板106或圖2的基板206 ο基板可以是包括絕緣體上覆硅(SOI)結(jié)構(gòu)、硅上覆硅(SOS)結(jié)構(gòu)、或塊體硅結(jié)構(gòu)的晶片的一部分，諸如圖2的晶片202。
[0090]在一特定實施例中，可以在晶片上執(zhí)行互補金屬氧化物半導體(CMOS)過程以形成半導體器件。CMOS過程可包括在1502形成摻雜區(qū)以及在1504形成高迀移率溝道。
[0091]圖15的方法可以使得能夠形成能在半導體器件處于截止狀態(tài)時具有降低的經(jīng)由高迀移率溝道的電流泄漏的半導體器件。
[0092]圖16是形成包括高迀移率溝道的半導體器件的方法的第二說明性實施例的第一部分1600的流程圖。例如，半導體器件可包括圖1的半導體器件100、根據(jù)圖2-14A所示出的過程形成的半導體器件(諸如圖14A中所示的包括高迀移率溝道1288a、1288b的半導體器件、或如圖14B中所示的包括高迀移率溝道1496或高迀移率溝道1498的半導體器件)、或使用圖15的方法根據(jù)圖2-14A所示出的過程形成的半導體器件、或其組合。方法1600可被用作形成作為P型金屬氧化物半導體(PMOS)器件的第一半導體器件或形成作為η型金屬氧化物半導體(nMOS)器件的第二類型的第二半導體器件的CMOS過程的一部分。
[0093]在1602，可在基板上形成虛柵極?；蹇杀话ㄔ诎雽w器件中。例如，虛柵極(例如，虛柵極堆疊)可包括圖3的柵極堆疊330。
[0094]在1604，可注入阱區(qū)，且在1606，可在虛柵極上形成分隔件。阱區(qū)可包括圖3的注入物310。分隔件可包括圖1的分隔件138、圖4的分隔件438、或其組合。
[0095]在1608，可注入源極/漏極注入物。例如，與源極區(qū)相關(guān)聯(lián)的源極注入物可被沉積且與漏極區(qū)相關(guān)聯(lián)的漏極注入物可被沉積。源極漏極注入物可包括圖1的源極/漏極區(qū)140、圖6的源極/漏極區(qū)642、圖7的源極漏極區(qū)764、或其組合。例如，源極/漏極注入物可包括提高η型金屬氧化物半導體(nMOS)溝道迀移率的硅(Si)、硅碳(S1:C)、或另一材料。作為另一示例，源極/漏極注入物可包括提高P型金屬氧化物半導體(PMOS)溝道迀移率的硅鍺(SiGe)或另一材料。源極/漏極注入物可以在沉積期間被摻雜(諸如使用就地摻雜來外延地沉積源極/漏極注入物)，或者可以在形成源極/漏極注入物后使用摻雜注入物(諸如圖8的摻雜注入物890)來摻雜。
[0096]在1610，可執(zhí)行快速熱退火(RTA)、激光劃線退火(LSA)、或其組合。RTA、LSA、或其組合可以在摻雜區(qū)(諸如圖1的摻雜區(qū)192或圖8的摻雜區(qū)892)被形成之后執(zhí)行。例如，也可執(zhí)行RTA、LSA或其組合以形成結(jié)，諸如圖1的結(jié)142或圖8的結(jié)842，以擴散源極/漏極注入物的源極/漏極摻雜物，和/或增加分隔件的密度。
[0097]在1612，可在基板和虛柵極上方沉積電介質(zhì)，且在1614，電介質(zhì)和虛柵極的一部分可被平坦化。例如，電介質(zhì)可包括圖1的電介質(zhì)材料180或圖9的電介質(zhì)材料980。
[0098]圖17是圖16的方法的第二說明性實施例的第二部分1700的流程圖。方法1700可被用作形成作為P型金屬氧化物半導體(pMOS)器件的第一半導體器件或形成作為η型金屬氧化物半導體(nMOS)器件的第二半導體器件的CMOS過程的一部分。
[0099]在該第三說明性實施例的第二部分1600中，在1702，可移除虛柵極的一部分以建立腔。為了建立腔，虛柵極的柵極電極層包括被移除的非晶硅(a: Si)。例如，柵極電極層312可以從柵極堆疊330移除以創(chuàng)建圖10的腔1072。作為補充或替換，可在移除柵極電極層之前或與其相結(jié)合地移除柵極堆疊的覆蓋層。例如，可以在從柵極堆疊330移除柵極電極層332以建立腔1072之前或與其相結(jié)合地移除圖3的柵極堆疊330的覆蓋層334。例如，在1614，可作為使虛柵極平坦化的一部分移除覆蓋層334。
[0100]在1704，可擴展腔。例如，腔可被擴展到半導體器件的溝道區(qū)中。例如，圖1O的腔1072可各自如圖11所示地擴展。在一特定實施例中，基板(諸如圖1的基板106或圖2的基板206)的一部分被移除以擴展腔。
[0101]在1706，可在腔的一部分中形成高迀移率溝道，其中與源極/漏極注入物相關(guān)聯(lián)的摻雜區(qū)在形成高迀移率溝道之前被退火，并且其中半導體器件的基板的一部分位于摻雜區(qū)和高迀移率溝道之間。例如，基板(諸如圖1的基板106或圖2的基板206)的一部分可以用高迀移率材料填充以形成高迀移率溝道。高迀移率溝道可包括圖1的高迀移率溝道188，圖12的高迀移率溝道1288a、1288b，圖14B的高迀移率溝道1496或高迀移率溝道1498。在1706處形成高迀移率溝道之前，在1610處，摻雜區(qū)(諸如圖1的摻雜區(qū)192或圖8的摻雜區(qū)892)可被退火。
