、柔性溝道層2上的源電極3與漏電極4、源電極3與漏電極4上的阻擋層5、阻擋層5上的鐵電聚合物層6及鐵電聚合物層6上的門電極7，所述柔性溝道層2為單晶硅納米薄膜。
[0029]在本實(shí)施例中，單晶硅納米薄膜的厚度為200nm。
[0030]在本實(shí)施例中，柔性襯底層I是由二甲基硅氧烷材料制成的薄膜。
[0031 ] 在本實(shí)施例中，源電極3與漏電極4由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥?，所述源電極3與漏電極4設(shè)置在溝道層2上方兩側(cè)，所述源電極3與漏電極4的厚度為lOOnm。
[0032]在本實(shí)施例中，阻擋層5是由三氧化二鋁材料制成的納米薄膜，其厚度為10nm。
[0033]在本實(shí)施例中，鐵電聚合物層6是由聚偏氟乙烯材料制成的納米薄膜，其厚度為200nm之間。
[0034]在本實(shí)施例中，所述門電極7由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥?，其厚度?0nm0
[0035]通過在柔性襯底層上設(shè)置單晶硅納米薄膜溝道層，在單晶硅納米薄膜溝道層上設(shè)置源電極與漏電極、在源電極與漏電極上設(shè)置的阻擋層、在阻擋層上設(shè)置的鐵電聚合物層，在鐵電聚合物層上設(shè)置門電極，上述結(jié)構(gòu)的柔性鐵電存儲(chǔ)器在偏置電壓下表現(xiàn)出良好的開關(guān)狀態(tài)，開關(guān)電壓約4土V，開關(guān)比約200倍，符合存儲(chǔ)器要求，在經(jīng)過多次彎曲后，仍可保持良好的存儲(chǔ)性能，具有高可靠性。
[0036]實(shí)施例3:
[0037]如圖1所示，一種柔性鐵電存儲(chǔ)器，所述柔性鐵電存儲(chǔ)器包括柔性襯底層1、柔性襯底層I上的柔性溝道層2、柔性溝道層2上的源電極3與漏電極4、源電極3與漏電極4上的阻擋層5、阻擋層5上的鐵電聚合物層6及鐵電聚合物層6上的門電極7，所述柔性溝道層2為單晶硅納米薄膜。
[0038]在本實(shí)施例中，單晶硅納米薄膜的厚度為lOOOnm。
[0039]在本實(shí)施例中，柔性襯底層I是由二甲基硅氧烷材料制成的薄膜。
[0040]在本實(shí)施例中，源電極3與漏電極4由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥?，所述源電極3與漏電極4設(shè)置在溝道層2上方兩側(cè)，所述源電極3與漏電極4的厚度為300nm。
[0041]在本實(shí)施例中，阻擋層5是由三氧化二鋁材料制成的納米薄膜，其厚度為15nm。
[0042]在本實(shí)施例中，鐵電聚合物層6是由聚偏氟乙烯材料制成的納米薄膜，其厚度為300nmo
[0043]在本實(shí)施例中，所述門電極7由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥?，其厚度?00nm之間。
[0044]通過在柔性襯底層上設(shè)置單晶硅納米薄膜溝道層，在單晶硅納米薄膜溝道層上設(shè)置源電極與漏電極、在源電極與漏電極上設(shè)置的阻擋層、在阻擋層上設(shè)置的鐵電聚合物層，在鐵電聚合物層上設(shè)置門電極，上述結(jié)構(gòu)的柔性鐵電存儲(chǔ)器在偏置電壓下表現(xiàn)出良好的開關(guān)狀態(tài)，開關(guān)電壓約4土V，開關(guān)比約200倍，符合存儲(chǔ)器要求，在經(jīng)過多次彎曲后，仍可保持良好的存儲(chǔ)性能，具有高可靠性。
[0045]本實(shí)用新型實(shí)施的優(yōu)點(diǎn):通過在柔性襯底層上設(shè)置單晶硅納米薄膜溝道層，在單晶硅納米薄膜溝道層上設(shè)置源電極與漏電極、在源電極與漏電極上設(shè)置的阻擋層、在阻擋層上設(shè)置的鐵電聚合物層，在鐵電聚合物層上設(shè)置門電極，上述結(jié)構(gòu)的柔性鐵電存儲(chǔ)器在偏置電壓下表現(xiàn)出良好的開關(guān)狀態(tài)，開關(guān)電壓約4土V，開關(guān)比約200倍，符合存儲(chǔ)器要求，在經(jīng)過多次彎曲后，仍可保持良好的存儲(chǔ)性能，具有高可靠性。
[0046]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的技術(shù)人員在本實(shí)用新型公開的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述柔性鐵電存儲(chǔ)器包括柔性襯底層、柔性襯底層上的柔性溝道層、柔性溝道層上的源電極與漏電極、源電極與漏電極上的阻擋層、阻擋層上的鐵電聚合物層及鐵電聚合物層上的門電極，所述柔性溝道層為單晶硅納米薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述單晶硅納米薄膜的厚度介于20nm?100nm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述柔性襯底層是由二甲基硅氧烷材料制成的薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述源電極與漏電極由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥?，所述源電極與漏電極設(shè)置在溝道層上方兩側(cè)，其厚度介于50nm ?300nm 之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述阻擋層是由三氧化二鋁材料制成的納米薄膜，其厚度介于4nm?15nm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述鐵電聚合物層是由聚偏氟乙稀材料制成的納米薄膜，其厚度介于50nm?300nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的柔性鐵電存儲(chǔ)器，其特征在于，所述門電極由導(dǎo)電金屬或?qū)щ娋酆衔锊牧现瞥桑浜穸冉橛?0nm?300nm之間。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種柔性鐵電存儲(chǔ)器，所述柔性鐵電存儲(chǔ)器包括：在柔性襯底層上設(shè)置單晶硅納米薄膜溝道層，在單晶硅納米薄膜溝道層上設(shè)置源電極與漏電極、在源電極與漏電極上設(shè)置的阻擋層、在阻擋層上設(shè)置的鐵電聚合物層，在鐵電聚合物層上設(shè)置門電極，上述結(jié)構(gòu)的柔性鐵電存儲(chǔ)器在偏置電壓下表現(xiàn)出良好的開關(guān)狀態(tài)，開關(guān)電壓約4±V，開關(guān)比約200倍，符合存儲(chǔ)器要求，在經(jīng)過多次彎曲后，仍可保持良好的存儲(chǔ)性能，具有高可靠性。
【IPC分類】H01L51-10, H01L51-05, H01L51-30
【公開號(hào)】CN204407368
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520058436
【發(fā)明人】龔慧蘭
【申請(qǐng)人】泓準(zhǔn)達(dá)科技(上海)有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請(qǐng)日】2015年1月28日