導(dǎo)電透明層合體、圖案化的導(dǎo)電透明層合體及觸控面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于觸控面板的導(dǎo)電透明層合體，特別是涉及一種包含一接觸 于一透明基板且折射率范圍為1. 33至1. 52及物理厚度范圍為10nm至30nm的光學(xué)調(diào)整層 的導(dǎo)電透明層合體。
【背景技術(shù)】
[0002] 為提高觸控面板的品質(zhì)，目前在觸控面板中使用的導(dǎo)電透明層合體包括一透明基 板，及一透明導(dǎo)電層（transparent conductive layer)，及數(shù)層設(shè)置在透明基板與透明導(dǎo) 電層間的光學(xué)調(diào)整層，借由調(diào)控所述光學(xué)調(diào)整層的折射率及厚度，調(diào)整導(dǎo)電透明層合體的 全光線穿透率以及穿透色，從而提高觸控面板的畫面亮度及改善觸控面板的顯示色偏差問 題。除了上述提升方式外，目前各家觸控面板業(yè)者還研究開發(fā)投射電容式觸控面板，主要技 術(shù)是進(jìn)一步將導(dǎo)電透明層合體的透明導(dǎo)電層圖案化制得一圖案化的導(dǎo)電透明層合體。然 而，當(dāng)光線由外界進(jìn)入所述投射電容式觸控面板，并接觸到圖案化的導(dǎo)電透明層合體中的 各層時(shí)，光線會(huì)部分被反射，于反射時(shí)，反射的光會(huì)分別經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖 案部及非圖案部，因由圖案部射出的反射光的反射率與由非圖案部射出的反射光的反射率 差異大，易造成使用者在觀看觸控面板時(shí)可明顯看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡。
[0003] 中國(guó)臺(tái)灣專利公開案TW201133515中公開一種透明導(dǎo)電膜，包含一聚酯薄膜、一 設(shè)置于所述聚酯薄膜上的高折射率層、一設(shè)置于所述高折射率層上的低折射率層，及一設(shè) 置于所述低折射率層上的氧化銦錫層。所述高折射率層在波長(zhǎng)為400nm時(shí)的折射率范圍為 1. 63至1. 86,厚度范圍為40nm至90nm。所述低折射率層在波長(zhǎng)為400nm時(shí)的折射率范圍 為1. 33至1. 53,厚度范圍為10nm至50nm。
[0004] 所述專利案的透明導(dǎo)電膜的穿透色度的范圍雖在0. 6至0. 5,及全光線穿透率 范圍在88. 2至91. 4(TT% )。所述專利案的主要目的在于降低透明導(dǎo)電膜的穿透色度的 ，以希望達(dá)到透明導(dǎo)電膜不呈現(xiàn)黃色的效果，但在本案發(fā)明人依照所述專利案的內(nèi)容制 備透明導(dǎo)電膜，并將氧化銦錫（IT0)層圖案化后進(jìn)行測(cè)試，發(fā)現(xiàn)由所述專利案的透明導(dǎo)電 膜的圖案部射出的反射光相較于由非圖案部射出的反射光，兩反射光的反射率的差異仍過 大，因此，針對(duì)使用者在觀看觸控面板時(shí)不易看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡的訴求而言，所 述專利案的透明導(dǎo)電膜顯然不符合需求。
[0005] 綜合上述，目前仍需通過改良導(dǎo)電透明層合體來解決使用者在觀看時(shí)易看到透明 導(dǎo)電層圖案化的痕跡的問題，以提升觸控面板的顯示品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 在本文中，（甲基）丙稀酸酯[(metha)acrylate]表示丙稀酸酯（acrylate)及/ 或甲基丙稀酸酯（methacrylate)。
[0007] 本發(fā)明的第一目的在于提供一種導(dǎo)電透明層合體。將所述導(dǎo)電透明層合體的透明 導(dǎo)電層圖案化后制得一圖案化的導(dǎo)電透明層合體并應(yīng)用至觸控面板時(shí)，能讓使用者在觀看 時(shí)不易看到透明導(dǎo)電層圖案化的痕跡。
[0008] 本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體，包含：
[0009] 一透明基板；