[0102]在1708，可在腔上形成柵極。柵極可耦合到高迀移率溝道。柵極(諸如圖1的柵極150，或圖13的柵極1350a、1350b)可形成在圖10-12的腔1072中。柵極可包括高K材料和金屬。高迀移率溝道是使用外延生長來形成的。
[0103]在1710，硅化物可形成在硅化物溝槽中并連接到金屬。例如，溝槽可形成在圖1的源極/漏極區(qū)140、圖6的源極/漏極區(qū)642、圖7的源極/漏極區(qū)764、或其組合中的每一者中。硅化物和金屬可被包括在圖1的硅化物182和金屬184或圖14A-B的硅化物1482a、1482b和金屬1484中。
[0104]圖16和17所示的方法可使得能夠形成半導體器件，其在半導體器件處于導通狀態(tài)時啟用導電性(例如，高電流)且在半導體器件處于截止狀態(tài)時降低經(jīng)由高迀移率溝道的電流泄漏。
[0105]圖15-17的方法可通過現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)設(shè)備、專用集成電路(ASIC)、處理單元(諸如中央處理器單元(CPU))、數(shù)字信號處理器(DSP)、控制器、另一硬件設(shè)備、固件設(shè)備、或其任何組合來實現(xiàn)。作為示例，圖15-17的方法可由執(zhí)行指令的一個或多個處理器來執(zhí)行。
[0106]參照圖18，描繪了無線通信設(shè)備1800的特定解說性實施例的框圖。設(shè)備1800可包括圖1的半導體器件100、使用圖15-17的方法中的至少一者根據(jù)圖2-14所示的過程形成的半導體器件、或其組合。
[0107]設(shè)備1800包括耦合至存儲器1832的處理器1810，諸如數(shù)字信號處理器(DSP)。處理器1810可包括半導體器件1864。例如，半導體器件1864可以是圖1的半導體器件100、使用圖15-17的方法中的至少一者根據(jù)圖2-14所示的過程形成的半導體器件、或其組合。
[0108]存儲器1832包括指令1868(例如，可執(zhí)行指令)，諸如計算機可讀指令或處理器可讀指令。指令1868可包括可由計算機(諸如處理器1810)執(zhí)行的一個或多個指令。
[0109]圖18還示出了耦合至處理器1810和顯示器1828的顯示器控制器1826。編碼器/解碼器(CODEC) 1834也可耦合至處理器1810。揚聲器1836和話筒1838可耦合至CODEC 1834。
[0110]圖18還指示無線接口1840(諸如無線控制器)可被耦合至處理器1810和天線1842。在特定實施例中，可將處理器1810、顯示器控制器1826、存儲器1832、C0DEC 1834、以及無線接口 1840包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備1822中。在一特定實施例中，輸入設(shè)備1830和電源1844被耦合至片上系統(tǒng)設(shè)備1822。此外，在特定實施例中，如圖18中所解說的，顯示器1828、輸入設(shè)備1830、揚聲器1836、話筒1838、天線1842和電源1844在片上系統(tǒng)設(shè)備1822外部。然而，顯示器1828、輸入設(shè)備1830、揚聲器1836、話筒1838、天線1842和電源1844中的每一者可被耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備1822的組件，諸如接口或控制器。盡管半導體器件1864被描繪為被包括在處理器1810中，但半導體器件也可被包括在設(shè)備1800的另一組件或耦合至設(shè)備1800的組件中。例如，半導體器件1864可被包括在存儲器1832、無線接口 1840、電源1844、輸入設(shè)備1830、顯示器1828、顯示器控制器1826、C0DEC 1834、揚聲器1836或話筒1838中。
[0111]結(jié)合圖1-18的所描述實施例中的一者或多者，公開了一種裝備，其可包括用于在半導體器件處于導通狀態(tài)時啟用源極區(qū)和漏極區(qū)之間的高迀移率載流子路徑的溝道裝置。該用于啟用高迀移率載流子路徑的溝道裝置基本上延伸半導體器件的柵極的長度。該用于啟用高迀移率載流子路徑的溝道裝置可對應(yīng)于圖1的高迀移率溝道188，圖12的高迀移率溝道1288a、1288b、圖14B的高迀移率溝道1496或高迀移率溝道1498，配置成啟用高迀移率載流子路徑的一個或多個其他設(shè)備或電路、或其任何組合。
[0112]該裝備還可包括用于啟用該用于啟用高迀移率載流子路徑的溝道裝置與關(guān)聯(lián)于源極區(qū)或漏極區(qū)之一的摻雜區(qū)之間的電流的裝置。該用于啟用電流的裝置位于摻雜區(qū)與該用于啟用高迀移率載流子路徑的溝道裝置之間。該用于啟用電流的裝置可對應(yīng)于圖1的基板106、圖2的基板206、配置成啟用該用于啟用高迀移率載流子路徑的溝道裝置和摻雜區(qū)之間的電流的一個或多個其他設(shè)備或電路、或其任何組合。
