陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，具體涉及顯示裝置的陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置的制作過程需要進(jìn)行封裝，并且封裝的優(yōu)劣對于成品率有較大的影響
[0003]圖1示出了一種設(shè)置在陣列基板上的傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)。該陣列基板包括玻璃基板100、緩沖層201、柵絕緣層202、柵金屬層203、中間絕緣層204、源漏極金屬層205、有機(jī)層206、隔離柱207以及蓋板玻璃900，其中，該封裝結(jié)構(gòu)包括在陣列基板的部分功能層上設(shè)置的通孔903，封裝膠902通過所述通孔903流入，以與柵金屬接觸。
[0004]如圖2所示，其進(jìn)一步示出了通孔903的結(jié)構(gòu)。通孔903的截面為“I”形。
[0005]采用圖1-2中示出的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝時，其具有如下缺點(diǎn):
[0006]在進(jìn)行組裝時，利用激光對封裝膠進(jìn)行融化，上述“I”形通孔的封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致封裝膠溢出；
[0007]上述“I”形通孔的封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致封裝后陣列基板內(nèi)部殘余應(yīng)力較大，從而引起封裝膠開裂；
[0008]采用上述封裝結(jié)構(gòu)，封裝機(jī)械強(qiáng)度不夠，對成品進(jìn)行測試時水汽、氧氣易進(jìn)入陣列基板內(nèi)，導(dǎo)致顯示器件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題和缺陷的至少一個方面。
[0010]根據(jù)本發(fā)明所提供的陣列基板。其包括:顯示區(qū)和封裝區(qū)，所述封裝區(qū)包括多層功能層，所述封裝區(qū)還包括通孔，所述通孔貫穿至少一層功能層，所述通孔用于使封裝膠通過所述通孔流入;溝槽，所述溝槽設(shè)置在至少部分所述通孔上方，其中，所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。
[0011 ]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述通孔的截面設(shè)置成倒T形結(jié)構(gòu)。
[0012]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述功能層包括層疊的第一膜層、第二膜層和第三膜層；所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板;所述通孔包括第一通孔、第二通孔;所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第二通孔貫穿第二膜層;所述溝槽包括設(shè)置在第二通孔上方的第一溝槽。
[0013]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述通孔還包括第三通孔;所述第三通孔貫穿第二膜層和第三膜層;所述溝槽還包括設(shè)置在第三通孔上方的第二溝槽和/或設(shè)置在第二通孔和第三通孔上方的第三溝槽。
[0014]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述功能層還包括第四膜層，所述通孔還包括第四通孔，其中，所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層;所述溝槽還包括設(shè)置在第四通孔上方的第四溝槽和/或設(shè)置在第二通孔以及第四通孔上方的第五溝槽。
[0015]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述第一膜層為源漏極金屬層;所述第二膜層為中間絕緣層;所述第三膜層為柵金屬層。
[0016]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述第一膜層為源漏極金屬層;所述第二膜層為中間絕緣層;所述第三膜層為柵金屬層;所述第四膜層為柵絕緣層。
[0017]本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述陣列基板包括封裝膠以及上述的陣列基板，所述封裝膠位于所述封裝區(qū)內(nèi)。
[0018]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0019]本發(fā)明還提供一種制造前述的陣列基板的方法，其包括以下步驟:形成顯示區(qū)和封裝區(qū)，所述封裝區(qū)包括多層功能層；形成封裝區(qū)的步驟還包括:形成通孔，所述通孔貫穿至少一層功能層，所述通孔用于使封裝膠通過所述通孔流入;形成溝槽，所述溝槽位于至少部分所述通孔上方，其中，所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。
[0020]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，上述方法還包括步驟:在所述功能層底部形成倒T形通孔。
[0021]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在形成封裝區(qū)的步驟中，形成所述功能層使其包括第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板;通過構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第一溝槽;通過構(gòu)圖工藝形成所述第一通孔、第二通孔，其中，所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第二通孔貫穿第二膜層，所述第一溝槽位于第二通孔上方。
[0022]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述形成封裝區(qū)的步驟還包括:通過構(gòu)圖工藝形成第三通孔;所述第三通孔貫穿第二膜層和第三膜層;通過構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第二溝槽和/或第三溝槽;所述第二溝槽位于所述第三通孔上方;所述第三溝槽位于所述第二通孔和第三通孔上方。
[0023]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述形成封裝區(qū)的步驟還包括:形成第四膜層;通過構(gòu)圖工藝形成第四通孔;所述第四通孔貫穿第二膜層、第三膜層和第四膜層;通過構(gòu)圖工藝在第一膜層上形成第四溝槽和/或第五溝槽;所述第四溝槽位于所述第四通孔上方;所述第五溝槽位于所述第二通孔和第四通孔上方。