[0010] -光學(xué)調(diào)整層，接觸于所述透明基板，所述光學(xué)調(diào)整層于波長(zhǎng)400nm下的折射率 范圍為1. 33至1. 52,物理厚度范圍為10nm至30nm ;
[0011] -透明導(dǎo)電層，接觸于所述光學(xué)調(diào)整層，所述透明導(dǎo)電層的載子濃度范圍為 10 X 1021個(gè)/cm 3至20 X 10 21個(gè)/cm 3,物理厚度范圍為10nm至30nm。
[0012] 本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體，所述透明基板于波長(zhǎng)400nm下的折射率范圍為1.40至 1. 80〇
[0013] 本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體，所述透明基板的物理厚度范圍為2 ym至300 ym。
[0014] 本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體，所述導(dǎo)電透明層合體的透明導(dǎo)電層的載子濃度為 15 X 1021 個(gè) /cm 3至 20 X 10 21 個(gè) /cm 3。
[0015] 本發(fā)明的第二目的在于提供一種圖案化痕跡不明顯的圖案化的導(dǎo)電透明層合體。
[0016] 本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體，包含：一透明基板；一光學(xué)調(diào)整層，接觸于所述 透明基板，所述光學(xué)調(diào)整層于波長(zhǎng)400nm下的折射率范圍為1. 33至1. 52,物理厚度范圍為 10nm至30nm; -圖案化的透明導(dǎo)電層，接觸于所述光學(xué)調(diào)整層，所述圖案化的透明導(dǎo)電層 的載子濃度范圍為10 X 1021個(gè)/cm3至20 X 10 21個(gè)/cm3,物理厚度范圍為10nm至30nm〇
[0017] 本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體，所述透明基板于波長(zhǎng)400nm下的折射率范圍為 1. 40 至 1. 80。
[0018] 本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體，所述透明基板的物理厚度范圍為2 ym至 300 u m〇
[0019] 本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體，所述圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案化的透明 導(dǎo)電層的載子濃度為15 X 1021個(gè)/cm3至20 X 10 21個(gè)/cm3。
[0020] 本發(fā)明的第三目的在于提供一種觸控面板。
[0021] 本發(fā)明觸控面板包含一上述的導(dǎo)電透明層合體或上述的圖案化的導(dǎo)電透明層合 體。
[0022] 本發(fā)明的有益效果在于：所述導(dǎo)電透明層合體借由在接觸于所述透明基板且于波 長(zhǎng)400nm下折射率范圍為1. 33至1. 52及物理厚度范圍為10nm至30nm的光學(xué)調(diào)整層，以 及配合接觸于所述光學(xué)調(diào)整層且載子濃度范圍為10 X 1021個(gè)/cm3至20 X 10 21個(gè)/cm 3的透 明導(dǎo)電層，而在后續(xù)制得的圖案化的導(dǎo)電透明層合體中，使得其圖案部所射出的反射光的 反射率與其非圖案部所射出的反射光的反射率之間具有較小差異，且使用者觀看時(shí)透明導(dǎo) 電層圖案化的痕跡不明顯，繼而提升觸控面板的顯示品質(zhì)。
【附圖說明】
[0023] 本發(fā)明之其他的特征及功效，將于參照?qǐng)D式的實(shí)施方式中清楚地呈現(xiàn)，其中：
[0024] 圖1是一示意圖，說明本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體的結(jié)構(gòu)；
[0025] 圖2是一示意圖，說明本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體的結(jié)構(gòu)；
[0026] 圖3是一示意圖，說明本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體的結(jié)構(gòu)；及
