開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述三個(gè)開(kāi)口區(qū)域的基板;在所述壩層覆蓋所述陽(yáng)極層的區(qū)域開(kāi)設(shè)第四開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述第四開(kāi)口區(qū)域的所述陽(yáng)極層。
[0034]請(qǐng)一并參閱圖4至圖10，圖4至圖10是本發(fā)明制造基于噴墨打印技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的不同制造階段一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0035]如圖4所示，在基板上濺鍍金屬層，并在金屬層的預(yù)設(shè)位置刻蝕出三個(gè)開(kāi)口區(qū)域，暴露三個(gè)開(kāi)口區(qū)域所對(duì)應(yīng)的基板;在金屬層上以及暴露的基板上濺鍍氧化銦錫形成陽(yáng)極層，在陽(yáng)極層上涂布第一光阻材料形成壩(bank)層，并在預(yù)設(shè)區(qū)域開(kāi)設(shè)第四開(kāi)口區(qū)域，暴露第四開(kāi)口區(qū)域?qū)?yīng)的陽(yáng)極層，如圖5所示。
[0036]其中，第四開(kāi)口區(qū)域所形成的形狀為倒梯形，且第四開(kāi)口區(qū)域的表面與陽(yáng)極層所在表面形成的角度大于90度，以在噴涂OLED墨水時(shí)，OLED墨水能夠與第四開(kāi)口區(qū)域的表面充分接觸，從而防止OLED墨水無(wú)法噴涂到第四開(kāi)口區(qū)域的表面的情況。
[0037]可以理解的是，在其他實(shí)施例中壩(bank)層的第一光阻材料材料可以為正性光阻材料，也可以為負(fù)性光阻材料。
[0038]S302:在暴露的所述陽(yáng)極層、所述壩層的表面形成光致抗蝕劑層;其中，所述光致抗蝕劑層的光阻屬性與所述壩層的光阻屬性不同。
[0039]如圖6所示，在暴露的陽(yáng)極層上以及壩層上涂布第二光阻材料形成光致抗蝕劑(PR)層。
[0040]其中，光致抗蝕劑層的光阻屬性與壩層的光阻屬性不同。當(dāng)壩層的第一光阻材料為正性光阻材料時(shí)，光致抗蝕劑層的第二光阻材料為負(fù)性光阻；當(dāng)壩層的第一光阻材料為負(fù)性光阻材料時(shí)，光致抗蝕劑層的第二光阻材料為正性光阻。具體的光阻材料可根據(jù)對(duì)光阻屬性的要求進(jìn)行選擇，對(duì)具體的光阻材料不作限制。
[0041 ] 進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，壩層為負(fù)性光阻，光致抗蝕劑層為正性光阻。
[0042]S303:對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露所述壩層平行于所述基板的表面。
[0043]對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露壩層平行于基板的表面，且第四開(kāi)口區(qū)域的表面扔覆蓋有光致抗蝕劑，曝光處理后的光致抗蝕劑層示意圖如圖7所示。
[0044]進(jìn)一步地，步驟S305可以具體為:在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露所述壩層平行于所述基板的表面。
[0045]例如，光致抗蝕劑層中的光阻材料遇光會(huì)發(fā)生反應(yīng)，控制對(duì)光致抗蝕劑層的曝光量在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)進(jìn)行曝光顯影處理，暴露壩層平行于基板的表面，且第四開(kāi)口區(qū)域的表面扔覆蓋有光致抗蝕劑。
[0046]S304:在暴露的所述壩層表面形成疏水材料層。
[0047]對(duì)暴露的壩層表面進(jìn)行刻蝕處理，形成疏水材料層，成型后的疏水材料層示意圖如圖8所示。
[0048]進(jìn)一步的，步驟304可以具體為:對(duì)暴露的所述壩層表面進(jìn)行干法蝕刻處理，在暴露的所述壩層表面形成疏水材料層。
[0049]例如，通過(guò)刻蝕氣體對(duì)暴露的平行于基板的壩層表面進(jìn)行干法蝕刻處理，在暴露的壩層表面形成包含疏水基團(tuán)的疏水材料層。暴露的壩層表面形成包含疏水基團(tuán)用于在對(duì)第四開(kāi)口區(qū)域噴涂OLED時(shí)，能夠使得OLED墨水均噴涂在第四開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，并與第四開(kāi)口區(qū)域的表面接觸良好，以在第四開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成均勻的有機(jī)發(fā)光層。這樣能夠避免第四開(kāi)口區(qū)域的表面也呈疏水性，進(jìn)而避免噴涂的OLED墨水與第四開(kāi)口區(qū)域的表面接觸不良導(dǎo)致OLED墨水分布不均勻而造成OLED顯示裝置發(fā)光不均勻的情況。
[0050]進(jìn)一步地，刻蝕氣體可以為CF4+02，也可以為Cl2+02或CC16+CL2，但并不限于此，此處不作限制。
[0051 ]當(dāng)刻蝕氣體為CF4+02時(shí)，疏水材料層包括氟離子(F+)，當(dāng)刻蝕氣體為CldO2SCCl6+CL2時(shí)，疏水材料層包括氯離子(Cl—)。
[0052]S305:進(jìn)行曝光顯影處理去除所述光致抗蝕劑層，利用噴墨打印技術(shù)在所述第四開(kāi)口區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光層，并在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。
[0053]對(duì)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光顯影處理，去除光致抗蝕劑層中剩余的第二光阻材料。去除光致抗蝕劑層中剩余的第二光阻材料后的示意圖如圖9所示。
[0054]在去除光致抗蝕劑層中剩余的第二光阻材料之后，利用噴墨打印技術(shù)在第四開(kāi)口區(qū)域噴涂OLED墨水，以在第四開(kāi)口區(qū)域內(nèi)均勻分布OLED墨水形成有機(jī)發(fā)光層，如圖10所示。
[0055]在形成有機(jī)發(fā)光層后，在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極。
