反射率與最小反射率之差為6.17%， 在實(shí)施例29中，平均反射率為9.94%、最大反射率與最小反射率之差為5.44%，在實(shí)施例30 中，平均反射率為8.69 %、最大反射率與最小反射率之差為6.99 %。
[0208] 與試驗(yàn)例4的使用Ιη203的靶的情況同樣地，隨著Sn02的比率增加而平均反射率降 低，但在實(shí)施例29的比率10:4時(shí)產(chǎn)生底部，因此，可知ZnO · Cu混合物與Sn02的比率為10:4 是適合的。
[0209] (試驗(yàn)例6使用兩種透明氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)的情況下的氮?dú)庖蕾囆匝芯浚?br>[0210]在本例中，在使用ZnO和Sn〇2兩種作為透明氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)通過(guò)派射成膜出金 屬化合物層30a的情況下，針對(duì)氮?dú)鈱?dǎo)入量對(duì)光學(xué)特性帶來(lái)的影響進(jìn)行研究。
[0211] 制作出將作為透明氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)的ZnO、作為氧化物生成自由能高的金屬的 Cu、和Sn02以成為2:3:1的體積比的方式混合而成的靶，并安放在濺射裝置內(nèi)。
[0212] 使濺射條件為無(wú)加熱、到達(dá)壓力8.00E_4Pa、濺射壓力1.60E_lPa、DC輸入電力 0.3kw下，在Ar氣體120sccm中分別以0sccm(實(shí)施例31)、20sccm(實(shí)施例32)、40sccm(實(shí)施例 33)、60sccm(實(shí)施例34)、80sccm(實(shí)施例35)、100sccm(實(shí)施例36)導(dǎo)入氮?dú)?，分別以膜厚 40nm為目標(biāo)進(jìn)行成膜。
[0213]然后，在實(shí)施例31~36的金屬化合物層30a上通過(guò)DC派射法將Cu成膜而形成120nm 的金屬層20,制作出實(shí)施例31~36的層疊體1。從背面?zhèn)?玻璃面?zhèn)?測(cè)定實(shí)施例31~36的層 疊體1的反射率，計(jì)算出可視區(qū)域(400nm~700nm)內(nèi)的平均反射率、最大反射率與最小反射 率之差。
[0214] 將實(shí)施例31~36的層疊體1的反射率的測(cè)定結(jié)果示于圖16中，將平均反射率以及 最大反射率與最小反射率之差示于圖17中。
[0215] 如圖16所示，平均反射率為15%以下、最大反射率與最小反射率之差為10%以下 的是實(shí)施例32~36的氮流量為20sccm~lOOsccm的情況。在實(shí)施例32(氮20sccm)中，平均反 射率為13.17%、最大反射率與最小反射率之差為2.78%，在實(shí)施例36(氮lOOsccm)中，平均 反射率為2.54%、最大反射率與最小反射率之差為6.76 %。隨著氮流量的增加，平均反射率 逐漸降低，相反，最大反射率與最小反射率之差增大。
[0216] 另外，在實(shí)施例31(氮Osccm)中，波長(zhǎng)550nm以上的反射率高達(dá)23%以上。這是因 為，Cu的反射率的特性產(chǎn)生很大影響。
[0217]另外，隨著氮的導(dǎo)入量增加，反射率降低，因此，可知在形成金屬化合物時(shí)Cu因?qū)?入氮而發(fā)生氮化。
[0218](試驗(yàn)例7使金屬層為MoNb膜與AINd膜的兩層構(gòu)成的情況下的向金屬化合物層的 氮導(dǎo)入量的研究）
[0219]對(duì)于使圖1的金屬層20為MoNb薄膜與AINd薄膜的兩層構(gòu)成的情況，針對(duì)金屬化合 物層30a成膜時(shí)的氮流量對(duì)層疊體1的反射率的特性帶來(lái)的影響進(jìn)行研究。
