置100或者300的應用例。
[0199](應用例2)
[0200]圖20是表示另一應用例的剖視圖。另外，表示另一應用例的俯視圖與圖18相同。[0201 ]圖18以及圖20所示的發(fā)光裝置500具備:金屬基板401、絕緣層502、布線圖案403以及LED芯片405。換句話說，相對于發(fā)光裝置400，發(fā)光裝置500取代第I絕緣層402以及第2絕緣層404，而具備絕緣層502。
[0202]關于金屬基板401、布線圖案403以及LED芯片405，分別與發(fā)光裝置400的這些部件相同。
[0203]但是，隨著取代第I絕緣層402以及第2絕緣層404，而具備絕緣層502，在發(fā)光裝置500中，布線圖案403被埋入到絕緣層502的內部。
[0204]絕緣層502是形成在金屬基板401上的、具有熱傳導性以及光反射性的絕緣層，是PFA片1020
[0205]進一步地，發(fā)光裝置500具備:光反射樹脂框406、含熒光體密封樹脂407、陽極電極408、陰極電極409、陽極標志410、陰極標志411以及螺紋部412。這些構成在發(fā)光裝置400與發(fā)光裝置500中相同。
[0206]可以說發(fā)光裝置500是發(fā)光裝置200的應用例。
[0207]〔變形例〕
[0208]對圖18所示的發(fā)光裝置400以及500的變形例進行說明。
[0209]圖21是表示上述變形例的主要部分的俯視圖。
[0210]圖21中表示作為布線圖案403的變形例的布線圖案603。布線圖案603的陽極側位于陽極電極408的正下方，陰極側位于陰極電極409的正下方。
[0211]也就是說，9個LED芯片405被配置成3行3列，這在使用布線圖案403的情況(S卩，發(fā)光元件400以及500)和使用布線圖案603的情況(S卩，上述變形例)中是相同的。
[0212]另一方面，在圖21中，9個LED芯片405通過布線圖案603，成為具有I個并聯(lián)電路的連接結構，該并聯(lián)電路為9個LED芯片405的并聯(lián)電路。這樣，LED芯片405的連接結構能夠根據(jù)發(fā)光裝置中的所希望的特性來適當?shù)刈兏?br>[0213]〔附記事項:本發(fā)明的構思〕
[0214]圖22?圖24是說明本發(fā)明的構思的圖。
[0215]圖22中表示與未圖示的LED芯片的連接部分(圖22中參照“倒裝芯片安裝”的標記)、陽極電極708以及陰極電極709形成為布線的電子電路基板701。這里，電子電路基板701在金屬基板上形成絕緣層。此外，圖22中圖示要涂敷含熒光體密封樹脂的區(qū)域707。
[0216]這里，安裝的布線的面積越大，散熱性越良好。
[0217]因此，考慮電子電路基板701中應用圖23所示的結構。圖23中表示電子電路基板701中一個面的一側的幾乎全部被布線圖案703覆蓋的樣子。
[0218]但是，在布線圖案703較大的情況下，布線圖案703的光反射率較低。因此，對于LED芯片的安裝所需的布線圖案703的部分以外，由光反射性優(yōu)良的材料覆蓋比較有效。
[0219]因此，考慮在形成有布線圖案703的電子電路基板701中應用圖24所示的結構。圖24中表示除了與LED芯片的連接部分、陽極電極708以及陰極電極709以外，通過絕緣層704來覆蓋布線圖案703的樣子。
[0220]另外，〔應用例〕中存在如下記載:“優(yōu)選布線圖案403的底面積是搭載于發(fā)光裝置400的全部LED芯片405的背面電極415的總面積的5倍以上10倍以下”。這是基于本項目的說明內容、特別是圖23所示的內容來進行實驗研究的結果得到的經(jīng)驗規(guī)律。
[0221]〔補充:發(fā)光部分的面積與反射器的關系〕
[0222]以上所述的各發(fā)光裝置例如能夠應用于圖31所示的照明裝置801的發(fā)光裝置804。圖31 (a)是照明裝置801的立體圖，圖31 (b)是照明裝置801的剖視圖。照明裝置801是使用高品質并且低價的發(fā)光裝置804而被制造的。因此，能夠向用戶提供低價且高品質的照明裝置801。圖31中，802是散熱器，823是反射器。
