Tft基板的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。
[0005]隨著智能手機的快速發(fā)展，移動顯示已經(jīng)由a-Si (非晶硅)TFT-LCD過渡為LTPS(低溫多晶硅)TFT-LCD。由于LTPS技術(shù)具有電子迀移率高的優(yōu)勢，非常適合用于制作高分辨率顯示器件。但在目前LTPS技術(shù)中，TFT陣列基板制作過程中的靜電放電(ESD)防護是一難題。在TFT陣列基板的制作工藝過程中，像素區(qū)一旦發(fā)生ESD，則會導致單點像素的TFT工作異常，或ESD所在行、列的所有像素顯示異常，陣列基板無法正常工作。如圖1所示，特別是在采用物理氣相沉積(PVD)方法進行源漏極金屬層100的鍍膜過程中，很容易在柵極200和多晶硅層300之間發(fā)生ESD。為了降低TFT陣列基板制作工藝過程中ESD的發(fā)生率，技術(shù)人員采取了設備加裝離子棒(Bar)、接地等各種措施，但是這些措施的效果都不顯著。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，不僅能夠確保在源漏極金屬層的成膜過程中不會發(fā)生靜電放電現(xiàn)象，而且能夠有效降低在源漏極金屬層的光刻制程完成前靜電放電現(xiàn)象的發(fā)生率。
[0007]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0008]步驟1、提供一基板，在所述基板上形成遮光金屬層，對所述遮光金屬層進行圖案化處理，得到數(shù)個遮光金屬塊，在所述數(shù)個遮光金屬塊、及基板上形成緩沖層；
[0009]步驟2、在所述緩沖層上形成數(shù)個間隔設置的多晶硅層，每個多晶硅層包括位于兩端的第一重摻雜區(qū)與第二重摻雜區(qū)、位于中間的第三重摻雜區(qū)、位于所述第一重摻雜區(qū)與第三重摻雜區(qū)之間的第一溝道區(qū)、及位于所述第二重摻雜區(qū)與第三重摻雜區(qū)之間的第二溝道區(qū);所述第一溝道區(qū)與第二溝道區(qū)分別對應一遮光金屬塊上方設置；
[0010]步驟3、在所述多晶硅層、及緩沖層上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上通過物理氣相沉積方法形成柵極金屬層，對該柵極金屬層進行圖案化處理，得到對應第一溝道區(qū)上方的第一柵極、及對應第二溝道區(qū)上方的第二柵極、以及連接第一柵極與第二柵極的柵極掃描線，同時在所述柵極掃描線的側(cè)邊形成數(shù)個與其相連的防靜電凸塊；
[0011]步驟4、在所述第一、第二柵極、柵極掃描線、及柵極絕緣層上方形成層間絕緣層，對所述層間絕緣層及柵極絕緣層進行圖案化處理，在所述層間絕緣層及柵極絕緣層上形成對應第一重摻雜區(qū)及第二重摻雜區(qū)上方的的第一過孔，在所述層間絕緣層上形成對應所述防靜電凸塊上方的第二過孔；
[0012]步驟5、在層間絕緣層上通過物理氣相沉積方法形成覆蓋整個層間絕緣層的源漏極金屬層，所述源漏極金屬層通過第一過孔與第一重摻雜區(qū)及第二重摻雜區(qū)相接觸，同時通過第二過孔與所述柵極掃描線側(cè)邊的防靜電凸塊相接觸，由于所述柵極掃描線連接第一柵極與第二柵極，從而所述源漏極金屬層與所述第一、第二柵極相連接，同時所述源漏極金屬層還與多晶硅層相連接，從而使得多晶硅層與第一、第二柵極之間的電壓為零，避免了源漏極金屬層的成膜過程中多晶硅層與第一、第二柵極之間發(fā)生靜電放電現(xiàn)象；
[0013]步驟6、采用一道光刻制程對所述源漏極金屬層進行圖案化處理，得到源極與漏極，所述源極、漏極分別通過第一過孔與第一重摻雜區(qū)及第二重摻雜區(qū)相接觸。
[0014]所述步驟I中，所述基板為透明基板，所述緩沖層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復合層。
[0015]所述步驟2中，所述第一重摻雜區(qū)、第二重摻雜區(qū)、及第三重摻雜區(qū)均為N型重摻雜區(qū)或P型重摻雜區(qū)。
[0016]所述N型重摻雜區(qū)中摻入的離子為磷離子或砷離子;所述P型重摻雜區(qū)中摻入的離子為硼離子或鎵離子。
[0017]所述步驟3中，沿所述柵極掃描線的延伸方向，每三個相鄰的多晶硅層之間設置一個防靜電凸塊。
[0018]所述步驟3中，所述柵極金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合;所述柵極絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復合層。