[0024]利用本發(fā)明所提出的技術(shù)方案，其取得下述有益的技術(shù)效果的至少一個方面，通過本發(fā)明所提供的陣列基板，其可以在激光融化封裝膠時，避免封裝膠的溢出；利用本發(fā)明所提供的陣列基板可以增強(qiáng)封裝位置處的機(jī)械強(qiáng)度;利用本發(fā)明所提供的陣列基板可以減少封裝后陣列基板內(nèi)部殘余應(yīng)力，降低裂開風(fēng)險;工藝兼容性強(qiáng)，簡單可行。
【附圖說明】
[0025]本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對優(yōu)選實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0026]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中用于陣列基板的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0027]圖2是圖1的結(jié)構(gòu)的局部圖；
[0028]圖3是根據(jù)本發(fā)明所提供的陣列基板的一種實(shí)施方式的示意圖；
[0029]圖4是根據(jù)本發(fā)明所提供的陣列基板的又一種實(shí)施方式的示意圖；
[0030]圖5是根據(jù)本發(fā)明所提供的陣列基板的再一種實(shí)施方式的示意圖；[0031 ]圖6是對本發(fā)明所提供的陣列基板進(jìn)行封裝融化的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中相同的標(biāo)號對應(yīng)相同的元件。但是，本發(fā)明有很多不同的實(shí)施方案，不能解釋為將本發(fā)明限定在所述的實(shí)施例;而只是通過提供本發(fā)明的實(shí)施例，使本公開內(nèi)容全面而完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全的傳達(dá)本發(fā)明的概念。
[0033]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明所提供的陣列基板的一種實(shí)施方式，其包括:顯示區(qū)和封裝區(qū)，所述封裝區(qū)包括多層功能層，所述封裝區(qū)包括:通孔904，所述通孔貫穿至少一層功能層，封裝膠通過所述通孔流入;溝槽905，所述溝槽設(shè)置在至少部分所述通孔上方，其中，所述至少部分通孔在陣列基板的襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)。通過本發(fā)明所提供的陣列基板，其可以在激光融化封裝膠時，因?yàn)闇喜鄣脑O(shè)置，可以起到導(dǎo)膠的作用，避免傳統(tǒng)工藝中只有單一通孔造成的封裝膠的溢出，并且通過溝槽與通孔的配合，可以增強(qiáng)封裝位置處的機(jī)械強(qiáng)度，減少封裝后陣列基板內(nèi)部殘余應(yīng)力，降低裂開風(fēng)險，工藝兼容性強(qiáng)，簡單可行。
[0034]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述功能層包括層疊的第一膜層、第二膜層和第三膜層；所述第一膜層較所述第二膜層以及第三膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板;所述通孔包括第一通孔、第二通孔;所述第一通孔貫穿第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第二通孔貫穿第二膜層;所述溝槽包括設(shè)置在第二通孔上方的第一溝槽。
[0035]在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述通孔還包括第三通孔;所述第三通孔貫穿第二膜層和第三膜層;所述溝槽還包括設(shè)置在第三通孔上方的第二溝槽和/或設(shè)置在第二通孔和第三通孔上方的第三溝槽。
[0036]具體的，在圖3所示出的陣列基板，該陣列基板包括襯底基板100(可以是玻璃基板)、緩沖層201、柵絕緣層202、柵金屬層203、中間絕緣層204、源漏極金屬層205、有機(jī)層206、隔離柱207以及蓋板玻璃900。所述第一膜層為源漏極金屬層205;所述第二膜層為中間絕緣層204;所述第三膜層為柵金屬層203。但是，上述第一膜層、第二膜層以及第三膜層的具體形式不構(gòu)成對本發(fā)明的限定，本實(shí)施例以依次層疊的源漏極金屬層205、中間絕緣層204以及柵金屬層203為例進(jìn)行說明，但是第一膜層、第二膜層以及第三膜層的位置關(guān)系不限于此，如第一膜層為漏極金屬層205、第二膜層為柵金屬層203、第三膜層為中間絕緣層204等，相應(yīng)的第一溝槽采用對漏極金屬層205、中間絕緣層204進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成即可。另夕卜，第一膜層、第二膜層以及第三膜層也可以是陣列基板的其他層，如鈍化層、半導(dǎo)體層、有機(jī)電致發(fā)光層等。
[0037]本申請實(shí)施例中，以位于第二通孔以及第三通孔上方的第三溝槽905為例，由于設(shè)置了溝槽，如第三溝槽905，并且所述第二通孔以及第三通孔在襯底基板上的投影區(qū)域位于所述溝槽905在所述襯底基板上的投影區(qū)域內(nèi)，也即是說第三溝槽905在襯底基板上的投影區(qū)域面積大于所述第二通孔以及第三通孔在襯底基板上的投影區(qū)域的面積，從而在利用激光對封裝膠進(jìn)行融化時，溝槽可以起到導(dǎo)膠的作用，封裝膠不會外溢，從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中的封裝膠外溢的問題。同時，由于通孔貫穿了不同的膜層，也即是不同深度的通孔，可以平衡內(nèi)部應(yīng)力，減少激光融化后殘余應(yīng)力，降低裂開風(fēng)險。
[0038]本發(fā)明的實(shí)施方式中，溝槽也可以對應(yīng)的單獨(dú)設(shè)置在第二通孔以及第三上方，如第一溝槽以及第二溝槽(圖中未示出)。
[0039]如圖4所示，其示出了本發(fā)明所提供的陣列基板的又一實(shí)施方式，為了便于說明，圖4僅僅示出了與通孔有關(guān)的陣列基板的功能層。為了表述清楚，圖4中分別以附圖標(biāo)記9041、9042以及9043來分別表示第一通孔、第二通孔以及第三通孔。圖4分別示出了陣列基板的部分功能層:玻璃基板100、緩沖層201、柵絕緣層202、柵金屬層203、中間絕緣層204、源漏極金屬層205。與圖3的實(shí)施方式不同之處在于，第一通孔9041以及第三通孔9043的截面設(shè)置成倒T形結(jié)構(gòu)。由于上述倒T形的結(jié)構(gòu)，可以使更多的封裝膠容納在通孔中，從而