晶片測(cè)試樣品的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造業(yè)中的可靠性(Reliability)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶片測(cè)試樣品。
【背景技術(shù)】
[0002]信息系統(tǒng)的微型化、多功能化和智能化是人們不斷追求的目標(biāo)。半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展是這些變化的主要驅(qū)動(dòng)力量。系統(tǒng)級(jí)晶片、系統(tǒng)級(jí)封裝等技術(shù)的發(fā)展使得IC器件的功能得到了空前的提高。特別是由于晶片堆疊與3D封裝等技術(shù)的使用使得某些電子產(chǎn)品領(lǐng)域表現(xiàn)出了超越摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì)。業(yè)界越來(lái)越認(rèn)識(shí)到晶片堆疊與3D封裝技術(shù)在器件的系統(tǒng)級(jí)功能實(shí)現(xiàn)、存儲(chǔ)容量增加等方面所具有的巨大優(yōu)勢(shì)。
[0003]在封裝結(jié)構(gòu)整體厚度不變甚至有所降低的趨勢(shì)下，晶片堆疊中所用各層晶片的厚度就不可避免的需要減薄，然而，在晶片被減薄后，會(huì)變得十分脆弱。因此，在制備超薄晶片的掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)試樣品時(shí)，防止晶圓破損是十分重要的。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，超薄晶片測(cè)試樣品的制備方法是:通過(guò)膠粘劑將超薄樣品粘貼在稍大的厚基板上，之后再進(jìn)行處理。但是，該方法具有以下缺點(diǎn):
[0005]1.位于超薄晶片的邊緣容易被膠粘劑沾污；
[0006]2.對(duì)于光敏類(lèi)的超薄晶片，由于晶片的邊緣截面呈倒梯形，故在測(cè)試樣品的制備過(guò)程中，晶片的邊緣極易斷裂；
[0007]3.晶片測(cè)試樣品在SEM下的成像質(zhì)量差。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0008]本實(shí)用新型的目的在于，提供一種晶片測(cè)試樣品，該晶片測(cè)試樣品的晶片不易破碎且不易沾污，并且該晶片測(cè)試樣品的成像質(zhì)量高。
[0009]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種晶片測(cè)試樣品，包括:基板以及位于所述基板上的待測(cè)晶片，所述基板的上表面設(shè)置有導(dǎo)流區(qū)域，所述導(dǎo)流區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流凹槽，所述待測(cè)晶片通過(guò)膠粘劑固定于所述基板的上表面，所述待測(cè)晶片覆蓋所述導(dǎo)流區(qū)域的中心區(qū)域。
[0010]可選的，所述導(dǎo)流區(qū)域至少包括多個(gè)在第一方向排列的第一直線導(dǎo)流凹槽。
[0011]可選的，相鄰的所述第一直線導(dǎo)流凹槽之間的間距為I μπι?5μπι。
[0012]可選的，所述第一直線導(dǎo)流凹槽的槽寬為0.5 μ m?2 μ m。
[0013]可選的，所述導(dǎo)流區(qū)域還包括多個(gè)在第二方向排列的第二直線導(dǎo)流凹槽，所述第一方向與第二方向相垂直。
[0014]可選的，多個(gè)所述第二直線導(dǎo)流凹槽之間的間距為I ym?5 μπι。
[0015]可選的，所述第二直線導(dǎo)流凹槽的槽寬為0.5 μπι?2 μπι。
[0016]可選的，所述導(dǎo)流區(qū)域包括四個(gè)相交的直線導(dǎo)流凹槽，所述直線導(dǎo)流凹槽相交為“米”字形，所述待測(cè)晶片覆蓋四個(gè)所述直線導(dǎo)流凹槽的交點(diǎn)。
[0017]可選的，所述直線導(dǎo)流凹槽的槽寬為0.5 μ m?2 μ m。
[0018]可選的，所述膠粘劑為熱固性膠粘劑。
[0019]可選的，所述膠粘劑為導(dǎo)電膠。
[0020]可選的，所述基板為硅基板、玻璃基板或陶瓷基板。
[0021]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的晶片測(cè)試樣品具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0022]在本實(shí)用新型提供的晶片測(cè)試樣品中，所述基板的上表面設(shè)置有導(dǎo)流區(qū)域，所述導(dǎo)流區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流凹槽，所述待測(cè)晶片覆蓋所述導(dǎo)流區(qū)域的中心區(qū)域，當(dāng)通過(guò)所述膠粘劑將所述待測(cè)晶片固定于所述基板的上表面時(shí)，多余的所述膠粘劑順著所述導(dǎo)流凹槽流出，避免多余的所述膠粘劑沾污所述待測(cè)晶片的上表面；并且所述膠粘劑經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)流凹槽的導(dǎo)流，所述膠粘劑更好地填充在所述待測(cè)晶片的下表面的邊緣，使得所述待測(cè)晶片不易破碎。
[0023]進(jìn)一步的，所述晶片測(cè)試樣品的膠粘劑為導(dǎo)電膠，當(dāng)所述膠粘劑被所述導(dǎo)流凹槽導(dǎo)出，所述膠粘劑在所述導(dǎo)流凹槽中形成導(dǎo)電路徑，使得所述晶片測(cè)試樣品方便與SEM樣品臺(tái)連接，避免電荷在所述待測(cè)晶片積聚，提高所述晶片測(cè)試樣品的成像質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中晶片測(cè)試樣品的俯視圖；