[0056]上述方案，基于噴墨打印技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置在壩層平行于基板的表面設(shè)置疏水性材料層，且壩層開(kāi)設(shè)的第四開(kāi)口區(qū)域未覆蓋疏水性材料層，能夠使得噴涂的OLED墨水能夠滾入第四開(kāi)口區(qū)域，并且OLED墨水與第四開(kāi)口區(qū)域的表面充分接觸，能夠使得噴涂的OELD墨水在第四開(kāi)口區(qū)域均勻分布，從而形成均勻的有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光顯示裝置能夠發(fā)出均勻光線。
[0057]第四開(kāi)口區(qū)域所形成的形狀為倒梯形，且第四開(kāi)口區(qū)域的表面與陽(yáng)極層所在表面形成的角度大于90度，能夠防止OLED墨水無(wú)法噴涂到第四開(kāi)口區(qū)域的表面的情況。
[0058]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于噴墨打印技術(shù)的有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示裝置，所述裝置包括基板以及在基板上依次疊層設(shè)置的金屬層、陽(yáng)極層、壩(bank)層、有機(jī)發(fā)光層、陰極層;其中，在所述金屬層覆蓋所述基板的區(qū)域開(kāi)設(shè)有三個(gè)開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述三個(gè)開(kāi)口區(qū)域的基板;在所述壩層覆蓋所述陽(yáng)極層的區(qū)域開(kāi)設(shè)第四開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述第四開(kāi)口區(qū)域的所述陽(yáng)極層，所述有機(jī)發(fā)光層設(shè)置于所述第四開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，其特征在于， 所述壩層平行于所述基板的表面還設(shè)置有疏水性材料層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述疏水性材料層包括氟離子或氯離子。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述壩層為負(fù)性光阻。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述陽(yáng)極層的材料為氧化銦錫。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第四開(kāi)口區(qū)域形成的形狀為倒置梯形。6.—種基于噴墨打印技術(shù)的有機(jī)發(fā)光(OLED)顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在基板上依次形成金屬層、陽(yáng)極層以及壩(bank)層;其中，在所述金屬層覆蓋所述基板的區(qū)域開(kāi)設(shè)有三個(gè)開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述三個(gè)開(kāi)口區(qū)域的基板;在所述壩層覆蓋所述陽(yáng)極層的區(qū)域開(kāi)設(shè)第四開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述第四開(kāi)口區(qū)域的所述陽(yáng)極層； 在暴露的所述陽(yáng)極層、所述壩層的表面形成光致抗蝕劑層;其中，所述光致抗蝕劑層的光阻屬性與所述壩層的光阻屬性不同； 對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露所述壩層平行于所述基板的表面； 在暴露的所述壩層表面形成疏水材料層； 進(jìn)行曝光顯影處理去除所述光致抗蝕劑層，利用噴墨打印技術(shù)在所述第四開(kāi)口區(qū)域形成有機(jī)發(fā)光層，并在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在暴露的所述壩層表面形成疏水材料層的步驟具體為:對(duì)暴露的所述壩層表面進(jìn)行干法蝕刻處理，在暴露的所述壩層表面形成疏水材料層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述疏水材料層包括氟離子或氯離子。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述壩層為負(fù)性光阻，所述光致抗蝕劑層為正性光阻。10.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露所述壩層平行于所述基板的表面的步驟具體為:在預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)對(duì)所述光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光處理，暴露所述壩層平行于所述基板的表面。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于噴墨打印技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。其中，所述裝置包括：基板以及在基板上依次疊層設(shè)置的金屬層、陽(yáng)極層、壩(bank)層、有機(jī)發(fā)光層、陰極層；其中，在所述金屬層覆蓋所述基板的區(qū)域開(kāi)設(shè)有三個(gè)開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述三個(gè)開(kāi)口區(qū)域的基板；在所述壩層覆蓋所述陽(yáng)極層的區(qū)域開(kāi)設(shè)第四開(kāi)口區(qū)域，暴露對(duì)應(yīng)所述第四開(kāi)口區(qū)域的所述陽(yáng)極層，所述有機(jī)發(fā)光層設(shè)置于所述第四開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，其中，所述壩層平行于所述基板的表面還設(shè)置有疏水性材料層。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠使得OLED材料分布均勻，使得OLED裝置發(fā)出均勻的光。
【IPC分類】B41J2/01, H01L27/32
【公開(kāi)號(hào)】CN105590957
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610121824
【發(fā)明人】石龍強(qiáng)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日