有機發(fā)光器件和包括有機發(fā)光器件的顯示單元的制作方法
【專利說明】
[00011 本申請是申請?zhí)枮?01210080412.1、申請日為2012年03月23日、申請人為索尼公 司、發(fā)明名稱為"有機發(fā)光器件和包括有機發(fā)光器件的顯示單元"的發(fā)明專利申請的分案申 請。
技術領域
[0002] 本發(fā)明涉及具有絕緣膜作為有機層下器件隔離膜的有機發(fā)光器件以及包括該有 機發(fā)光器件的顯示單元。
【背景技術】
[0003] 近年來，作為一種平板顯示器，采用有機發(fā)光器件的有機發(fā)光顯示器已經(jīng)引起人 們的重視。因為有機發(fā)光顯示器不需要背光，所以其厚度和重量可得到減小。此外，因為有 機發(fā)光顯示器是自照明型顯示器，所以視角很寬，并且功耗很低。此外，有機發(fā)光顯示器被 看作對高清晰度和高速視頻信號具有足夠響應的顯示器。因此，有機發(fā)光顯示器的開發(fā)已 經(jīng)朝著將其實際應用的方向推進。
[0004] 作為有機發(fā)光器件的構(gòu)造，例如，已知這樣的構(gòu)造，其中第一電極、包括發(fā)光層的 有機層以及第二電極按順序形成在基板之上，其間具有TFT(薄膜晶體管)和平坦化層等(例 如，日本未審查專利申請公開No.2001-110575)。在第一電極的邊緣上，設置絕緣膜(器件隔 離膜）以保證第一電極和第二電極之間的絕緣(例如，日本未審查專利申請公開No . 2009-4347和No. 2001-175200)。為了防止由于具有極小膜厚度的有機層和第二電極的斷開引起 的器件特性退化，絕緣膜設置成適當?shù)臐u縮形狀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 然而，在采用前述的適當漸縮形狀的絕緣膜的情況下，絕緣膜廣泛地覆蓋第一電 極，導致降低開口比的缺點。特別是，在這樣的絕緣膜應用于小型高清晰度顯示單元的情況 下，這樣的缺點具有較大的影響。
[0006] 希望的是提供能夠防止有機層和第二電極斷開且具有高開口比的有機發(fā)光器件 以及包括該有機發(fā)光器件的顯示單元。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供的第一有機發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極； 有機層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的從其表 面到其側(cè)面的邊緣，并且具有與有機層接觸的內(nèi)壁面以及在內(nèi)壁面中的一個或更多拐角部 分，拐角部分的脊線平行于第一電極的表面。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供的第二有機發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極； 有機層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的側(cè)面， 并且具有從側(cè)面的上端到下端的傾斜表面。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供的第一顯示單元包括多個有機發(fā)光器件，其中有 機發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極;有機層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光 層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的從其表面到其側(cè)面的邊緣，并且具有與有機層接觸的內(nèi)壁 面以及在內(nèi)壁面中的一個或更多拐角部分，拐角部分的脊線平行于所述第一電極的表面。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供的第二顯示單元包括多個有機發(fā)光器件，其中有 機發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極;有機層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光 層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的側(cè)面，并且具有從側(cè)面的上端到下端的傾斜表面。
[0011] 在根據(jù)本發(fā)明實施例的第一有機發(fā)光器件或第一顯示單元中，絕緣膜(器件隔離 膜)與有機層接觸的內(nèi)壁面具有以拐角部分為邊界的多個面，其每一個相對于第一電極的 表面(水平面)具有不同的夾角，即第一電極側(cè)的相對陡峭的面(第一面)和第二電極側(cè)的具 有相對適當傾斜角的一個或更多面(第二面）。在第二面抑制第二電極斷開的同時，第一面 保證了開口尺寸。
[0012] 在根據(jù)本發(fā)明實施例的第二有機發(fā)光器件或第二顯示單元中，第一電極的側(cè)面從 上端到下端的部分覆蓋有絕緣膜。因此，絕緣膜不形成在第一電極的表面上，第一電極的整 個表面暴露，并且通過絕緣膜的傾斜表面抑制第二電極的斷開。
[0013] 在根據(jù)本發(fā)明實施例的第一有機發(fā)光器件和第一顯示單元中，在作為器件隔離膜 的絕緣膜的內(nèi)壁面中設置一個或更多的拐角部分。在根據(jù)本發(fā)明實施例的第二有機發(fā)光器 件和第二顯示單元中，在作為器件隔離膜的絕緣膜中設置傾斜表面。因此，能夠防止由于有 機層和第二電極斷開引起的器件特性退化，并且能夠改善開口比。
[0014] 應當理解的是，前面的概括描述和下面的詳細描述二者都是示例性的，并且旨在 對限定的技術方案提供進一步的說明。
