藝，借助光刻觸點(diǎn)圖案與現(xiàn)有柵極圖案的嚴(yán)格配準(zhǔn)，并結(jié)合選擇性觸點(diǎn)蝕刻。例如，傳統(tǒng)工藝可以包括多(柵極)柵的圖案化與觸點(diǎn)部件的單獨(dú)圖案化。
[0051]會(huì)理解，并非需要實(shí)踐上述工藝的全部方案以屬于本發(fā)明的實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在柵極疊層的有源部分上制造柵極觸點(diǎn)之前不必形成虛擬柵。上述的柵極疊層實(shí)際上可以是初始形成的永久柵極疊層。此外，本文所述的工藝可以用于制造一個(gè)和多個(gè)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件可以是晶體管或類似器件。
[0052]例如，在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOS)晶體管，用于邏輯器件或存儲(chǔ)器，或者是雙極型晶體管。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件具有三維架構(gòu)，例如fin-FET器件、三柵器件或獨(dú)立訪問(wèn)的雙柵極器件。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例尤其可以用于包括在片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品中的器件。另外，會(huì)理解，結(jié)合圖2A-2F所述的處理方案也可以適用于平面器件制造。
[0053]總體上，本文所述的實(shí)施例提供了用于為不同器件制造不同功函數(shù)的方案。一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例增強(qiáng)了能力，獨(dú)立地將每一個(gè)器件的虛擬作為目標(biāo)，無(wú)需其他掩模操作的額外成本。
[0054]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式的計(jì)算設(shè)備400。計(jì)算設(shè)備400容納板402。板402可以包括多個(gè)組件，包括但不限于，處理器404和至少一個(gè)通信芯片406。處理器404物理且電耦合到板402。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，至少一個(gè)通信芯片406也物理且電耦合到板402。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式中，通信芯片406是處理器404的一部分。
[0055]取決于其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備400可以包括其他組件，其會(huì)或不會(huì)物理且電耦合到板402。這些其他組件包括但不限于，易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如R0M)、閃存、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、加密處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、指南針、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、相機(jī)和大容量?jī)?chǔ)存設(shè)備(例如，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)(⑶)、數(shù)字多用途盤(pán)(DVD)等等)。
[0056]通信芯片406實(shí)現(xiàn)了無(wú)線通信，用于往來(lái)于計(jì)算設(shè)備400傳送數(shù)據(jù)。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線”及其派生詞可以用于描述可以例如通過(guò)非固態(tài)介質(zhì)借助使用調(diào)制電磁輻射傳送數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語(yǔ)并非暗示相關(guān)設(shè)備不包含任何導(dǎo)線，盡管在一些實(shí)施例中它們可以不包含。通信芯片406可以實(shí)施多個(gè)無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任意一個(gè)，包括但不限于，W1-Fi(IEEE 802.11族)、WiMAX( IEEE 802.16族)、IEEE 802.20、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、其派生物，以及被指定為3G、4G、5G及之后的任何其他無(wú)線協(xié)議。計(jì)算設(shè)備400可以包括多個(gè)通信芯片406。
[0057]例如，第一通信芯片406可以專用于近距離無(wú)線通信，例如W1-Fi和藍(lán)牙，第二通信芯片406可以專用于遠(yuǎn)距離無(wú)線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。
[0058]計(jì)算設(shè)備400的處理器404包括封裝在處理器404內(nèi)的集成電路晶片。在本發(fā)明的實(shí)施例的一些實(shí)現(xiàn)方式中，處理器的集成電路晶片包括一個(gè)或多個(gè)器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。術(shù)語(yǔ)“處理器”可以指代任何設(shè)備或設(shè)備的部分，其處理來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)，將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢源鎯?chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其他電子數(shù)據(jù)。
[0059]通信芯片406也包括封裝在通信芯片406內(nèi)的集成電路晶片。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式，通信芯片的集成電路晶片包括一個(gè)或多個(gè)器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。
[0060]在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式中，容納在計(jì)算設(shè)備400中的另一個(gè)組件可以包含集成電路晶片，其包括一個(gè)或多個(gè)器件，例如根據(jù)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式構(gòu)成的MOS-FET晶體管。
[0061]在多個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算設(shè)備400可以是膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級(jí)本電腦、智能電話、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描器、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、或數(shù)碼攝像機(jī)。在進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式中，計(jì)算設(shè)備400可以是處理數(shù)據(jù)的任何其他電子設(shè)備。
[0062]因而，本發(fā)明的實(shí)施例包括在共同襯底上具有不同功函數(shù)的非平面I/O和邏輯半導(dǎo)體器件及制造在共同襯底上具有不同功函數(shù)的非平面I/O和邏輯半導(dǎo)體器件的方法。
[0063]在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體器件，所述第一半導(dǎo)體器件布置在襯底上。第一半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)電類型，并包括具有第一功函數(shù)的柵極電極。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括第二半導(dǎo)體器件，所述第二半導(dǎo)體器件布置在襯底上。第二半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)電類型，并包括具有不同的第二功函數(shù)的柵極電極。
[0064]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一半導(dǎo)體器件是I/O晶體管，所述第二半導(dǎo)體器件是邏輯晶體管。
[0065]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的厚度與第二功函數(shù)金屬層的厚度不同。
[0066]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的總材料成分與第二功函數(shù)金屬層的總材料成分不同。
[0067]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分和厚度的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分和厚度的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的總材料成分和厚度與第二功函數(shù)金屬層的總材料成分和厚度不同。
[0068]在一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電類型是N型。
[0069]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第二功函數(shù)金屬層。第一功函數(shù)金屬層的厚度大于第二功函數(shù)金屬層的厚度，第一功函數(shù)比第二功函數(shù)更靠近帶隙中值約在50-80毫伏范圍中的量。
[0070]在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體器件的柵極電極具有的柵極長(zhǎng)度與第二半導(dǎo)體器件的柵極電極的柵極長(zhǎng)度不同。
[0071 ] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件都是fin-FET或三柵器件。
[0072]在一個(gè)實(shí)施例中，一種片上系統(tǒng)(SoC)集成電路包括N型I/O晶體管，所述N型I/O晶體管布置在襯底上，所述N型I/O晶體管包括具有第一功函數(shù)和第一柵極長(zhǎng)度的柵極電極。N型邏輯晶體管布置在襯底上，所述N型邏輯晶體管包括具有第二較低功函數(shù)和小于第一柵極長(zhǎng)度的第二柵極長(zhǎng)度的柵極電極。
[0073]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有厚度的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的厚度大于第二功函數(shù)金屬層的厚度。
[0074]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的總材料成分與第二功函數(shù)金屬層的總材料成分不同。
[0075]在一個(gè)實(shí)施例中，具有第一功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分和厚度的第一功函數(shù)金屬層，具有第二功函數(shù)的柵極電極包括具有總材料成分和厚度的第二功函數(shù)金屬層，第一功函數(shù)金屬層的總材料成分和厚度與第二功函數(shù)金屬層的總材料成分和厚度不同。
[0076]在一個(gè)實(shí)施例中，第一功函數(shù)比第二功函數(shù)更靠近帶隙中值約在50-80毫伏范圍中的量。
[0077]在一個(gè)實(shí)施例中，第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件都是fin-FET或三柵器件。
[0078]在一個(gè)實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括在襯底上形成第一半導(dǎo)體鰭狀物和第二半