形成第一開口部100的掩膜版上對應(yīng)第一開口部100的圖案規(guī)整，尺寸單一，容易加工和量產(chǎn)。
[0046]此外，上述第二開口部200可以為條形通孔，上述一個第二工作部120上，沿第二工作部120的輪廓設(shè)置有一個條形通孔。這樣一來，可以通過一次構(gòu)圖工藝最大化的減小源極11與柵極10之間的重疊面積。
[0047]需要說明的是，在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝;光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0048]其中，本發(fā)明實施例中的一次構(gòu)圖工藝，是以通過一次掩膜曝光工藝形成不同的曝光區(qū)域，然后對不同的曝光區(qū)域進行多次刻蝕、灰化等去除工藝最終得到預(yù)期圖案為例進行的說明。
[0049]實施例二
[0050]本實施例中，TFT的源極11與實施例一相同，包括一個U型第一工作部110。漏極12如圖4b所示包括一個U型的第二工作部120。
[0051]在此情況下，第一開口部100的設(shè)置方式同實施例一，此處不再贅述。
[0052]而第二開口部200為一個U型通孔，上述一個第二工作部120上，沿第二工作部120的輪廓設(shè)置有一個U型通孔。這樣一來，只需要在第二工作部120上制備一個U型通孔既可以減小漏極12與柵極10之間的重疊面積，而無需制備多個通孔。此外，沿第二工作部120的輪廓設(shè)置有上述U型通孔，可以通過一次構(gòu)圖工藝最大化的減小漏極12與柵極10之間的重疊面積。
[0053]優(yōu)選的，該U型第二工作部120的內(nèi)側(cè)邊C2到第二開口部200的距離H2相等。這樣一來，在通過掩膜曝光工藝制備第二開口部200時，用于形成第二開口部200的掩膜版上對應(yīng)第二開口部200的圖案規(guī)整，尺寸單一，容易加工和量產(chǎn)。
[0054]實施例三
[0055]本實施例中，如圖4c所示，TFT的源極11包括兩個U型第一工作部110。漏極12包括兩個條形的第二工作部120。
[0056]在此情況下，第一開口部100為U型通孔，源極11中的每一個U型第一工作部110上，沿第一工作部110的輪廓設(shè)置有一個U型通孔。這樣一來，只需要在每一個第一工作部110上制備一個U型通孔既可以減小源極11與柵極10之間的重疊面積，而無需在每一個第一工作部110上制備多個通孔。此外，沿第一工作部110的輪廓設(shè)置有上述U型通孔，可以通過一次構(gòu)圖工藝最大化的減小源極11與柵極10之間的重疊面積。
[0057]優(yōu)選的，該每一個U型第一工作部110的內(nèi)側(cè)邊Cl到該第一工作部110上的第一開口部100的距離Hl相等。這樣一來，在通過掩膜曝光工藝制備第一開口部100時，用于形成第一開口部100的掩膜版上對應(yīng)第一開口部100的圖案規(guī)整，尺寸單一，容易加工和量產(chǎn)。
[0058]此外，上述第二開口部200可以為條形通孔，每一個第二工作部120上，沿第二工作部120的輪廓設(shè)置有一個條形通孔。這樣一來，可以通過一次構(gòu)圖工藝最大化的減小源極11與柵極10之間的重疊面積。
[0059]由上述可知，實施例三相對于實施例一而言，由于源極11為雙U型，因此可以進一步增加上述導(dǎo)電溝道面積，從而有利于進一步提尚TFT的開關(guān)特性和響應(yīng)速度。
[0060]此外，本實施例中漏極12是以具有兩個條形第二工作部120為例進行的說明，該漏極12還可以為兩個U型的第二工作部120。且源極11的U型第一工作部110與漏極12的U型第二工作部120交叉設(shè)置。在此情況下，第一開口部100和第二開口部200的設(shè)置方式同上所述，此處不再贅述。
[0061]需要說明的是，上述實施例中，對第一開口部110和第二開口部120的位置不做限定。例如，第一開口部110可以如圖5a(沿圖4a中的虛線0-0’剖切得到的剖視圖)所示形成于源極11上。而第二開口部120可以形成于漏極12上。其中，圖中的箭頭用于示意TFT寄生電容的一種電場方向。
[0062]此外，第一開口部110和第二開口部120可以如圖5b所示形成于柵極10上。在此情況下，當(dāng)?shù)谝婚_口部110如圖5所示形成于柵極10上時，第一開口部110內(nèi)填充有絕緣的遮光層15。和/或，當(dāng)?shù)诙_口部120形成于柵極10上時，第二開口部120內(nèi)填充有上述遮光層15。其中，該遮光層15可以采用黑色樹脂材料構(gòu)成，例如采用構(gòu)成黑矩陣的材料。這樣一來，通過上述遮光層15可以防止顯示裝置背光源發(fā)出的光線通過第一開口部110或第二開口部120照射至TFT的有源層14，從而導(dǎo)致TFT的開關(guān)特性受到影響。此外，由于上述遮光層15為絕緣材料，因此源極11與遮光層15或者，漏極11與遮光層15之間(圖5b中的區(qū)域D)無寄生電容。其中，圖中的箭頭用于示意TFT寄生電容的另一種電場方向。
[0063]上述實施例一至實施例三中均是以第一開口部100或第二開口部200包括一個通孔為例進行的說明。此外，如圖6a所示，第一開口部100可以包括多個均勻分布的通孔E，而第二開口部200也可以包括多個均勻分布的通孔E。或者，如圖6b所示，第一開口部100可以包括多個均勻分布的缺口 F，而第二開口部200也可以包括多個均勻分布的缺口 F。
[0064]需要說明的是，當(dāng)?shù)谝婚_口部100形成于源極11，第二開口部200形成于漏極12時，上述缺口F是指源極11或漏極12的輪廓邊緣處具有凹陷，以形成上述缺口F。
