二圖形刻度，然后將第二塊光刻掩模版上面所選 尺寸的圖形與外延片上面第一次光刻出的相對(duì)應(yīng)的尺寸圖形重合對(duì)齊，然后曝光通過顯影 移除曝光部分的光刻膠，然后將外延片在烘箱內(nèi)90°C-ll(rC下烘烤15-30min或者熱板90 °C-110°C 烘烤 l-4min; (4) 濕法腐蝕 采用濕法腐蝕方法將沒有光刻膠掩蔽的外延層表面腐蝕到目標(biāo)深度后予W移除，W在 所述外延片上得到所述線寬尺寸的窄條脊形結(jié)構(gòu)； (5) 生長(zhǎng)電流阻擋層 在所述外延片表面上利用陽CVD生長(zhǎng)電流阻擋層，厚度為1朋始-巧朋A; (6) 剝離光刻膠 剝離掉有光刻膠位置處的電流阻擋層，形成電流注入窗口，并使電流阻擋層均勻地覆 蓋在窄條脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述第 一圖形刻度按照長(zhǎng)短順序依次排列、所述第二圖形刻度按照長(zhǎng)短順序依次排列。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，在上述 步驟(6)后，還包括步驟(7):將剝離電流阻擋層W后的外延片進(jìn)行W下工步處理，包括:P面 電極蒸鍛、減薄、N面電極蒸鍛、合金和封裝。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述步 驟(1)中所述光刻膠層的厚度為1Q0抓A-13000A。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述的 第一塊光刻掩膜版中的圖形寬度為：15-100μπι;所述的第二塊光刻掩膜版中的圖形寬度為： 15-100μπι〇6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述的 第一塊光刻掩膜版上第一圖形刻度的范圍所述的第二塊光刻掩膜版上第二圖形 刻度的范圍：1-10皿。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述步 驟(4)中所述濕法腐蝕方法，是利用分析純的憐酸、雙氧水、去離子水的混合液，W及飽和漠 水分別將沒有光刻膠掩蔽的外延片腐蝕目標(biāo)深度。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，所述分 析純的憐酸、雙氧水、去離子水的混合液中，所有組分的體積比為，分析純的憐酸:雙氧水： 去離子水= 1:1:(3~4)。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，其特征在于，將沒有 光刻膠掩蔽的外延片腐蝕目標(biāo)深度為7000-9000埃;步驟(5)中所述的電流阻擋層為Si化。10. -種利用如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述方法制備的GaAs基激光器，其特征在于，該 激光器包括生長(zhǎng)有外延材料層的外延片，在外延片表面腐蝕出窄條脊形結(jié)構(gòu)，電流阻擋層 覆蓋所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)面，在所述窄條脊形結(jié)構(gòu)的頂部設(shè)置有電流注入窗口，所述 窄條脊形結(jié)構(gòu)的寬度范圍：1-lOwii。
【專利摘要】一種窄條脊形GaAs基激光器的制備方法，包括：首先在外延片的表面使用第一塊光刻掩膜版光刻出一定寬度的圖形光刻膠，其中在外延片表面的特定區(qū)域上面光刻出一定的圖形刻度，然后使用第二塊光刻掩膜版，利用光刻掩膜版特定區(qū)域上面的圖形刻度和外延片表面一次光刻制備出圖形刻度相對(duì)應(yīng)，光刻出符合尺寸要求的圖形，最后經(jīng)過腐蝕、生長(zhǎng)電極、減薄、合金、封裝等工步形成激光器。采用本發(fā)明的方法，一方面可以不使用昂貴的設(shè)備就可以實(shí)現(xiàn)小尺寸圖形的光刻，同時(shí)掩模光刻膠還可以作為掩蔽膜進(jìn)行外延片圖形的腐蝕；另外，可以不采用套刻的方式使電流阻擋層覆蓋到脊條圖形的側(cè)面，有利于發(fā)光效率和輸出光功率的改善，可有效的提高了激光器的性能。
【IPC分類】H01S5/00, H01L21/027, H01S5/22, G03F7/20
【公開號(hào)】CN105576498
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610118763
【發(fā)明人】王金翠, 蘇建, 徐現(xiàn)剛
【申請(qǐng)人】山東華光光電子股份有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2016年3月2日