一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板及其組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽電池領(lǐng)域，特別涉及一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板及其組件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著太陽能電池背板技術(shù)的進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，主流的太陽電池背板大多使用含氟材料作為最外層保護(hù)(Air side)，PET做為中間層起支撐作用，與EVA粘結(jié)層(EVAside)粘接的材料有氟涂層、氟膜、聚烯烴、EVA、PE等材料，基本上均可滿足太陽電池背板的耐候性和絕緣性的要求。然而對于水汽阻隔性，大部分背板生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的背板的水汽阻隔性很難達(dá)到2.0g/m2.day ο
[0003]目前市場上存在的幾種高阻隔性的背板主要通過以下幾種方式達(dá)到:(I)增加基層PET厚度，無疑制造成本也跟著增加，失去了競爭優(yōu)勢；(2)增加EVA粘結(jié)層厚度，使用較厚的聚烯烴、EVA、PE材料(50-150 μ m)，缺點(diǎn)是使用聚烯烴材料作為內(nèi)層，耐紫外(UV)性能得不到保證，背板使用壽命縮短；(3)在基層表面復(fù)合一層鋁箔，鋁的水汽阻隔性能非常優(yōu)異，缺點(diǎn)是絕緣性差，制造成本上升。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板；上述背板通過設(shè)置氣相沉積阻隔層，來提高背板的水汽阻隔性能，降低外界水汽對太陽能電池的侵蝕，從而提高太陽能組件的發(fā)電效率，延長太陽能組件的使用壽命，增加發(fā)電收益。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板，其技術(shù)方案為:
[0006]—種氣相沉積阻隔性太陽電池背板，包括基層、以及設(shè)置在基層一側(cè)的第一耐候?qū)雍土硪粋?cè)第二耐候?qū)?，基層與第一耐候?qū)又g和/或基層與第二耐候?qū)又g、或者所述第一耐候?qū)拥耐獗砻婧?或所述第二耐候?qū)拥耐獗砻嬖O(shè)置有氣相沉積阻隔層；氣相沉積阻隔層是以物理氣相沉積技術(shù)或者等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積得到。
[0007]本實(shí)用新型提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板，還可以包括以下附屬技術(shù)方案:
[0008]其中，等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)。
[0009]其中，氣相沉積阻隔層的厚度是25nm?900nmo
[0010]其中，氣相沉積阻隔層的厚度是25nm?45nm。
[0011]其中，氣相沉積阻隔層的厚度是55nm?900nm。
[0012]其中，氣相沉積阻隔層是氧化物沉積層、氮化物沉積層或碳化物沉積層。
[0013]其中，基層是PET層。
[0014]其中，PET層的厚度是180?350微米。
[0015]其中，第一耐候?qū)雍偷诙秃驅(qū)邮呛鷺渲繉踊蛘吆鷺渲印?br>[0016]本實(shí)用新型還提供了一種光伏太陽能電池組件，其技術(shù)方案為:
[0017]—種光伏太陽能電池組件，包括前層材料、封裝材料、電池片、太陽電池背板，太陽電池背板是上述的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板。
[0018]名詞解釋:
[0019]等離子體化學(xué)氣相沉積(plasma chemical vapor deposit1n簡稱PCVD)是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體，促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激活并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激活能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。
[0020]物理氣相沉積(Physical Vapor Deposit1n，簡稱PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發(fā)展到目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。
[0021]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma-enhancedChemical vapor deposit1n，簡PECVD)是借助等離子體使含有薄膜組成原子的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而在基材上沉積薄膜的一種方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是等離子體化學(xué)氣相沉積中的一種；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能，增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過程得以在低溫實(shí)現(xiàn)。目前應(yīng)用的PECVD裝置雖然多種多樣，但基本結(jié)構(gòu)單元都大同小異。若按等離子體發(fā)生方法劃分，可分為直流輝光放電、射頻放電、微波放電等PECVD裝置。
[0022]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0023]本實(shí)用新型提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板通過設(shè)置氣相沉積阻隔層來提高背板的水汽阻隔性能，經(jīng)試驗(yàn)，水汽阻隔性完全能夠達(dá)到2.0g/m2.day,降低外界水汽對太陽能電池的侵蝕，從而提高太陽能組件的發(fā)電效率，延長太陽能組件的使用壽命，增加發(fā)電收益。與目前市場上存在的幾種低阻隔性的太陽背板相比制備成本低、耐候性好，而且具有優(yōu)良的絕緣性能。
[0024]本實(shí)用新型的氣相沉積阻隔層采用物理氣相沉積技術(shù)或者等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積得到，物理氣相沉積技術(shù)或者等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)反應(yīng)溫度低，沉積氣相沉積阻隔層時得以在低溫實(shí)現(xiàn)。利用物理氣相沉積技術(shù)或者等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積的氣相沉積阻隔層表面存在凸起和凹坑，致使該氣相沉積阻隔層與PET、氟材料、EVA還具有良好的粘結(jié)強(qiáng)度。
【附圖說明】
[0025]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板
[0026]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板
[0027]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例三的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板
[0028]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例四的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板
[0029]1、基層；2、第一耐候?qū)樱?、第二耐候?qū)樱?、氣相沉積阻隔層。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對本實(shí)用新型加以詳細(xì)說明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對本實(shí)用新型的理解，而對其不起任何限定作用。
[0031]參見圖1至圖4，本實(shí)施例提供的一種氣相沉積阻隔性太陽電池背板，包括基層1、設(shè)置在基層一側(cè)的第一耐候?qū)?和另一側(cè)的第二耐候?qū)?，以及氣相沉積阻隔層4 ;本實(shí)施例的一種技術(shù)方案為基層I與第一耐候?qū)?之間和/或基層與第二耐候?qū)?之間設(shè)置有氣相沉積阻隔層4，本實(shí)施例的另一方案為第一