[0027] 圖4是一示意圖，說明如何量測(cè)所述圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案部及非圖案 部的反射率。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體的制備方法包含以下步驟：提供一透明基板，于所述透明 基板上形成一于波長(zhǎng)400nm下的折射率范圍為1. 33至1. 52的光學(xué)調(diào)整層，獲得一第一層 合體。再于所述光學(xué)調(diào)整層上形成一金屬氧化物層，獲得一第二層合體。接著將所述第二 層合體的金屬氧化物層進(jìn)行結(jié)晶退火處理，得到一透明導(dǎo)電層（載子濃度范圍為10X10 21 個(gè)/cm3至20 X 10 21個(gè)/cm 3)，即制得本發(fā)明導(dǎo)電透明層合體。
[0029] 于所述透明基板上形成所述光學(xué)調(diào)整層的方式于此并無特別限制，采用現(xiàn)有的方 式即可，例如可采用干式涂布法、濕式涂布法等方式。從生產(chǎn)效率及制造成本方面而言，以 濕式涂布法為佳。其中，濕式涂布法的【具體實(shí)施方式】為：輥涂法、旋涂法、浸涂法等，且輥涂 法因能連續(xù)地形成所述光學(xué)調(diào)整層而較佳。
[0030] 所述金屬氧化物層的材質(zhì)是選自于氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化 鎵或上述的一組合。于所述光學(xué)調(diào)整層上形成所述金屬氧化物層的方法并無特別限制，采 用現(xiàn)有的方式即可，例如蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、化學(xué)氣相沉積法（CVD)或電鍍法等。 上述方法中，從控制透明導(dǎo)電層的厚度而言，以蒸鍍法及濺鍍法為較佳。
[0031 ] 所述金屬氧化物層經(jīng)結(jié)晶退火處理后即形成所述透明導(dǎo)電層。所述結(jié)晶退火處理 的溫度范圍為100至200°C，處理時(shí)間范圍為0. 5小時(shí)至2小時(shí)。
[0032] 本發(fā)明圖案化的導(dǎo)電透明層合體的制備方法包含以下步驟：提供一上述的導(dǎo)電 透明層合體，并將所述導(dǎo)電透明層合體中的透明導(dǎo)電層圖案化以形成一圖案化的透明導(dǎo)電 層，所述圖案化的透明導(dǎo)電層的部分被移除，從而形成圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案部 以及非圖案部。所述透明導(dǎo)電層圖案化的方式并無特別限制，采用現(xiàn)有的方式即可，例如可 采用激光蝕刻、電漿蝕刻、微影蝕刻或網(wǎng)版印刷蝕刻等。
[0033] 于本文中，圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案部指的是所述光學(xué)調(diào)整層上具有透明 導(dǎo)電層的區(qū)域，而非圖案部指的是所述光學(xué)調(diào)整層上不具有所述透明導(dǎo)電層的區(qū)域。
[0034] 于本文中，所述圖案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案部的反射率指的是光線由所述圖 案化的導(dǎo)電透明層合體的圖案部進(jìn)入，而于接觸到圖案化的導(dǎo)電透明層合體中各層時(shí)，光 線會(huì)被部分反射，反射后由圖案部射出的光線加成所得的反射率。所述圖案化的導(dǎo)電透明 層合體的非圖案部的反射率指的是光線由所述圖案化的導(dǎo)電透明層合體的非圖案部進(jìn)入， 而于接觸到圖案化的導(dǎo)電透明層合體中各層時(shí)，光線會(huì)被部分反射，反射后由非圖案部射 出的光線加成所得的反射率。
[0035] 以下將就透明基板、光學(xué)調(diào)整層及透明導(dǎo)電層分別進(jìn)行詳細(xì)說明：
[0036] [透明基板]
[0037] 較佳地，所述透明基板于波長(zhǎng)400nm下的折射率范圍為1. 40至1. 80。
[0038] 所述透明基板的材質(zhì)于此并無特別限制，例如但不限于：（1).聚酯類 (polyester):聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（polyethylene t