陣列基板及陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示設(shè)備，比如液晶顯示器(Liquid Crystal Display ,LCD)是一種常用的電子設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點，因此備受用戶的青睞。隨著平面顯示技術(shù)的發(fā)展，具有高分辨率、低能耗的液晶顯示器的需求被提出。非晶硅的電子迀移率較低，而低溫多晶娃(Low Temperature Ploy-si I icon)可以在低溫下制作，且擁有比非晶娃更高的電子迀移率。其次，低溫多晶硅制作的CMOS器件可應(yīng)用于使液晶顯示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低溫多晶硅得到了廣泛地應(yīng)用和研究。低溫多晶硅薄膜晶體管包括低溫多晶硅層，低溫多晶硅層電性能力的好壞直接關(guān)系到低溫多晶硅薄膜晶體管的質(zhì)量。低溫多晶硅薄膜晶體管還包括柵極及覆蓋柵極的柵極絕緣層，現(xiàn)有技術(shù)中的柵極絕緣層包括層疊設(shè)置的第一子絕緣層及第二子絕緣層，且所述第一子絕緣層層相較于所述第二子絕緣層層鄰近所述柵極設(shè)置，所述第一子絕緣層為氧化硅(S1x)層，所述第二子絕緣層為氮化硅(SiNx)層。所述氧化硅層的作用是改善薄膜的應(yīng)力，防止所述柵極絕緣層剝，同時利用生產(chǎn)氮化硅層時產(chǎn)生的氫(H)元素來修補低溫多晶硅層，以提高低溫多晶硅層的電性能。目前，氧化硅層和氮化硅層采用兩次成膜的方式，過程較為復(fù)雜。且兩次成膜之間需要設(shè)備的轉(zhuǎn)換，從而導(dǎo)致時間的浪費，生產(chǎn)效率的降低。進一步地，兩次成膜之間存在引入雜質(zhì)的風(fēng)險，當(dāng)兩次成膜之間引入雜質(zhì)時，低溫多晶硅薄膜晶體管的性能會降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈陣列狀分布的多個低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括:基板及設(shè)置在所述基板同側(cè)的低溫多晶硅層、第一絕緣層、柵極、第二絕緣層、源極及漏極，所述低溫多晶硅層相較于所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及所述漏極鄰近所述基板的表面設(shè)置，所述第一絕緣層覆蓋所述低溫多晶硅層，所述第一絕緣層開設(shè)有第一貫孔及第二貫孔，所述柵極設(shè)置在所述第一絕緣層遠離所述低溫多晶硅層的表面上，且所述柵極對應(yīng)所述低溫多晶硅層設(shè)置，所述第二絕緣層覆蓋所述柵極，所述第二絕緣層開設(shè)有第三貫孔及第四貫孔，所述第三貫孔對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置，所述第四貫孔對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置，所述源極的一端與所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述源極通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述低溫多晶硅層的一端，所述漏極的一端與所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述漏極通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述低溫多晶硅層的另一端，其中，所述第二絕緣層為氧化硅層。
[0004]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括遮光層，所述遮光層設(shè)置于所述基板的表面，且所述低溫多晶硅層、所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及所述漏極通過所述遮光層設(shè)置在所述基板的同側(cè)，且所述遮光層對應(yīng)所述低溫多晶硅層設(shè)置。
[0005]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述遮光層，所述低溫多晶硅層、所述第一絕緣層、所述柵極、所述第二絕緣層、所述源極及所述漏極通過所述緩沖層及所述遮光層設(shè)置在所述基板的表面。
[0006]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層連接所述源極與所述低溫多晶硅層，所述第一歐姆接觸層用于降低所述源極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻，所述第一歐姆接觸層包括第一輕摻雜區(qū)及第一重?fù)诫s區(qū)，所述第一輕摻雜區(qū)與所述低溫多晶硅層接觸，所述第一重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在所述源極與所述第一輕摻雜區(qū)之間，且所述第一重?fù)诫s區(qū)連接所述源極與所述第一輕摻雜區(qū)，其中，所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。
