用于顯示面板的顯示基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)，具體的，涉及一種用于顯示面板的顯
[0002]示基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]有機發(fā)光二極管(organic light-emitting d1de，0LED)設(shè)備目前被廣泛應(yīng)用。在各種OLED器件中，制造商對于柔性O(shè)LED設(shè)備表現(xiàn)出極大的興趣，并生產(chǎn)出了各種柔性O(shè)LED設(shè)備。
[0004]如圖1所示，一個柔性O(shè)LED顯示器面板通常包括多個膜或?qū)樱缱钃跄?barrier打1111，8?)、有機層(未示出)、粘合層、薄膜晶體管(1:11；[11-;^1111 transistor，TFT)層、柔性基板和基板。在柔性O(shè)LED顯示器面板的制造過程中，激光切割通常被用來割除基板上的一個或多個膜的某些部分，露出基板上的某些組件，以便進行測試。二氧化碳激光已被普遍地使用在激光切割過程中，以除去基板上某些膜的某些部分。
[0005]激光切割過程通常包括全切割工藝和半切割工藝，如圖1所示。全切割處理是指切斷或除去基板上的所有的膜的某些部分，直至玻璃基板被露出。半切割工藝是指只切斷一些膜或?qū)?，而不是全部的膜或?qū)拥哪承┎糠郑月冻鲆r底上的某些膜或?qū)拥囊恍┎糠?。例如，如圖1所示，半切割工藝可用于除去阻擋膜的部分，露出TFT層的一部分，以進行測試。半切割工藝不應(yīng)損害膜下的TFT層。因此，激光能量是可以被調(diào)節(jié)和控制的，以適應(yīng)激光切割過程的深度。
[0006]然而，在基板上的膜通常非常薄。即使激光能量比切割過程中所需要的激光能量略高，也可能對要露出的層(例如，TFT層)造成損害。其結(jié)果是，使用傳統(tǒng)的激光切割技術(shù)，工藝窗口可能會比較窄。另外，將激光能量調(diào)整到適當?shù)乃娇赡軙馁M大量的時間和切割樣品，會比較昂貴。此外，即使激光能量水平被設(shè)定在合適的值，能量的一個小波動也可能會導(dǎo)致將要露出的層(例如，TFT層)受到損害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供用一種用于形成顯示基板，例如，柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的方法。所公開的方法可被實施用以制造柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)，并且可以防止TFT層在激光切割過程中被損壞。在本實施例公開的內(nèi)容中，制造過程的可調(diào)節(jié)工藝窗口得以改善，并且柔性O(shè)LED顯示面板的制造成本可被降低。
[0008]本發(fā)明的目的一方面在于提供一種用于制造顯示面板的顯示基板的方法，包括:
[0009]提供一個柔性有機發(fā)光二極管基底，在所述柔性有機發(fā)光二極管基底上具有薄膜晶體管層，以及在所述薄膜晶體管層上具有圖案化的粘合層，所述薄膜晶體管層包括至少一個測試區(qū)域；
[0010]提供阻擋膜，在所述阻擋膜的一個表面上具有的圖案化的激光阻擋層，所述阻擋膜的所述表面正對所述薄膜晶體管層；[0011 ]將所述阻擋膜粘接到所述柔性有機發(fā)光二極管基底上，使得所述圖案化的激光阻擋層的至少一部分對應(yīng)于所述至少一個測試區(qū)域;和
[0012]用一激光束沿切割線照射所述阻擋膜，以將所述阻擋膜的第一部分從所述阻擋膜的第二部分移除。
[0013]可選的，用一激光束照射以移除所述阻擋膜的過程包括:用所述激光束沿所述切割線移動以熔化沿著所述切割線的所述阻擋膜的一部分;將所述阻擋膜的第一部分從所述阻擋膜的第二部分分離，所述阻擋膜的第一部分與所述測試區(qū)域相關(guān)聯(lián);和將所述阻擋膜的第一部分從所述阻擋膜的第二部分移除，以暴露所述薄膜晶體管層上的所述至少一個測試區(qū)域。
[0014]可選的，所述圖案化的激光阻擋層的至少一部分形成在所述阻擋膜的第一部分上。
[0015]可選的，所述圖案化的粘合層的一部分和所述至少一個測試區(qū)域之間形成空隙。
[0016]可選的，所述圖案化的激光阻擋層由一種對激光具有反射性的材料制成。
[0017]可選的，所述激光束是二氧化碳激光束，所述圖案化的激光阻擋層對所述二氧化碳激光束的波長具有反射性。
[0018]可選的，所述圖案化的激光阻擋層是通過沉積工藝或旋涂工藝或接合工藝或以上工藝的組合形成的。
[0019]可選的，所述圖案化的粘合層不覆蓋所述薄膜晶體管層上的所述至少一個測試區(qū)域。
[0020]可選的，所述圖案化的激光阻擋層由銅或鋁或銅和鋁的組合制成。
[0021 ]可選的，所述圖案化的激光阻擋層的厚度為8納米至I微米。
[0022]本技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以通過說明書，權(quán)利要求，以及本發(fā)明的附圖來理解本發(fā)明的其他方面。
【附圖說明】
[0023]下列的圖示用來說明本發(fā)明在此文公開的實施例。這些實施例并不局限本發(fā)明的范圍。