[0065]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括如上所述的任意一種TFT，具有與前述實施例提供的TFT相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，由于前述實施例已經(jīng)對該TFT的結(jié)構(gòu)和有益效果進行了詳細的描述，此處不再贅述。
[0066]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板，且具有與前述實施例提供的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果，此處不再贅述。
[0067]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0068]本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，可以包括在如圖3所示的襯底基板OI上形成柵極1，源極11和漏極12。
[0069]其中，如圖2所示，至少在柵極10與源極11重疊的區(qū)域(如圖3所示的重疊區(qū)域Al)內(nèi)，在柵極10和/或源極11上形成第一開口部100。和或，至少柵極10與漏極12重疊的位置區(qū)域(如圖3所示的重疊區(qū)域A2)內(nèi)，在柵極10和/或漏極12上形成第二開口部200。
[0070]在此情況下，當(dāng)柵極和/或源極上形成有第一開口部時，該第一開口部可以減小柵極與源極重疊的面積，此外，當(dāng)柵極和/或漏極上形成有第二開口部時，該第二開口部可以減小柵極與漏極重疊的面積。這樣一來，通過上述第一開口部和/或第二開口部能夠達到減小薄膜晶體管自身寄生電容的目的，從而可以減小由于寄生電容引起的顯示不良幾率。
[0071]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極以及漏極，其特征在于，所述柵極和/或所述源極上形成有第一開口部，所述第一開口部至少位于所述柵極與所述源極重疊的區(qū)域內(nèi)； 和/或， 所述柵極和/或所述漏極上形成有第二開口部，所述第二開口部至少位于所述柵極與所述漏極重疊的區(qū)域內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極包括至少一個U型第一工作部，所述第一開口部為U型通孔，每一個所述第一工作部上，沿所述第一工作部的輪廓設(shè)置有一個所述U型通孔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U型第一工作部的內(nèi)側(cè)邊到所述第一開口部的距離相等。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極包括至少一個條形第二工作部； 所述第二開口部為條形通孔，每一個所述第二工作部上，沿所述第二工作部的輪廓設(shè)置有一個所述條形通孔。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極包括至少一個U型的第二工作部； 所述第二開口部為一個U型通孔，每一個所述第二工作部上，沿所述第二工作部的輪廓設(shè)置有一個所述U型通孔。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U型第二工作部的內(nèi)側(cè)邊到所述第二開口部的距離相等。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一開口部形成于所述柵極上，所述第一開口部內(nèi)填充有絕緣的遮光層； 和/或，所述第二開口部形成于所述柵極上，所述第二開口部內(nèi)填充有所述遮光層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，構(gòu)成所述遮光層的材料為黑色樹脂材料。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一開口部包括多個均勻分布的通孔或缺口 ；或， 所述第二開口部包括多個均勻分布的通孔或缺口。10.—種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。12.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成柵極，源極和漏極； 其中，至少在所述柵極與所述源極重疊的區(qū)域內(nèi)，在所述柵極和/或所述源極上形成第一開口部;和或，至少在所述柵極與所述漏極重疊的位置區(qū)域內(nèi)，在所述柵極和/或所述漏極上形成第二開口部。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，當(dāng)所述第一開口部形成于所述柵極上時，所述制備方法包括在所述第一開口部內(nèi)填充絕緣的遮光層； 和/或，當(dāng)所述第二開口部形成于所述柵極上時，所述制備方法包括在所述第二開口部內(nèi)填充所述遮光層。
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠減小TFT自身的寄生電容。薄膜晶體管，包括柵極、源極以及漏極，柵極和/或所述源極上形成有第一開口部，第一開口部至少位于柵極與源極重疊的區(qū)域內(nèi)；和/或，柵極和/或漏極上形成有第二開口部，第二開口部至少位于柵極與漏極重疊的區(qū)域內(nèi)。
【IPC分類】H01L29/66, H01L29/786, H01L29/423, H01L27/12, H01L29/417
【公開號】CN105702683
【申請?zhí)枴緾N201610068697
【發(fā)明人】齊智堅, 楊妮, 余道平, 顧可可, 侯宇松, 劉信, 陳帥, 茍中平
【申請人】重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2016年2月1日