[0220] 制作出作為透明氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)的ZnO與作為氧化物生成自由能高的金屬的Cu 的比率以體積比計(jì)為5:5的靶，安放在濺射裝置內(nèi)。
[0221] 使濺射條件為無(wú)加熱、到達(dá)壓力8.00E_4Pa、濺射壓力1.60E_lPa、DC輸入電力 0.31〇￥，在六1'氣體1208(3〇]1中分別以208(3〇11(實(shí)施例37)、408(3〇11(實(shí)施例38)、608(3〇11(實(shí)施例 39)、80sccm(實(shí)施例40)、100sccm(實(shí)施例41)導(dǎo)入氮?dú)?，分別以膜厚40nm為目標(biāo)進(jìn)行成膜。
[0222] 然后，在實(shí)施例37~41的金屬化合物層30a上成膜出25nm的鉬合金(MoNb)作為金 屬層20后，接著成膜出100nm的錯(cuò)合金(AINd)，成膜出由MoNb膜和AINd膜的兩層構(gòu)成的金屬 層20。從背面?zhèn)?玻璃面?zhèn)?測(cè)定實(shí)施例37~41的層疊體1的反射率，計(jì)算出可視區(qū)域(400nm ~700nm)內(nèi)的平均反射率、最大反射率與最小反射率之差。
[0223] 將實(shí)施例37~41的層疊體1的反射率的測(cè)定結(jié)果示于圖18中，將平均反射率以及 最大反射率與最小反射率之差示于圖19中。
[0224] 如圖19所示，平均反射率為15%以下、最大反射率與最小反射率之差為10%以下 的是實(shí)施例39~41的氮流量為60sccm~lOOsccm的情況，在實(shí)施例39(氮流量60sccm)中，平 均反射率為13.71 %、最大反射率與最小反射率之差為5.71 %。另外，在實(shí)施例41 (氮流量 lOOsccm)中，平均反射率為7.46%、最大反射率與最小反射率之差為2.61 %。
[0225] 在本例中，與試驗(yàn)例5的結(jié)果不同，隨著形成金屬化合物層30a時(shí)的氮流量增加至 2〇SCCm~lOOsccm，平均反射率、最大反射率、最小反射率、最大反射率與最小反射率之差的 值均降低，顯示出更良好的光學(xué)特性。根據(jù)上述結(jié)果可知，通過(guò)濺射時(shí)的氮導(dǎo)入，從靶飛散 的Cu發(fā)生氮化。
[0226]另外，可知在流量為20sccm~lOOsccm的范圍內(nèi)，在氮流量增加的同時(shí)反射率持續(xù) 降低，在作為本例的最大流量的氮流量為lOOsccm情況下，平均反射率、最大反射率、最小反 射率、最大反射率與最小反射率之差的值均沒(méi)有達(dá)到底部，因此通過(guò)進(jìn)一步將氮導(dǎo)入量增 加至lOOsccm以上，可以得到更良好的低反射率的層疊膜。
[0227](試驗(yàn)例8使金屬層為AINd膜或APC膜的情況下的金屬化合物膜厚的研究）
[0228] 對(duì)于使圖1的金屬層20為A1合金(AINd)膜或Ag合金(APC:Ag-Pd_Cu合金)膜的情 況，針對(duì)金屬化合物層30a的膜厚對(duì)層疊體1的反射率的特性帶來(lái)的影響進(jìn)行研究。
[0229]制作作為透明氧化物半導(dǎo)體物質(zhì)的ZnO和作為氧化物生成自由能高的金屬的Cu的 比率以體積比計(jì)為5:5的靶，安放在濺射裝置內(nèi)。
[0230] 使濺射條件為無(wú)加熱、到達(dá)壓力8.00E_4Pa、濺射壓力1.60E_lPa、DC輸入電力 0 · 3kw，在Ar氣體120sccm中導(dǎo)入60sccm氮?dú)獾臍夥罩?，以膜厚?0nm、50nm、60nm的方式成 膜出為金屬化合物的ΖηΟ-Cu膜，得到金屬化合物層30a。
