8則部分重疊于像素區(qū)P內(nèi)的第一開口110，進(jìn)而露出了形成于絕緣層108上及此第一開口 110內(nèi)的金屬層112’的一部，而透明電極120則除了形成于絕緣層116的頂面上以外，其也形成于第二開口 118之內(nèi)而接觸了為第二開口 118所露出的金屬層112’的部分。值得注意的是，為第二開口 118所露出的金屬層112’的面積大于為第一開口 110所露出的半導(dǎo)體層102的頂面的面積。換言之，第二開口 118的尺寸大于第一開口 110的尺寸。
[0054]如圖1-圖2所示情形，通過將第二開口 118形成于第一開口 110與金屬線106之間的一位置處，如此便可增大像素區(qū)P內(nèi)的透明電極120的覆蓋區(qū)域，進(jìn)而增大了像素區(qū)P的有效開口率。
[0055]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1-圖2，在像素區(qū)P內(nèi)的第一開口 110與第二開口 118為具有由上往下尺寸遞減的一拔錐狀(tapered shape)開口。而基于簡化圖示目的，在圖1內(nèi)僅顯示了此些第一開口 110與第二開口 118的一最大尺寸，且此些第一開口 110與第二開口 118分別具有一幾何中心A與B。
[0056]如圖1所示，從上視觀之，在像素區(qū)P內(nèi)的此第一開口 110的幾何中心A與其鄰近的第二開口 118的幾何中心B之間的一連線A-B與金屬線106之間可具有大體90度的一夾角α，及此連線A-B系垂直于金屬線106。然而，為了更增大像素區(qū)P內(nèi)的透明電極120的覆蓋區(qū)域及增大了像素區(qū)P的有效開口率，則可調(diào)整第二開口 118的位置，使得其較為接近左方的金屬線112 (如圖3所示)或右方的金屬線112 (如圖4所示)，進(jìn)而使得第一開口110的幾何中心A與其鄰近的第二開口 118的幾何中心B之間的一連線A-B不再垂直于金屬線106，而此連線A-B與金屬線106之間將夾有一非直角的角度α。此角度α可視實(shí)際需求而大于O度并小于90度。
[0057]請(qǐng)參照?qǐng)D5-圖6，顯示了依據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的一種陣列基板10’的一系列示意圖。圖5為一上視示意圖，而圖6則為一剖面示意圖，以顯示沿圖5內(nèi)6-6線段的陣列基板的一部的剖面情形。在此，圖5-圖6的實(shí)施例由修改圖1-圖2所示的實(shí)施例所得到，因此圖5-圖6中相同元件采用相同標(biāo)號(hào)所顯示，而于下文中僅解說其與圖1-圖2所示實(shí)施例之間的差異處。
[0058]請(qǐng)參照?qǐng)D5，可更調(diào)整位于像素區(qū)P內(nèi)的金屬層112’、半導(dǎo)體層102的部分與及其鄰近的相關(guān)構(gòu)件的相關(guān)位置，使得金屬層112’與第二開口 118部分重疊于金屬線106。因此，透明電極120僅部分地填入于第二開口 118內(nèi)并僅部分覆蓋絕緣層116的頂面及為第二開口 118所露出的絕緣層118的部分側(cè)壁面與金屬層112’的頂面與側(cè)壁面。
[0059]請(qǐng)參照?qǐng)D6，則顯示了沿圖5內(nèi)6-6線段的陣列基板的一部的剖面情形，在此透明電極120僅部分地填入于第二開口 118內(nèi)并僅部分覆蓋絕緣層116的頂面及為第二開口118所露出的絕緣層118的部分側(cè)壁面與金屬層112’的頂面與側(cè)壁面，而位于上方的金屬層112’則部分重疊于位于下方的金屬層106。
[0060]請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D5-圖6，在像素區(qū)P內(nèi)的第一開口 110以及橫跨像素區(qū)P與金屬線106的第二開口 118為具有由上往下尺寸遞減的一拔錐狀(tapered shape)開口。而基于簡化圖示目的，在圖5內(nèi)僅顯示了此些第一開口 110與第二開口 118的一最大尺寸，且此些第一開口 110與第二開口 118分別具有一幾何中心A與B。
[0061]如圖5所示，從上視觀之，此第一開口 110的幾何中心A與其鄰近的第二開口 118的幾何中心B之間的一連線A-B與金屬線106之間可具有大體90度的一夾角α，及此連線A-B垂直于金屬線106。然而，為了更增大像素區(qū)P內(nèi)的透明電極120的覆蓋區(qū)域及增大了像素區(qū)P的有效開口率，則可調(diào)整第二開口 118的位置，使得其較為接近左方的金屬線112 (如圖7所示)或右方的金屬線112 (如圖8所示)，進(jìn)而使得第一開口 110的幾何中心A與其鄰近的第二開口 118的幾何中心B之間的一連線A-B不再垂直于金屬線106，而此連線A-B與金屬線106之間將夾有一非直角的角度α。此角度α可視實(shí)際需求而大于O度并小于90度。
[0062]相似于圖1-圖4所示的實(shí)施情形，圖5-圖8所示的實(shí)施情形內(nèi)的陣列基板10’內(nèi)也通過將第二開口 118形成于第一開口 110與金屬線106之間的一位置處，以增大像素區(qū)P內(nèi)的透明電極120的覆蓋區(qū)域，及增大了像素區(qū)P的有效開口率。
[0063]在圖1-圖4與圖5-圖8所示的實(shí)施例中，基板100的材質(zhì)例如為玻璃或塑膠，半導(dǎo)體層102的材質(zhì)例如為多晶硅，絕緣層104與108的材質(zhì)例如為氧化硅、氮化硅或其組合，且不同絕緣層104與108之間可包括相同或不相同的材料，金屬層106的材質(zhì)例如為鎢或鋁，絕緣層116則包括如旋涂玻璃或的絕緣材質(zhì)，金屬層112與金屬層112’的材質(zhì)例如為鎢或鋁且可同時(shí)形成，而透明電極120可包括氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料。而半導(dǎo)體層102的外型也非以U形為限，其也可為L形或其他形狀。上述構(gòu)件的制作可采用傳統(tǒng)陣列基板制作工藝所完成，故在此不詳述其相關(guān)制作。
