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      一種無(wú)引線片的耦合電容器的制造方法

      文檔序號(hào):9088136閱讀:655來(lái)源:國(guó)知局
      一種無(wú)引線片的耦合電容器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種耦合電容器,具體講涉及一種1000KV柱式電容式電壓互感器用的無(wú)引線片的耦合電容器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]柱式電容式電壓互感器是用于特高壓電網(wǎng)電能計(jì)量、電壓測(cè)量及繼電保護(hù)的重要設(shè)備。柱式電容式電壓互感器的耦合電容器電容元件的卷制方式如圖2所示,為二膜一紙的繞制方式:由兩層金屬薄膜、設(shè)于兩層金屬薄膜之間的其間設(shè)有電容器紙的兩層聚丙烯薄膜、以及設(shè)于其中一層金屬薄膜外側(cè)的聚丙烯薄膜和電容器紙層疊后,卷繞制成;如圖3所示,電容元件內(nèi)插接有兩個(gè)引線片,分別為正極引線片和負(fù)極引線片,兩個(gè)引線片分別與兩層金屬薄膜電氣相連,繞制完成后,通過引線片將電容元件串聯(lián)起來(lái)。
      [0003]100kV柱式電容式電壓互感器內(nèi)部共有近千只電容元件,每個(gè)電容元件有兩個(gè)引線片,引線片的總使用量相當(dāng)可觀,電容元件通過引線片壓接串聯(lián),按每個(gè)引線片尺寸為80mm(長(zhǎng))X 40mm(寬)來(lái)看,總長(zhǎng)度達(dá)到160米長(zhǎng),由于引線片的存在,100kV柱式電容式電壓互感器在某一高頻電壓下必將呈現(xiàn)電容與電感串聯(lián)諧振的狀態(tài),對(duì)其高頻性能造成影響。引線片的電感是電容式電壓互感器殘余電感的最重要部分。
      [0004]研究表明:降低100kV柱式電容式電壓互感器殘余電感可以改善其高頻性能,因此,有必要提供一種新的電容元件,以減少耦合電容器的引線片數(shù)量,降低耦合電容器的殘余電感,提高100kV柱式電容式電壓互感器的高頻性能。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足,本實(shí)用新型提供一種無(wú)引線片的耦合電容器。
      [0006]本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案是:一種無(wú)引線片的耦合電容器,所述耦合電容器包括外瓷套管、同軸設(shè)于所述外瓷套管兩端外側(cè)的電容器法蘭、同軸設(shè)于所述外瓷套管兩端內(nèi)側(cè)的電容組件和膨脹器;兩端內(nèi)側(cè)的電容組件和膨脹器分別與兩端外側(cè)的電容器法蘭相連,所述電容組件與所述膨脹器相連,所述電容組件由依次串聯(lián)的電容元件構(gòu)成;其改進(jìn)之處在于:所述電容元件為無(wú)引線片的薄膜電容器,所述薄膜電容器的兩側(cè)分別露出金屬薄膜,并通過所述金屬薄膜與其兩側(cè)的薄膜電容器壓接串聯(lián)。
      [0007]優(yōu)選的,所述外瓷套管的外壁為傘群結(jié)構(gòu);所述外瓷套管的兩端沿其軸線平行的方向分別設(shè)有螺孔;電容器法蘭上設(shè)有平行于軸線方向貫穿的、孔徑與所述外瓷套管兩端孔徑對(duì)應(yīng)相等的螺孔,所述電容器法蘭通過螺孔和貫穿所述螺孔的螺栓與外瓷套管固定。
      [0008]進(jìn)一步,所述外瓷套管內(nèi)充有絕緣油,所述電容器法蘭的內(nèi)側(cè)面同中心設(shè)有直徑等于外瓷套管直徑的圓環(huán)形凹槽;所述凹槽內(nèi)安裝有彈性密封圈。