[0231 ] 然后，在膜厚為40nm、50nm、60nm的金屬化合物層30a上分別成膜出錯(cuò)合金(AINd) 100nm或Ag合金(APC) 100nm作為金屬層20，成膜出金屬層20〇
[0232] 將金屬化合物層30a的膜厚為40腦、50腦、6〇11111、且金屬層20為4]^(1的情況分別作 為實(shí)施例42~44,將金屬化合物層30a的膜厚為4〇11111、5〇11111、6〇11111、且金屬層20為4?(]的情況 分別作為實(shí)施例45~47。
[0233] 從背面?zhèn)龋úＡ鎮(zhèn)龋瑴y(cè)定實(shí)施例42~47的層疊體1的反射率，計(jì)算出可視區(qū)域 (400nm~700nm)內(nèi)的平均反射率、最大反射率與最小反射率之差。
[0234]將實(shí)施例42~47的層疊體1的反射率的測(cè)定結(jié)果示于圖20中，將平均反射率以及 最大反射率與最小反射率之差示于圖21中。
[0235] 在膜厚40nm的金屬化合物層30a上成膜出AINd的實(shí)施例42中，最大反射率與最小 反射率之差為10.68 %，在實(shí)施例43~47中，平均反射率為6.22 %~11.0 %、最大反射率與 最小反射率之差處于4.36%~6.71 %的范圍內(nèi)，能夠得到目視也為暗色彩、且適合的反射 率特性的層疊體1。
[0236] (試驗(yàn)例9蝕刻性評(píng)價(jià)）
[0237] 在本例中，對(duì)在試驗(yàn)例2的實(shí)施例6(氮流量lOsccm)、實(shí)施例11(氮流量60sccm)和 實(shí)施例12(氮流量lOOsccm)的條件下制作的層疊體1進(jìn)行蝕刻性的評(píng)價(jià)。
[0238] 通過(guò)與試驗(yàn)例2的實(shí)施例11、12同樣的條件，在由玻璃基板構(gòu)成的基板10上以 60sccm、lOOsccm的氮流量，由將ZnO和Cu以5:5的體積比混合而得的革E1進(jìn)行派射，從而形成 膜厚40nm的金屬化合物層30a，在金屬化合物層30a上通過(guò)派射形成膜厚120nm的由Cu構(gòu)成 的金屬層20,分別得到實(shí)施例48、49的層疊體1。
[0239] 另外，通過(guò)與試驗(yàn)例2的實(shí)施例6同樣的條件，在由玻璃基板構(gòu)成的基板10上以 1 Osccm的氮流量，由將ZnO和Cu以5:5的體積比混合而得的革E1進(jìn)行派射，從而形成膜厚40nm 的金屬化合物層30a，在金屬化合物層30a上通過(guò)派射形成膜厚120nm的由Cu構(gòu)成的金屬層 20,得到實(shí)施例50的層疊體1。
[0240]通過(guò)與試驗(yàn)例2的實(shí)施例11同樣的條件，在由PET膜構(gòu)成的基板10上以6〇SCCm的氮 流量，由將ZnO和Cu以5:5的體積比混合而得的靶進(jìn)行濺射，從而形成膜厚40nm的金屬化合 物層30a，在金屬化合物層30a上通過(guò)派射形成膜厚120nm的由Cu構(gòu)成的金屬層20,得到實(shí)施 例51的層疊體1。
[0241 ]通過(guò)與試驗(yàn)例2的實(shí)施例6同樣的條件，在由PET膜構(gòu)成的基板10上以60sccm的氮 流量，使用將ZnO和Cu以5:5的體積比混合而得的祀進(jìn)行派射，從而形成膜厚40nm的金屬化 合物層30a，在金屬化合物層30a上，通過(guò)派射形成膜厚120nm的由Cu構(gòu)成的金屬層20，進(jìn)一 步，以6〇SCCm的氮流量，使用將ZnO和Cu以5:5的體積比混合而得的靶進(jìn)行濺射，從而形成膜 厚40nm的金屬化合物層30b，得到實(shí)施例52的層疊體1。