【附圖說明】
[0015] 包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，其結(jié)合在本說明書中且構(gòu)成本說明 書的一部分。附圖示出了實施例，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0016] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的顯示單元構(gòu)造的示意圖。
[0017 ]圖2是示出圖1所示的像素驅(qū)動電路示例的示意圖。
[0018]圖3是示出圖1所示的有機EL器件構(gòu)造的截面圖。
[0019]圖4是圖3所示的絕緣膜的放大截面圖。
[0020]圖5A至圖5C是圖3所示的有機EL器件的放大截面圖。
[0021 ]圖6是示出根據(jù)比較示例的絕緣膜構(gòu)造的截面圖。
[0022] 圖7是示出絕緣膜的內(nèi)壁面中的第一面和第一電極的表面形成的夾角（Θ1)與電流 量之間的關系的示意圖。
[0023] 圖8是說明取決于拐角部分的存在的亮度降低率的示意圖。
[0024] 圖9是說明邊緣發(fā)光的示意圖。
[0025] 圖10是說明絕緣膜的內(nèi)壁面中的第二面和第一電極的表面形成的夾角（Θ2)與亮 度降低之間關系的示意圖。
[0026] 圖11是示出第一電極的表面到拐角部分的高度(H)與亮度降低率之間關系的示意 圖。
[0027] 圖12是根據(jù)圖4所示的絕緣膜的修改的截面圖。
[0028] 圖13是說明圖12所示的夾角Θ2和Θ3的優(yōu)選范圍的示意圖。
[0029] 圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的顯示單元構(gòu)造的示意圖。
[0030] 圖15是示出包括圖3和圖14所示的顯示單元的模塊示意性構(gòu)造的平面圖。
[0031 ]圖16是示出第一應用示例的外觀的透視圖。
[0032] 圖17A是示出從第二應用示例的前側(cè)觀看到的外觀的透視圖，而圖17B是示出從第 二應用示例的后側(cè)觀看到的外觀的透視圖。
[0033] 圖18是示出第三應用示例的外觀的透視圖。
[0034] 圖19是示出第四應用示例的外觀的透視圖。
[0035]圖20A是未關閉的第五應用示例的正視圖，圖20B是其側(cè)視圖，圖20C關閉的第五應 用示例的正視圖，圖20D是其左側(cè)視圖，圖20E是其右側(cè)視圖、圖20F是其俯視圖，而圖20G是 其仰視圖。
【具體實施方式】
[0036]下文將參考附圖詳細描述本發(fā)明的實施例。描述將以下面的順序給出：
[0037] 1.第一實施例(絕緣膜具有拐角部分的示例）
[0038] 2.修改(絕緣膜具有多個拐角部分的示例）
[0039] 3.第二實施例(絕緣膜具有傾斜表面的示例）
[0040] 4.應用示例
[00411 [第一實施例]
[0042I圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示單元（顯示單元1)的構(gòu)造。顯示單元1是有機 EL(電致發(fā)光)顯示單元。在顯示單元1中，作為顯示區(qū)域110,多個有機EL器件(有機發(fā)光器 件）10R、IOG和IOB以矩陣狀態(tài)布置在基板11之上。有機EL器件10R、IOG和IOB分別產(chǎn)生紅光 (波長:620nm 至 750nm，包括620nm 和 750nm)、綠光(波長:495nm 至 570nm，包括495nm 和 570nm) 和藍光（波長：450nm至495nm，包括450nm和495nm)。顯示圖像的信號線驅(qū)動電路120和掃描 線驅(qū)動電路130設置在顯示區(qū)域110的周邊上。
[0043] 在顯示區(qū)域110中，設置有源型驅(qū)動電路(像素驅(qū)動電路140)。如圖2所示，像素驅(qū) 動電路140具有驅(qū)動晶體管Trl和寫入晶體管Tr2,并且在晶體管Trl和Tr2之間的區(qū)域中設 置電容器Cs。有機EL器件IOR (或者有機EL器件IOG或IOB)串聯(lián)地連接到第一電源線(Vcc)和 第二電源線(GND)之間的晶體管Trl。信號線驅(qū)動電路120通過列方向上布置的多個信號線 120A提供圖像信號到晶體管Tr2的源極電極。掃描線驅(qū)動電路130通過行方向上布置的多個 掃描線130A順序地提供掃描信號到晶體管Tr2的柵極電極。
[0044]圖3示出了圖1所示的有機EL器件IOR和IOG的截面構(gòu)造。盡管圖3沒有示出有機EL 器件10B，但是有機EL器件IOB具有與有機EL器件IOR和IOG大致相同的構(gòu)造。有機EL器件IOR 和IOG分別具有這樣的構(gòu)造，其中從基板11側(cè)依次層疊包括前述的像素驅(qū)動電路140的驅(qū)動 電路層12、平坦化層13、作為陽極的第一電極14、絕緣膜15、包括稍后描述的發(fā)光層16C的有 機層16以及作為陰極的第二電極17。從第二電極17側(cè)提取發(fā)光層16C中產(chǎn)生的光。
[0045]如上的有機EL器件10R、IOG和IOB覆蓋有保護膜18。此外，密封面板20與保護膜18 的整個表面通過其間的粘合劑層30相接合，從而密封有機EL器件10R、10G和10B。
[0046]基板11由玻璃、硅(Si)晶片、樹脂或?qū)щ娀宓戎圃?。在采用導電基板的情況下， 其表面通過采用二氧化硅(SiO2)或樹脂而絕緣。驅(qū)動電路層12的構(gòu)造沒有特別限定。例如， 驅(qū)動電路層12的TFT例如可為底柵型或頂柵型。此外，驅(qū)動電路層12的TFT可為MOSFET(金屬 氧化物半導體場效晶體管）。
[0047] 平坦化層13用于平坦化基板11的形成像素驅(qū)動電路140的表面。平坦