      [0009]優(yōu)選的,所述膨脹器為圓柱體形波紋結(jié)構(gòu)的金屬密封腔體,所述膨脹器的一端與所述電容器法蘭固定,所述膨脹器的另一端通過留有裕度的導(dǎo)線與所述電容組件連接。
      [0010]進(jìn)一步,所述膨脹器通過焊接方式與所述電容器法蘭固定。
      [0011]優(yōu)選的,所述薄膜電容器由依次層疊的第一金屬薄膜、第一電容介質(zhì)、第二金屬薄膜和第二電容介質(zhì)以所述第一金屬薄膜為卷繞層內(nèi)側(cè),所述第二電容介質(zhì)為卷繞層外側(cè)卷繞,壓扁后經(jīng)真空浸漬處理制成,所述薄膜電容器的兩側(cè)相對(duì)位置分別留有開口,以露出一側(cè)的第一金屬薄膜和另一側(cè)的第二金屬薄膜。
      [0012]進(jìn)一步,所述第一金屬薄膜和所述第二金屬薄膜均為鋁箔。
      [0013]進(jìn)一步,所述第一電容介質(zhì)和所述第二電容介質(zhì)均包括兩層聚丙烯薄膜和設(shè)于所述兩層聚丙烯薄膜之間的電容器紙。
      [0014]與最接近的技術(shù)方案相比,本實(shí)用新型具有如下顯著進(jìn)步:
      [0015]I)本實(shí)用新型提供的耦合電容器電容元件通過金屬薄膜直接壓接串聯(lián),耦合電容器內(nèi)部無(wú)引線片,大大降低了耦合電容器的殘余電感,提高了 1000KV柱式電容式電壓互感器的尚頻性能。
      [0016]2)本實(shí)用新型通過在電容元件的兩側(cè)開口以露出第一金屬薄膜和第二金屬薄膜,由于第一金屬薄膜和第二金屬薄膜所處的位置是耦合電容器絕緣薄弱區(qū)域,因此采用第一金屬薄膜和第二金屬薄膜直接壓接串聯(lián),可提高電容元件之間的絕緣性能。
      [0017]3)本實(shí)用新型提供的耦合電容器內(nèi)部無(wú)引線片,有利于減少設(shè)備材料,降低設(shè)備成本。
      [0018]4)金屬膨脹器的尺寸隨環(huán)境溫度變化而變化,電容組件通過留有裕度的導(dǎo)線與金屬膨脹器相連,可防止金屬膨脹器因尺寸變化而上下移動(dòng),導(dǎo)致金屬膨脹器與電容組件脫離,提高了電容組件和金屬膨脹器的連接可靠性。
      【附圖說明】
      [0019]圖1為本實(shí)用新型提供的耦合電容器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0020]圖2為電容元件的繞制方式示意圖;
      [0021]圖3為現(xiàn)有的耦合電容器電容元件中引線片的引出方式圖;
      [0022]圖4為本實(shí)用新型提供的耦合電容器電容元件的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0023]其中:1-電容器上法蘭;2_膨脹器;3_電容元件;4_外瓷套管;5_電容器下法蘭;6-聚丙烯薄膜;7_電容器紙;8_第一金屬薄膜;9_第二金屬薄膜;10_正極引線片;11_負(fù)極引線片。
      【具體實(shí)施方式】
      [0024]本實(shí)用新型提供一種無(wú)引線片的耦合電容器,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。包括外瓷套管4、電容器法蘭、膨脹器2和電容組件。
      [0025]外瓷套管4用于裝入電容元件3,并提高其外絕緣水平;其外壁為傘群結(jié)構(gòu),傘群為直徑不等的大小傘;外瓷套管4的最小有效爬電距離為27500mm ;外瓷套管4內(nèi)部充有十二烷基苯絕緣油,用于浸漬聚丙烯薄膜6與電容器紙7復(fù)合的絕緣介質(zhì),提高整體電氣性會(huì)K。
      [0026]電容器法蘭同軸安裝在外瓷套管4兩端,將耦合電容器芯體密封
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