118]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0119]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0120]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0121]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0122]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0123]實(shí)施例12:
[0124]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0125]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0126]所述薄膜開(kāi)關(guān)利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0127]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0128]所述絕緣體層包括如下組分:Α12θ3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0129]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0130]實(shí)施例13:
[0131]一種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0132]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0133]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鎢，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)、TiSi2(二硅化鈦)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨烯;導(dǎo)體的電阻為0.1 Ω。
[0134]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為66Ω 0
[0135]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為2mm。
[0136]實(shí)施例14:
[0137]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0138]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0139]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0140]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0141]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0142]實(shí)施例15:
[0143]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0144]所述薄膜開(kāi)關(guān)利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0145]所述導(dǎo)體層包括金屬鋁鎢合金，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨烯;導(dǎo)體的電阻為0.4 Ω。
[0146]所述絕緣體層包括如下組分:Α12θ3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0147]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為lum。
[0148]實(shí)施例16:
[0149]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A、B薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0150]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0151]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0152]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0153]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0154]所述薄膜開(kāi)關(guān)B利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0155]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)銅，CoSi2(二硅化鈷)、TiSi2( 二硅化鈦)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨烯;導(dǎo)體的電阻為0.1 Ω。
[0156]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為96Ω。
[0157]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0158]實(shí)施例17:
[0159]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A、B薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0160]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0161]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0162]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0163]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0164]所述薄膜開(kāi)關(guān)B利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0165]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)、CoSi2(二硅化鈷)和TiSi2(二硅化鈦)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨烯；導(dǎo)體的電阻為0.05 Ω。
[0166]所述絕緣體層包括如下組分:Α12θ3和HfO2,多層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0167]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0168]實(shí)施例18:
[0169]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A、B薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0170]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0171]所述導(dǎo)體層包括金屬鋁鎢合金，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨烯;導(dǎo)體的電阻為0.4 Ω。
[0172]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0173]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0174]所述薄膜開(kāi)關(guān)B利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0175]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0176]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0177]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0178]實(shí)施例19:
[0179]—種薄膜開(kāi)關(guān)，該薄膜開(kāi)關(guān)由A、B薄膜開(kāi)關(guān)與帶有智能控制邏輯的智能開(kāi)關(guān)整合在一起。
[0180]所述薄膜開(kāi)關(guān)A利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0181]所述導(dǎo)體層包括金屬單質(zhì)鋁，TiN(氮化鈦)、TaN(氮化鉈)，摻雜的多晶硅，導(dǎo)電的無(wú)機(jī)/有機(jī)高分子聚合物，單層石墨稀;導(dǎo)體的電阻為0.5 Ω。
[0182]所述絕緣體層包括如下組分= Al2O3和HfO2,單層石墨烯，塑料;絕緣體層的電阻為56Ω。
[0183]上述薄膜開(kāi)關(guān)的制備方法，通過(guò)真空沉積工藝，在不同的支持基質(zhì)上形成導(dǎo)體層和絕緣體層。導(dǎo)體/絕緣體/導(dǎo)體堆疊厚度為1mm。
[0184]所述薄膜開(kāi)關(guān)B利用薄膜的導(dǎo)體-絕緣體-導(dǎo)體式的以反熔絲為基礎(chǔ)的電容器作為關(guān)斷開(kāi)關(guān)。
[0185]所述導(dǎo)體層包括金屬鋁鎢合金，TiN(氮