[0019]所述步驟4中，所述層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復合層;所述步驟5中，所述源漏極金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0020]所述步驟6中，所述光刻制程包括光阻涂布、曝光、顯影、干蝕刻、及光阻剝離制程。
[0021]在干蝕刻過程中，所述源漏極金屬層沉積于第二過孔中的部分被蝕刻掉，從而得到的源極、漏極與柵極掃描線、及第一、第二柵極之間斷開連接。
[0022]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種TFT基板的制作方法，通過在柵極掃描線的側(cè)邊形成防靜電凸塊，之后在層間絕緣層上形成對應所述防靜電凸塊上方的第二過孔，從而在沉積源漏極金屬層后，所述源漏極金屬層通過第二過孔與所述柵極掃描線側(cè)邊的防靜電凸塊相接觸，由于所述柵極掃描線連接第一、第二柵極，從而所述源漏極金屬層與所述第一、第二柵極相連接，同時所述源漏極金屬層還與多晶硅層相連接，從而使得多晶硅層與第一、第二柵極之間的電壓為零，不僅能夠確保在源漏極金屬層的成膜過程中不會發(fā)生靜電放電現(xiàn)象，而且能夠有效降低在源漏極金屬層的光刻制程完成前靜電放電現(xiàn)象的發(fā)生率；另外，由于柵極掃描線的側(cè)邊設置有連通防靜電凸塊的第二過孔，從而在柵極掃描線發(fā)生斷路時，便于采用化學氣相沉積的方法進行修補。
[0023]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0024]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0025]附圖中，
[0026]圖1為現(xiàn)有的TFT基板制作過程中發(fā)生ESD現(xiàn)象的示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的示意流程圖；
[0028]圖3為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟I的示意圖；
[0029]圖4-5為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0030]圖6-7為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0031]圖8-9為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0032]圖10-11為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖；
[0033]圖12-13為本發(fā)明的TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖。
【具體實施方式】
[0034]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0035]請參閱圖2，本發(fā)明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0036]步驟1、如圖3所示，提供一基板10，在所述基板10上形成遮光金屬層，對所述遮光金屬層進行圖案化處理，得到數(shù)個遮光金屬塊20，在所述數(shù)個遮光金屬塊20、及基板10上形成緩沖層21。
[0037]具體的，所述基板10為透明基板，優(yōu)選為玻璃基板。
[0038]具體的，所述緩沖層21為氧化硅(S1x)層、氮化硅(SiNx)層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構(gòu)成的復合層。
[0039]步驟2、如圖4-5所示，在所述緩沖層21上形成數(shù)個間隔設置的多晶硅層30，每個多晶硅層30包括位于兩端的第一重摻雜區(qū)301與第二重摻雜區(qū)302、位于中間的第三重摻雜區(qū)303、位于所述第一重摻雜區(qū)301與第三重摻雜區(qū)303之間的第一溝道區(qū)304、及位于所述第二重摻雜區(qū)302與第三重摻雜區(qū)303之間的第二溝道區(qū)305;所述第一溝道區(qū)304與第二溝道區(qū)305分別對應一遮光金屬塊20上方設置。
[0040]具體的，所述第一重摻雜區(qū)301、第二重摻雜區(qū)302、及第三重摻雜區(qū)303均為N型重摻雜區(qū)或P型重摻雜區(qū)，所述N型重摻雜區(qū)中摻入的離子可以為磷(P)離子或砷(As)離子;所述P型重摻雜區(qū)中摻入的離子可以為硼(