[0223]圖32是表示反射器823的形狀的正面剖視圖。反射器823的內周面由將拋物線旋轉而成的拋物面來形成。在將焦點位置設為(0，a)時，拋物面的一般式被表示為下述式(I)。這里，z軸是與發(fā)光裝置804發(fā)出的光的光軸一致的拋物面的對稱軸，r軸是通過拋物面的焦點位置并與該光軸垂直相交的軸。
[0224]4az = r2...(I)
[0225]圖32中，將發(fā)光部分(相當于反射器823的內壁底面)的直徑為47mm時和為27mm時的各自的反射器823的內周面的坐標基于上述式(I)來進行表示。發(fā)光部分的直徑為47mm時的該內周面被表示為實線13a，發(fā)光部分的直徑為27mm時的該內周面被表示為虛線13b。該發(fā)光部分位于構成反射器823的拋物面的焦點位置附近。
[0226]若能夠減小上述發(fā)光部分的面積，則能夠減小上述式(I)的數(shù)“a”。若將該發(fā)光部分的直徑設為Φ ο，則能夠表示為Φ ο = 4a。若該發(fā)光部分的直徑Φ ο從47mm變小為27mm，則反射器823的內周面從實線13a變成虛線13b。
[0227]因此，若反射器823的深度相同，則數(shù)“a”較小的情況下能夠提高聚光性。此外，SP使在使用相同的反射器823的形狀的情況下，若上述發(fā)光部分較小，則呈現(xiàn)接近于點光源的性能，因此能夠提尚聚光性。
[0228]〔總結〕
[0229]本發(fā)明的方式I所涉及的發(fā)光裝置用基板具備:金屬基板部(鋁基板I等)，其至少具有金屬的基板;第I絕緣層(高散熱陶瓷層2等)，其形成在上述金屬基板部上并具有熱傳導性;布線圖案(蝕刻框架3等)，其形成在上述第I絕緣層上;和第2絕緣層(高反射陶瓷層4等)，其形成在上述第I絕緣層以及上述布線圖案上并具有光反射性。
[0230]根據(jù)上述結構，在第I絕緣層上直接形成布線圖案。由此，能夠將發(fā)光元件等中產(chǎn)生的熱量經(jīng)由布線圖案以及第I絕緣層來高效地散熱到金屬基板部。
[0231]進一步地，根據(jù)上述結構，在第I絕緣層以及布線圖案上形成第2絕緣層。由此，能夠提尚光利用效率。
[0232]本發(fā)明的方式2所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I中，上述第I絕緣層具有比上述第2絕緣層高的熱傳導性，上述第2絕緣層具有比上述第I絕緣層高的光反射性。
[0233]本發(fā)明的方式3所涉及的發(fā)光裝置用基板具備:金屬基板部，其至少具有金屬的基板;絕緣層(PFA片102)，其形成在上述金屬基板部上并具有熱傳導性以及光反射性;和布線圖案，其被埋入到上述絕緣層的內部。
[0234]根據(jù)上述結構，布線圖案被埋入到絕緣層的內部。由此，能夠將發(fā)光元件等中產(chǎn)生的熱量經(jīng)由布線圖案以及絕緣層來高效地散熱到金屬基板部。
[0235]進一步地，根據(jù)上述結構，布線圖案被埋入到絕緣層的內部。由此，能夠提高光利用效率。
[0236]此外，根據(jù)上述結構，由于絕緣層只是I層，因此能夠減少用于設置絕緣層的工時數(shù)。
[0237]本發(fā)明的方式4所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式3中，上述絕緣層由環(huán)氧類樹月旨、硅酮樹脂、氟類樹脂、聚酰亞胺樹脂的任意樹脂構成。
[0238]本發(fā)明的方式5所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式4中，上述絕緣層由片狀樹脂構成。
[0239]本發(fā)明的方式6所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式5中，上述絕緣層由PFA片構成。
[0240]本發(fā)明的方式7所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式3至6的任意一個方式中，上述絕緣層含有陶瓷粒子。
[0241]本發(fā)明的方式8所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I中，上述第I絕緣層由對上述金屬基板部涂敷的陶瓷涂料構成。