[0007]其中，所述低溫多晶硅薄膜晶體管還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層連接所述漏極與所述低溫多晶硅層，所述第二歐姆接觸層用于降低所述漏極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻，所述第二歐姆接觸層包括第二輕摻雜區(qū)及第二重?fù)诫s區(qū)，所述第二輕摻雜區(qū)與所述低溫多晶硅層接觸，所述第二重?fù)诫s區(qū)設(shè)置在所述漏極與所述第二輕摻雜區(qū)之間，且所述第二重?fù)诫s區(qū)連接所述漏極與所述第二輕摻雜區(qū)，其中，所述第二輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。
[0008]本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括:
[0009 ]提供基板；
[0010]鄰近所述基板的表面形成低溫多晶硅層；
[0011 ]形成覆蓋所述低溫多晶硅層的第一絕緣層；
[0012]在所述第一絕緣層遠離所述低溫多晶硅層的表面形成對應(yīng)所述低溫多晶硅層的柵極；
[0013]形成覆蓋所述柵極的氧化硅層；
[0014]在所述第一絕緣層上開設(shè)對應(yīng)所述低溫多晶硅層相對的兩端的第一貫孔及第二貫孔，在所述氧化硅層上開設(shè)對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置的第三貫孔及對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置的第四貫孔；
[0015]形成覆蓋所述氧化硅層的金屬層，圖案化所述金屬層以保留對應(yīng)所述第三貫孔及所述第四貫孔的金屬層，以分別形成源極和漏極。
[0016]其中，所述步驟“形成覆蓋所述柵極的氧化硅層”包括:
[0017]提供氣態(tài)的SiH4、氣態(tài)的PH3以及氣態(tài)的02，利用化學(xué)氣相沉積成膜方法，形成所述氧化硅層。
[0018]其中，在所述步驟“提供基板”及所述步驟“鄰近所述基板的表面形成低溫多晶硅層”之間還包括:
[0019]形成設(shè)置在所述基板表面的遮光層；
[0020]形成覆蓋所述遮光層的緩沖層；
[0021 ]所述步驟“鄰近所述基板的表面形成低溫多晶硅層”包括:
[0022]在所述緩沖層遠離所述遮光層的表面形成對應(yīng)所述遮光層設(shè)置的低溫多晶硅層。
[0023]其中，在所述步驟“鄰近所述基板的表面形成低溫多晶硅層”及所述步驟“形成覆蓋所述低溫多晶硅層的第一絕緣層”之間，所述陣列基板的制備方法還包括:
[0024]形成與所述低溫多晶硅層一端接觸的第一輕摻雜區(qū)及設(shè)置在所述第一輕摻雜區(qū)遠離所述低溫多晶硅層一端的第一重參雜區(qū)，其中，所述第一輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一重?fù)诫s區(qū)的參雜濃度；
[0025]形成與所述低溫多晶硅層另一端接觸的第二輕摻雜區(qū)及設(shè)置在所述第二輕摻雜區(qū)遠離所述低溫多晶硅層一端的第二重?fù)诫s區(qū)，其中，所述第二輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第二重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。
[0026]其中，所述步驟“在所述第一絕緣層上開設(shè)對應(yīng)所述低溫多晶硅層相對的兩端的第一貫孔及第二貫孔，在所述氧化硅層上開設(shè)對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置的第三貫孔及對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置的第四貫孔”包括:
[0027]在所述第一絕緣層分別對應(yīng)所述第一重?fù)诫s區(qū)及所述第二重?fù)诫s區(qū)分別形成所述第一貫孔及所述第二貫孔，在所述氧化硅層上開設(shè)對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置的所述第三貫孔及對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置的所述第四貫孔。
[0028]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的陣列基板中的低溫多晶硅薄膜晶體中覆蓋所述柵極的第二絕緣層為氧化硅層，且所述源極的一端與所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述源極的一端通過所述第一貫孔及第三貫孔連接所述低溫多晶硅層的一端。所述漏極一端與所述第二絕緣層遠離所述柵極的表面接觸，且所述漏極通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述低溫多晶硅層的另一端。相較于現(xiàn)有技術(shù)中而言，少了一層氮化硅層，不需要進行兩次成膜，因此，提高了所述陣列基板的生產(chǎn)效率，避免了兩次成膜之間引入雜質(zhì)的風(fēng)險，提升了所述陣列基板的性能。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的陣列基板的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得