[0025]圖2為圖1沿剖開(kāi)線A-A’的剖面圖；
[0026]圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中基板的俯視圖；
[0027]圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中晶片測(cè)試樣品放置于SEM樣品臺(tái)時(shí)的示意圖；
[0028]圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中晶片測(cè)試樣品的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的晶片測(cè)試樣品進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0030]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0031]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0032]本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種晶片測(cè)試樣品，所述晶片測(cè)試樣品包括:基板以及位于所述基板上的待測(cè)晶片，所述基板的上表面設(shè)置有導(dǎo)流區(qū)域，所述導(dǎo)流區(qū)域內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流凹槽，所述待測(cè)晶片通過(guò)膠粘劑固定于所述基板的上表面，所述待測(cè)晶片覆蓋所述導(dǎo)流區(qū)域的中心區(qū)域。當(dāng)通過(guò)所述膠粘劑將所述待測(cè)晶片固定于所述基板的上表面時(shí)，多余的所述膠粘劑順著所述導(dǎo)流凹槽流出，避免多余的所述膠粘劑沾污所述待測(cè)晶片的上表面；并且所述膠粘劑經(jīng)過(guò)所述導(dǎo)流凹槽的導(dǎo)流，所述膠粘劑更好地填充在所述待測(cè)晶片的下表面的邊緣，使得所述待測(cè)晶片不易破碎。
[0033]較佳的，所述晶片測(cè)試樣品的膠粘劑為導(dǎo)電膠，當(dāng)所述膠粘劑被所述導(dǎo)流凹槽導(dǎo)出，所述膠粘劑在所述導(dǎo)流凹槽中形成導(dǎo)電路徑，使得所述晶片測(cè)試樣品方便與SEM樣品臺(tái)連接，避免電荷在所述待測(cè)晶片積聚，提高所述晶片測(cè)試樣品的成像質(zhì)量。
[0034]以下列舉所述集成電路中晶片測(cè)試樣品的幾個(gè)實(shí)施例，以清楚說(shuō)明本實(shí)用新型的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本實(shí)用新型的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過(guò)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。
[0035]第一實(shí)施例
[0036]以下請(qǐng)參考圖1-圖4來(lái)具體說(shuō)明本實(shí)用新型第一實(shí)施例中的晶片測(cè)試樣品，其中，圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中晶片測(cè)試樣品的俯視圖；圖2為圖1沿剖開(kāi)線A-A’的剖面圖；圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中基板的俯視圖；圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中晶片測(cè)試樣品放置于SEM樣品臺(tái)時(shí)的示意圖。
[0037]如圖1所示，所述晶片測(cè)試樣品I包括基板100以及位于所述基板100上的待測(cè)晶片120，所述待測(cè)晶片120通過(guò)膠粘劑140固定于所述基板100的上表面。在本實(shí)施例中，所述待測(cè)晶片120為超薄晶片(通常是指厚度小于等于100 μπι的晶片)，所述基板100的厚度大于所述待測(cè)晶片120的厚度。優(yōu)選的，所述基板100為硅基板、玻璃基板或陶瓷基板等，硅基板、玻璃基板或陶瓷基板具有較好的耐高溫以及抗腐蝕性，可以提高所述晶片測(cè)試樣品I的可靠性。
[0038]如圖3所示，所述基板100的上表面設(shè)置有導(dǎo)流區(qū)域110，所述導(dǎo)流區(qū)域110可以覆蓋整個(gè)所述基板100的上表面，所述導(dǎo)流區(qū)域110也可以僅位于部分所述基板100的上表面。所述導(dǎo)流區(qū)域I1內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)流凹槽130，所述導(dǎo)流凹槽130用于對(duì)所述膠粘劑140進(jìn)行導(dǎo)流。
[0039]在本實(shí)施例中，所述導(dǎo)流區(qū)域110至少包括多個(gè)在第一方向(X方向)排列的第一直線導(dǎo)流凹槽131。在圖3中示出3個(gè)所述第一直線導(dǎo)流凹槽131，但是，所述導(dǎo)流凹槽130并不限于包括3個(gè)所述第一直線導(dǎo)流凹槽131，所述導(dǎo)流凹槽130還可以包括2個(gè)、4個(gè)、5個(gè)、6個(gè)或更多的所述第一直線導(dǎo)流凹槽131。相鄰的所述第一直線導(dǎo)流凹槽131之間的間距Wl較佳的為I μπι?5 μπι，例如2 μπι、3 μπι、4 μπι等等，當(dāng)所述第一直線導(dǎo)流凹槽131的個(gè)數(shù)越多，相鄰的所述第一直線導(dǎo)流凹槽131之間