[0064]請(qǐng)參照?qǐng)D9，顯示了依據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例的一種顯示裝置500的一剖面示意圖。
[0065]如圖9所不，顯不裝置500包括:一陣列基板300 ;—透光基板350 ;以及一顯不層400，設(shè)置于透光基板350與該陣列基板300之間。于一實(shí)施例中，顯示裝置500內(nèi)的陣列基板300可包括如圖1-圖8所示的陣列基板10與10’，且可還包括如共電極(未顯示)等其他構(gòu)件。而依照顯示裝置500的實(shí)施情形，例如為液晶顯示裝置或有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，顯示層400則包括一液晶層或一有機(jī)發(fā)光二極管層。而于顯示裝置500中，依照顯示裝置500的實(shí)施情形，例如為液晶顯示裝置或有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，透光基板350上可還包括有如彩色濾光物(未顯示)的其他構(gòu)件，而透光基板350可包括如玻璃或塑膠的透光材質(zhì)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包含: 陣列基板，定義出多個(gè)陣列排列的像素結(jié)構(gòu)，該些像素結(jié)構(gòu)分別具有: 半導(dǎo)體層，位于一基板上； 第一金屬層，位于該基板上； 第一絕緣層，位于該半導(dǎo)體層上，該第一絕緣層具有第一開口，該第一開口露出該半導(dǎo)體層的一頂面及該第一絕緣層的一側(cè)面； 第二金屬層，位于該第一絕緣層上，且經(jīng)由該第一開口形成于該半導(dǎo)體層的該頂面及該第一絕緣層的該側(cè)面；以及 第二絕緣層，位于該第二金屬層與該第一絕緣層上，且該第二絕緣層具有第二開口，其中，該第二開口露出位于該第一絕緣層的該側(cè)面上的該第二金屬層， 其中，該第一開口、該第二開口與該第一金屬層沿一方向的排列順序?yàn)樵摰谝唤饘賹?、該第二開口，及該第一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第二開口所露出的該第二金屬層的面積大于該第一開口所露出的該半導(dǎo)體層的該頂面的面積。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第二金屬層與該第一金屬層部分重置。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該第一金屬層包括沿第一方向間隔設(shè)置的一第一柵極線及一第二柵極線，而該第二金屬層包括沿一第二方向間隔設(shè)置的一第一數(shù)據(jù)線及一第二數(shù)據(jù)線，該第一方向與該第二方向不同，該第一柵極線、該第二柵極線、該第一數(shù)據(jù)線及該第二數(shù)據(jù)線定義一像素區(qū)，該第一開口與該第二開口位于該像素區(qū)內(nèi)，且該半導(dǎo)體層與該第一數(shù)據(jù)線電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，該第二開口位于該第一開口與該第一數(shù)據(jù)線之間。
6.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，該第二開口部分重疊于該第一金屬層。
7.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，該第一開口具有一第一幾何中心，而該第二開口具有一第二幾何中心，其中該第一幾何中心與該第二幾何中心的一連線與該第一柵極線具有一夾角，且該夾角大于O度且小于90度。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置還包括: 透光基板；以及 顯示層，設(shè)置于該透光基板與該陣列基板之間。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置還包含第一透明電極，該第一透明電極通過該第二開口與該第二金屬層電連接。
10.如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，該顯示層為一液晶層或一有機(jī)發(fā)光二極管層。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種顯示裝置，包括一陣列基板，定義出多個(gè)陣列排列的像素結(jié)構(gòu)。該些像素結(jié)構(gòu)分別具有：一半導(dǎo)體層，位于該基板上；一第一金屬層，位于該基板上；一第一絕緣層，位于該半導(dǎo)體層上，該第一絕緣層具有一第一開口，該第一開口露出該半導(dǎo)體層的一頂面及該第一絕緣層的一側(cè)面；一第二金屬層，位于該第一絕緣層上，且經(jīng)由該第一開口形成于該半導(dǎo)體層的該頂面及該第一絕緣層的該側(cè)面；以及一第二絕緣層，位于該第二金屬層與該第一絕緣層上，且該第二絕緣層具有一第二開口，其中該第二開口露出位于該第一絕緣層的該側(cè)面上的該第二金屬層。
【IPC分類】H01L27-12
【公開號(hào)】CN204596791
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520041234
【發(fā)明人】劉侑宗, 邱冠宇, 李淂裕, 王兆祥
【申請(qǐng)人】群創(chuàng)光電股份有限公司
【公開日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年1月21日