移除導(dǎo)電層，暴露金屬柱的第一端面。
[0026]在一個實施例中，該方法還包括形成第二絕緣層，該第二絕緣層覆蓋在包封的第二表面上，并具有遠(yuǎn)離包封的第二表面延伸的厚度;形成第二連接元件，第二連接元件遠(yuǎn)離金屬柱的第二端面延伸并穿過第二絕緣層的厚度，其中第二連接元件中至少有一些的橫截面比金屬柱的橫截面小;在第二絕緣層上沉積重新分布結(jié)構(gòu);然后在微電子組件的第二側(cè)面上與包封第二表面相鄰的位置形成第二端子，其中，第二端子覆蓋于重新分布結(jié)構(gòu)上，并且第二連接元件通過重新分布結(jié)構(gòu)將至少一些第二端面與對應(yīng)第二端子電連接。
[0027]在一個實施例中，該方法還包括在金屬柱的至少一些第二端面與包封的第二表面之間延伸形成孔隙，這些空隙暴露金屬柱第二端面的至少一部分;然后形成第二連接元件，第二連接元件延伸穿過包封內(nèi)的孔隙，并且與至少一些金屬柱在第二端面處電連接。
[0028]在一個實施例中，在形成所述結(jié)構(gòu)之前，將微電子元件的前表面附接到載體。
[0029]在一個實施例中，形成所述結(jié)構(gòu)還包括把載體附接到金屬柱，使得微電子元件與導(dǎo)電層第一表面的第一部分并排在一起。
[0030]在一個實施例中，微電子元件與導(dǎo)電層第一表面的第一部分分離。
[0031]在一個實施例中，在形成包封之后，該方法還包括移除載體，以暴露微電子元件的前表面和金屬柱的第二端面;然后移除導(dǎo)電層，以暴露金屬柱的第一端面。
【附圖說明】
[0032]圖1-1示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的側(cè)面示意圖。
[0033]圖1-2示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的側(cè)面示意圖。
[0034]圖1-3示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的側(cè)面示意圖。
[0035]圖1-4示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的側(cè)面示意圖。
[0036]圖1-5示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的俯視橫截面圖。
[0037]圖1-6示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的局部俯視示意圖。
[0038]圖1-7示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的采用堆疊式結(jié)構(gòu)的多個微電子組件的側(cè)面示意圖。
[0039]圖1-8示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的局部俯視示意圖。
[0040]圖1-9示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的局部俯視示意圖。
[0041 ]圖1-10示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件的局部俯視示意圖。
[0042]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例形成微電子組件的方法的流程圖。
[0043]圖3-1至圖3-6示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例制作微電子組件的方法中的各階段。
[0044]圖4-1至圖4-6示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例制作微電子組件的方法中的各階段。
[0045]圖5-1至圖5-6示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例制作微電子組件的方法中的各階段。
[0046]圖6-1至圖6-5示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實施例制作微電子組件的方法中的各階段。
【具體實施方式】
[0047]下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
[0048]本文列舉的范圍都含端值，那些“介于”兩個值之間的范圍亦如此。受“約”、“通常”、“基本上”之類措辭修飾的術(shù)語或數(shù)值，應(yīng)理解成無絕對含義或不是絕對值，但描述現(xiàn)有技術(shù)時不會使用這些術(shù)語或數(shù)值。這類措辭的用意由語境限定，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解這類措辭所修飾術(shù)語的含義。這至少包括用于測量某個值的給定技術(shù)的預(yù)期實驗誤差度、技術(shù)誤差度和儀器誤差度。
[0049]還應(yīng)理解，采用范圍格式的描述僅僅是為了方便和簡潔起見，不應(yīng)被理解為是對本發(fā)明的范圍的僵化限制。因此，對范圍的描述應(yīng)被認(rèn)為具體描述了所有可能的子范圍以及該范圍內(nèi)的各個數(shù)值。例如，對范圍的描述，諸如從I至6應(yīng)被認(rèn)為具體描述了諸如從I至
3、從I至4、從I至5、從2至4、從2至6、從3至6等的子范圍，以及該范圍內(nèi)的各個數(shù)字，例如1、