[0113]結(jié)合圖1-18所描述的實施例，公開了一種方法，該方法可包括用于形成與半導體器件的源極區(qū)或漏極區(qū)相關(guān)聯(lián)的摻雜區(qū)的第一步驟，諸如圖15的方法1500中在502描述的、圖16的方法的第一部分1600中在1608描述的，在源極/漏極注入物的外延沉積期間使用就地摻雜，在形成源極/漏極注入物之后使用摻雜注入物，配置成形成與半導體器件的源極區(qū)或漏極區(qū)相關(guān)聯(lián)的摻雜區(qū)的一個或多個其他過程，或其任何組合。
[0114]該方法還可包括用于在半導體器件內(nèi)形成高迀移率溝道的第二步驟。摻雜區(qū)在形成高迀移率溝道之前被退火且從源極區(qū)或漏極區(qū)朝高迀移率溝道延伸。半導體器件的基板的一部分位于摻雜區(qū)和高迀移率溝道之間。用于在半導體器件內(nèi)形成高迀移率溝道的第二步驟可如下執(zhí)行:如圖15的方法1500中在1504處描述的、圖17的方法的第二部分1700中在1706處描述的，通過在至少腔中沉積高迀移率溝道材料，通過在腔中外延地生長高迀移率材料，配置成在半導體器件內(nèi)形成高迀移率溝道的一個或多個其他過程，或其任何組合。
[0115]所公開的實施例中的一個或多個實施例可在一種系統(tǒng)或裝置(諸如設(shè)備1800)中實現(xiàn)，該系統(tǒng)或裝置可包括通信設(shè)備、固定位置的數(shù)據(jù)單元、移動位置的數(shù)據(jù)單元、移動電話、蜂窩電話、衛(wèi)星電話、計算機、平板設(shè)備、便攜式計算機、或臺式計算機。另外，設(shè)備1800可包括機頂盒、娛樂單元、導航設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、監(jiān)視器、計算機監(jiān)視器、電視機、調(diào)諧器、無線電、衛(wèi)星無線電、音樂播放器、數(shù)字音樂播放器、便攜式音樂播放器、視頻播放器、數(shù)字視頻播放器、數(shù)字視頻盤(DVD)播放器、便攜式數(shù)字視頻播放器、存儲或取得數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其他設(shè)備、或其組合。作為另一解說性、非限制性示例，該系統(tǒng)或裝置可包括遠程單元(諸如移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元)、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)據(jù)助理、啟用全球定位系統(tǒng)(GPS)的設(shè)備、導航設(shè)備)、固定位置的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其他設(shè)備、或其組合。
[0116]上文公開的設(shè)備和功能性可被設(shè)計和配置在存儲于計算機可讀介質(zhì)上的計算機文件(例如，RTL、GDSI1、GERBER等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件來制造設(shè)備的制造處理人員。結(jié)果得到的產(chǎn)品包括半導體晶片，其隨后被切割為半導體管芯并被封裝成半導體芯片。這些芯片隨后被用在以上描述的設(shè)備中。圖19描述了電子設(shè)備制造過程1900的特定說明性實施例。
[0117]物理器件信息1902在制造過程1900處(諸如在研究計算機1906處)被接收。物理器件信息1902可包括表示半導體器件的至少一個物理性質(zhì)的設(shè)計信息，諸如圖1的半導體器件100、使用圖15-17的方法中的至少一種方法根據(jù)圖2-14所示的過程形成的半導體器件、或其組合。例如，物理器件信息1902可包括經(jīng)由耦合至研究計算機1906的用戶接口 1904輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計算機1906包括耦合至計算機可讀介質(zhì)(例如，非瞬態(tài)計算機可讀介質(zhì))(諸如存儲器1910)的處理器1908，諸如一個或多個處理核。存儲器1910可存儲計算機可讀指令，其可被執(zhí)行以使處理器1908將物理器件信息1902轉(zhuǎn)換成遵循某一文件格式并生成庫文件1912。
[0118]在一特定實施例中，庫文件1912包括至少一個包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫文件1912可包括被提供以與電子設(shè)計自動化(EDA)工具1920—起使用的包含器件的半導體器件庫，該器件包括圖1的半導體器件10