[0242] 對(duì)于實(shí)施例48~52的層疊體，使用硝酸?過(guò)氧化氫系(Ech-1、Geomatec株式會(huì)社 制)和磷酸?硝酸?乙酸系(Ech-2、Ge〇mateC株式會(huì)社制)兩種蝕刻劑進(jìn)行蝕刻。
[0243]在蝕刻步驟中，將實(shí)施例48~52的層疊體1分別切割為50毫米X 50毫米，浸漬在各 蝕刻劑中，以液溫恒定的方式進(jìn)行控制，確認(rèn)蝕刻結(jié)束時(shí)間(終點(diǎn)）。
[0244] 對(duì)于使用了玻璃基板的實(shí)施例48~50的蝕刻終點(diǎn)，硝酸?過(guò)氧化氫系（Ech-Ι)的 蝕刻劑的情況下，均為20秒，為相同時(shí)間，磷酸?硝酸?乙酸系(Ech-2)的蝕刻劑的情況下， 為45~50秒，需要Ech-Ι的2倍以上的時(shí)間。
[0245] 對(duì)于使用了膜基板的實(shí)施例51、52的蝕刻終點(diǎn)，硝酸?過(guò)氧化氫系(Ech-Ι)的蝕刻 劑的情況下為17~18秒，磷酸?硝酸?乙酸系(Ech-2)的蝕刻劑的情況下為38~44秒，與使 用了玻璃基板的實(shí)施例48~50相比，結(jié)果略快10%左右。
[0246] (試驗(yàn)例10測(cè)試圖案的蝕刻評(píng)價(jià)）
[0247] 使用與試驗(yàn)例9同樣地制作的實(shí)施例48~52的層疊體1，將20μπι、10μπι、4μπι的測(cè)試 圖案用于版中，利用硝酸?過(guò)氧化氫系(Ech-Ι)的蝕刻劑和磷酸?硝酸?乙酸系(Ech-2)實(shí) 施濕式蝕刻從而確定各樣品的圖案尺寸。
[0248] 將結(jié)果示于表1中。
[0253]
[0254] 在表1中，圖案寬度為蝕刻后得到的圖案寬度的測(cè)定值，后退寬度是通過(guò)將各抗蝕 劑寬度下的抗蝕劑寬度與圖案寬度的測(cè)定值之差的平均值除以2，從而算出相對(duì)于抗蝕劑 圖案的后退的單側(cè)尺寸的平均值的值。
[0255] 如表1所示，對(duì)于硝酸?過(guò)氧化氫系(Ech-Ι)的蝕刻劑而言，產(chǎn)生相對(duì)于抗蝕劑圖 案而單側(cè)尺寸平均為0.5~0.6μπι左右的后退(過(guò)蝕刻），但可以形成以20μπι、10μπι、4μπι為基 本的圖案。從正反面任一面觀察都為良好的圖案。
[0256] 對(duì)于磷酸?硝酸?乙酸系(Ech-2)的蝕刻劑而言，雖然能夠確認(rèn)到20μπι圖案，但不 能確認(rèn)到1〇μπι、4μπι圖案，另外，金屬層20的圖案成為懸垂?fàn)睿ú乓话艘?、^夕''狀)等而不能 得到充分的結(jié)果。
[0257] 但是，可知通過(guò)調(diào)整蝕刻劑的濃度、配合比，在任一種蝕刻劑的情況下均能夠進(jìn)行 可靠的圖案形成。
[0258] (試驗(yàn)例11測(cè)試圖案的蝕刻評(píng)價(jià)）
[0259] 在本例中，對(duì)在試驗(yàn)例5的實(shí)施例30(211〇*(：11混合物與311〇2的體積比為10:5)的條 件下制作的層疊體1進(jìn)行蝕刻性的評(píng)價(jià)。
[0260] 通過(guò)與試驗(yàn)例5的實(shí)施例30同樣的條件，在由玻璃基板構(gòu)成的基板10上，以ΖηΟ · Cu混合物與Sn〇2的體積比為10:5的方式進(jìn)行派射而形成膜厚40nm的金屬化合物層30a，在 金屬化合物層30a上，通過(guò)派射形成膜厚120nm的由Cu構(gòu)成的金屬層20,進(jìn)一步，以ΖηΟ · Cu 混合物與Sn02的體積比為10:5的方式進(jìn)行濺射從而形成膜厚40nm的金屬化合物層30b，得 到實(shí)施例53的層疊體1。
[0261] 使用實(shí)施例53的層疊體1，利用硝酸?過(guò)氧化氫系(Ech-Ι)的蝕刻劑和氯化鐵的