2、2.3、3、4、5、5.7和6。無論范圍有多大，這都適用。
[0050]如本公開中結(jié)合某部件所使用，當(dāng)述及某元件，例如導(dǎo)電元件、觸點、金屬柱、端子、結(jié)構(gòu)或其他元件“處于”某部件如微電子元件、內(nèi)插板、電路板或其他襯底的表面時，表示如果所述部件沒有與任何其他元件組裝在一起，則所述元件可以與某個理論點接觸，該理論點在垂直于部件表面的方向上從部件的外部朝部件表面移動。因此，處于某部件的表面的元件可從這種表面凸出；可與這種表面齊平；或可在該部件的孔或凹部中相對于這種表面內(nèi)凹。
[0051]圖1-1至圖1-3示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件。本文所公開的微電子組件的各種實施例可單獨使用，也可以組合使用。
[0052]圖1-1示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的微電子組件100的側(cè)面示意圖。微電子組件100包括微電子元件102。微電子元件102可具有前表面104和界定前表面104的邊緣表面106。微電子元件102的第一厚度108可沿第一方向110遠(yuǎn)離前表面104延伸。微電子元件可包括處于前表面104的多個觸點112。示例性微電子元件102可包括半導(dǎo)體晶粒、封裝半導(dǎo)體芯片等中的任一者或多者。
[0053]微電子組件100包括多個大體剛性的金屬柱114，這些金屬柱設(shè)置在至少一個邊緣表面106和微電子組件100的對應(yīng)邊緣之間。圖1-5示出了微電子組件100的一個示例性俯視示意圖，該微電子組件具有微電子元件102和金屬柱114。
[0054]每個金屬柱114包括側(cè)壁116，該側(cè)壁116使第一端面118和第二端面120在第一方向110彼此分離。金屬柱114的側(cè)壁116的均方根(rms)表面粗糙度可小于約I微米?？墒褂帽疚乃_的和下文討論的方法來實現(xiàn)側(cè)壁116的這種低表面粗糙度。在一個實施例中，金屬柱可為大于約99%的圓柱形。例如，可利用本文論述的方法形成金屬柱的低表面粗糙度、形狀和其他特征。金屬柱114可包含選自銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)或其合金的一種或多種金屬。微電子元件100包括包封122，該包封具有沿第一方向110在包封122的第一表面123和第二表面125之間延伸的第二厚度124。包封122至少接觸微電子元件102的邊緣表面106和多個金屬柱114的側(cè)壁116。在一個實施例中，諸如圖1-1所示，包封122的第二厚度124約等于微電子元件102的第一厚度108?？赏ㄟ^模塑包封材料如灌封化合物來形成包封122。在一個具體例子中，包封122可為顆粒復(fù)合物層，該層包含聚合物基質(zhì)和裝填在聚合物基質(zhì)內(nèi)的顆粒?？衫缤ㄟ^沉積其中含有顆粒裝填材料的未固化聚合物材料來形成這種復(fù)合物層，顆粒裝填材料任選地為具有低熱膨脹系數(shù)(“CTE”)的電介質(zhì)材料。
[0055]金屬柱114至少部分地延伸穿過包封122。在一個實施例中，諸如圖1-1所示，金屬柱114從微電子組件100的第一側(cè)面127完全延伸穿過包封122的第二厚度124直到微電子組件100的第二側(cè)面129。第一側(cè)面127和第二側(cè)面129可分別相鄰于包封122的第一表面123和第二表面125。
[0056]微電子組件100可具有位于該微電子組件的第一側(cè)面127上的端子131。在一些實施例中，微電子組件100可在該微電子組件的第二側(cè)面129上具有第二端子133。端子131、133可提供形成微電子組件100與其他部件的電耦合的表面，其他部件諸如另一個微電子組件、內(nèi)插板、印刷電路板(PCB)、或其他此類部件，這些部件分別相鄰于微電子組件的第一側(cè)面127和第二側(cè)面129。在一個示例性實施例中，微電子組件可包括在如圖1-7所示的垂直堆疊結(jié)構(gòu)中。例如，另一個微電子組件可相鄰于第二側(cè)面129堆疊并覆蓋在所述微電子組件上，并且所述微電子組件繼而可在其第一側(cè)面127處堆疊以覆蓋電路板135或另一個部件，諸如內(nèi)插板。許多垂直堆疊布置方式和部件是可行的，且并不限于圖1-7所示的示例性實施例。
[0057]微電子組件100可包括位于微電子組件100的第一側(cè)面127上的絕緣層136。在一個示例性實施例中，該絕緣層包含電介質(zhì)材料。絕緣層136覆蓋在微電子元件102的前表面104和金屬柱114的第一端面118上。連接元件128可遠(yuǎn)離第一端面118延伸并穿過絕緣層136的厚度，以與第一端面118和觸點112電連接。連接元件128可將第一端面118中的至少一些與對應(yīng)端子131連接。如圖1 -1至圖1-4所示，端子131可通過重新分布結(jié)構(gòu)126聯(lián)接到第一連接元件。然而，在一些實施例中，端子131可覆蓋在絕緣層136上。在其他實施例中，端子131可在絕緣層136中形成，或作為另外一種選擇在覆蓋在絕緣層136上的另一個絕緣層中形成。絕緣層136可包含一種或多種聚合物材料，諸如聚酰亞胺、聚酰胺或感光材料，在某些情況下，聚合物材料可為苯并環(huán)丁烷(BCB)。
[0058]微電子組件100可包括在微電子組件100的第二側(cè)面129處的第二絕緣層140。第二絕緣層140可包括如關(guān)于絕緣層136所述的任何實施例和/