[0024]圖1為一柔性O(shè)LED顯示面板中的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的一部分的剖面圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實施例中柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的一部分的剖面圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實施例中的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的一部分的另一剖面圖；及
[0027]圖4為本發(fā)明實施例中的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的一部分的另一剖面圖。
【具體實施方式】
[0028]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明提供的一種顯示面板和顯示裝置作進一步詳細描述。只要可能，相同的附圖標記將貫穿附圖來表示相同或相似的部分。
[0029]本發(fā)明的一方面提供了一種用于半切割工藝的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)。
[0030]圖1示出了一個用于形成柔性O(shè)LED顯示面板的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)一部分的剖面圖。所述柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)可以包括一個阻擋膜、一個粘合層、一個TFT層、一個柔性基板和一個剛性基板。所述剛性基板可以是玻璃制成，用于支撐柔性基板，以及在制造和測試的過程中支撐形成在柔性基板上的組件。剛性基板可以在后續(xù)制造過程中移除。所述柔性基板在剛性基板上形成，并且可以由聚酰亞胺(PI)制成。在柔性基板上，可以形成TFT層。一有機層(未示出)和相應(yīng)的電極層(未示出)可以在TFT層上形成，以形成多個用于發(fā)光的有機發(fā)光二極管。所述TFT層可以包括多個薄膜晶體管，并且至少一些薄膜晶體管與有機發(fā)光二極管連接，以控制和驅(qū)動所述有機發(fā)光二極管。為觀看簡單起見，所述有機發(fā)光二極管和所述電極層在圖中未示出。通常圖案化的粘合層可以在TFT層的某些部分上形成，用以附合或者粘合阻擋膜。粘合層可以是任何合適的粘合劑，例如粘膠。所述阻擋膜可以是一塑料薄膜或具有高透明度的板。所述阻擋膜可以用于防止顯示面板的某些部件，暴露于氧氣和濕氣中，例如，所述TFT層和有機發(fā)光二極管。
[0031]在實踐中，TFT層上某些區(qū)域被設(shè)計用于測試。測試之后，顯示面板可被處理進行后續(xù)操作。因此，TFT層上用于測試(例如，單元測試)的區(qū)域可不被粘合層覆蓋。換言之，粘合層可以被圖案化，以使得TFT層上被用于單元測試的區(qū)域不被粘合層覆蓋。當阻擋膜被粘貼在粘合層上，所述阻擋膜和用于單元測試的區(qū)域之間可以形成空隙，如圖1所示。
[0032]在一個柔性O(shè)LED顯示面板的制造過程中，位于某些TFT區(qū)域之上，用于單元測試的阻擋膜可以在測試過程完成之后被除去。因此，激光切割工藝的半切割工藝可以被用于去除所需位置的阻擋膜部分，以使在阻擋膜的某些部分被去除之后，進行單元測試的TFT區(qū)域可被暴露出來。
[0033]圖2示出了本公開內(nèi)容的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)。所述柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)可具有至少一個用作單元測試的TFT區(qū)域。為了圖示簡單起見，圖2只示出了在圖1所示的柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)的一部分。
[0034]如圖2所示，柔性O(shè)LED結(jié)構(gòu)可以進一步包括在阻擋膜背面的一激光阻擋層。所述阻擋膜的背面可以指面對TFT層的表面或與粘合層粘接的表面。所述激光阻擋層可以是在阻擋膜的背面的圖案化膜。且僅在阻擋膜背面上對應(yīng)TFT區(qū)域的范圍上沉積有所述激光阻擋層。所述激光阻擋層的厚度可為約8納米至約I微米。激光阻擋層的一部分為圖2中的黑線所不O
[0035]如圖2中所示，可以在TFT層或有機層上形成一粘合層。所述粘合層可被圖案化，以暴露用于單元測試的TFT區(qū)域。所述阻擋膜可置于粘合層上以覆蓋用于做單元測試的在TFT區(qū)域。所述阻擋膜可以是具有高透明度的塑料板或膜。由于阻擋膜是剛性的，故阻擋膜的背面和TFT層的上表面之間可以形成空隙。
[0036]激光阻擋層在阻擋膜的背面被圖案化。阻擋膜的背面可以指面對所述TFT層和柔性基板的阻擋膜表面。僅是阻擋膜背面上對應(yīng)用作單元測試的TFT區(qū)域被沉積了所述激光阻擋層，如圖2所示。所述激光阻擋層可以由能夠在激光切割過程中反射激光的任何合適的材料制成。例如，激光阻擋層可以由金屬，如銅和/或鋁制成。
[0037]在操作時，二氧化碳激光器可以用在半切割工藝以去除用以做單元測試的TFT層上方的所需的阻擋膜部分。二氧化碳激光的波長可為約9.3微米。激光束可以沿著一個切割線移動以去除所需的阻擋膜部分。由激光束和阻擋膜的所需部分之間的接觸而產(chǎn)生的熱可熔化沿著切割線的阻擋膜，使得所期望移除的阻擋膜部分可被斷開或分離。阻擋膜斷開的部分可以通過機械力完全從阻擋膜的剩余部分除去。同時，當二氧化碳激光照射在切割線上，波長可反射回阻擋