[0242]本發(fā)明的方式9所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I中，上述第I絕緣層由環(huán)氧類樹脂、硅酮樹脂、氟類樹脂、聚酰亞胺樹脂的任意樹脂構成。
[0243]本發(fā)明的方式10所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式9中，上述第I絕緣層由片狀樹脂構成。
[0244]本發(fā)明的方式11所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式10中，上述第I絕緣層由PTFE片構成。
[0245]本發(fā)明的方式12所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式1、9、10、11的任意一個方式中，上述第I絕緣層含有陶瓷粒子。
[0246]本發(fā)明的方式13所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I中，上述第2絕緣層是在環(huán)氧類樹脂、硅酮樹脂、氟類樹脂、聚酰亞胺樹脂的任意樹脂中含有陶瓷粒子而成的。
[0247]本發(fā)明的方式14所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I中，上述第2絕緣層是在玻璃系粘合劑中含有陶瓷粒子而成的。
[0248]本發(fā)明的方式15所涉及的發(fā)光裝置用基板在上述方式I至14的任意一個方式中，上述金屬基板部是鋁的表面通過陽極氧化處理，被耐酸鋁保護層覆蓋而成的。
[0249]本發(fā)明的方式16所涉及的發(fā)光裝置具備:上述方式1、2、8至14的任意一個方式的發(fā)光裝置用基板;和發(fā)光元件(LED芯片5等)，其形成在上述發(fā)光裝置用基板的上述第2絕緣層上，并與上述布線圖案電連接。
[0250]本發(fā)明的方式17所涉及的發(fā)光裝置具備:上述方式3至7的任意一個方式的發(fā)光裝置用基板;和發(fā)光元件，其形成在上述發(fā)光裝置用基板的上述絕緣層上，并與上述布線圖案電連接。
[0251]本發(fā)明的方式18所涉及的發(fā)光裝置在上述方式16或者17中，上述發(fā)光元件通過倒裝芯片接合，與上述布線圖案電連接。
[0252]本發(fā)明的方式19所涉及的發(fā)光裝置在上述方式18中，向上述發(fā)光元件提供電流的上述布線圖案的底面積的總和相對于與該布線圖案連接的該發(fā)光元件的背面電極的底面積的總和，至少是5倍。
[0253]本發(fā)明的方式20所涉及的發(fā)光裝置用基板的制造方法包含:通過在由鋁構成的基板進行陽極氧化處理，來形成耐酸鋁保護層，制造金屬基板部的工序;將含有陶瓷粒子來提高熱傳導性的環(huán)氧類樹脂加工為片狀的部件與由銅構成的金屬片貼合得到的復合片貼合于上述金屬基板部，來形成導電層以及第I絕緣層的工序;通過蝕刻來從上述導電層形成布線圖案的工序;在上述第I絕緣層以及上述布線圖案上，通過涂敷來形成具有比上述第I絕緣層低的熱傳導性并具有比上述第I絕緣層高的光反射性的第2絕緣層，進一步使與發(fā)光元件的電極電連接的上述布線圖案的電極端子部露出的工序;和通過金屬鍍敷來覆蓋上述電極端子部的工序。
[0254]進一步地，本發(fā)明也能夠如下解釋。
[0255]本發(fā)明的一方式所涉及的發(fā)光裝置具備:金屬基板(鋁基板I等)；第I絕緣層(高散熱陶瓷層2等)，其形成在上述金屬基板上并具有熱傳導性;布線圖案(蝕刻框架3等)，其形成在上述第I絕緣層上;第2絕緣層(高反射陶瓷層4等)，其形成在上述第I絕緣層以及上述布線圖案上并具有光反射性;和發(fā)光元件(LED芯片5等)，其形成在上述第2絕緣層上，并與上述布線圖案電連接。
[0256]根據(jù)上述結構，布線圖案直接形成在第I絕緣層上。由此，能夠將發(fā)光元件等中產(chǎn)生的熱量經(jīng)由布線圖案以及第I絕緣層來高效地散熱到金屬基板。
[0257]進一步地，根據(jù)上述結構，第2絕緣層形成在第I絕緣層以及布線圖案上。由此，能夠提尚光利用效率。
[0258]本發(fā)明的另一方式所涉及的發(fā)光裝置具備:金屬基板;絕緣層