區(qū)140中的虛設(shè)鰭片145 (η型)的結(jié)(junct1n)。附加的耗盡區(qū)水平地(例如，沿著虛設(shè)鰭片145的頂部)并且豎直地(例如，沿著虛設(shè)鰭片145的側(cè)部)延伸以增加電荷載流子(例如，電子)在耗盡區(qū)中的路徑160的長度。電荷載流子在附加的耗盡區(qū)中的增加的路徑長度導(dǎo)致更高的器件擊穿電壓(例如，在LDMOS器件的源極132與漏極152之間)。
[0024]源極結(jié)構(gòu)130包括:建在覆蓋第一鰭片135的一部分的外延形成138的頂部上的源極132、虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)136、及柵極結(jié)構(gòu)134。柵極結(jié)構(gòu)134覆蓋了包括第一鰭片135的邊緣的第一鰭片135的一部分。漏極結(jié)構(gòu)150包括:建在覆蓋第二鰭片155的一部分的外延形成158的頂部上的漏極152和虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)154和156。源極結(jié)構(gòu)130的虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)136和漏極結(jié)構(gòu)150的虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)154和156沒有與本技術(shù)相關(guān)的功能，并且因為它們是常規(guī)的基于finFET的CMOS制造工藝流程的一部分而被示出。
[0025]圖1B示出圖1A的LDMOS器件的頂視圖100B。頂視圖100B示出分別對應(yīng)于橫截面圖100A的源極結(jié)構(gòu)130、虛設(shè)區(qū)140、及漏極結(jié)構(gòu)150的區(qū)160、區(qū)170、及區(qū)180。虛線A-A ’示出軸線，橫穿該軸線示出截面圖100A。區(qū)160示出許多(例如，三個)第一鰭片135，第一鰭片135的部分覆蓋有外延形成138和柵極結(jié)構(gòu)134。區(qū)170示出許多(例如，三個)虛設(shè)鰭片145，而區(qū)180示出部分覆蓋有外延形成158的許多(例如，三個)第二鰭片155。
[0026]在一個或多個實施例中，如在圖1C的橫截面圖100C中所示，每個虛設(shè)區(qū)(例如，140)包括設(shè)置在虛設(shè)鰭片145上的虛設(shè)柵極142、虛設(shè)外延形成148、及虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)144和146。在橫截面圖100C中示出的LDMOS器件在其他方面與在橫截面圖100A中示出的LDMOS器件相似。應(yīng)理解的是，LDMOS器件的高壓操作在沒有包括虛設(shè)柵極142、虛設(shè)外延形成148、及虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)144和146的這些虛設(shè)結(jié)構(gòu)的情況下是能實現(xiàn)的。這些虛設(shè)結(jié)構(gòu)不是本技術(shù)的操作必需的，而是增加以符合基于finFET的CMOS制造工藝流程。
[0027]雖然不是必需的，但是虛設(shè)柵極142在耦接至適當(dāng)?shù)钠珘菏?，并不干擾器件的高壓操作，如以下論述的。需要重點強調(diào)的是，本技術(shù)的LDMOS器件可以使用常規(guī)的基于finFET的CMOS器件制造工藝流程來制造，而無需附加的掩?；蛘吖に嚥襟E，因此沒有額外成本。
[0028]圖2A和圖2B示出根據(jù)一個或多個實施例的圖1A的LDMOS器件的高壓操作模式200A和200B的示例。在LDMOS器件的關(guān)斷模式中，如在操作模式200A中所示，源極132和柵極134連接到最低的電壓(例如，諸如接地電位的零電壓)，而漏極152連接至高壓(例如，5V)。
[0029]在LDMOS器件的導(dǎo)通模式中，如在操作模式200B中所示，源極132連接至最低的電壓(例如，諸如接地電位的零電壓)并且漏極152連接至高壓(例如，5V)，而柵極134連接至LDMOS器件的閾值電壓以上的適當(dāng)?shù)臇艠O電壓(例如，1.8V)。圖2A和圖2B的LDMOS器件的虛設(shè)區(qū)140沒有虛設(shè)柵極，因此，未預(yù)期虛設(shè)區(qū)140干擾LDMOS器件的高壓操作。
[0030]圖3A和圖3B示出根據(jù)一個或多個實施例的圖1C的LDMOS器件的高壓操作模式300A和300B的示例。在LDMOS器件的關(guān)斷模式中，如在操作模式300A中所示，源極132和柵極134連接到最低的電壓(例如，諸如接地電位的零電壓)，而漏極152連接至高壓(例如，5V)。如圖1C中所示，虛設(shè)區(qū)140包括虛設(shè)柵極142，為了 LDMOS器件的正確操作，虛設(shè)柵極142連接至LDMOS器件的閾值電壓以上的適當(dāng)?shù)碾妷?例如，1.8V)。
[0031]在LDMOS器件的導(dǎo)通模式中，如在操作模式300B中所示，源極132連接至最低的電壓(例如，諸如接地電位的零電壓)，并且漏極152連接至高壓(例如，5V)，而圖1C的柵極134和虛設(shè)柵極142連接至LDMOS器件的閾值電壓以上的適當(dāng)?shù)臇艠O電壓(例如，1.8V)。
[0032]圖4示出了根據(jù)一個或多個實施例的形成用于高壓操作的LDMOS器件的方法400的示例。為了說明的目的，在本文中描述的示例方法400參照但不限于關(guān)于圖1A的LDMOS器件公開的工藝。此外，為了說明的目的，在本文中，示例方法400的方框被描述為連續(xù)或者線性地發(fā)生。然而，示例方法400的多個方框可并行發(fā)生。另外，不需要按照所示出的順序執(zhí)行示例方法400的方框和/或不需要執(zhí)行示例方法400的一個或多個方框。
[0033]方法400包括在基板材料(例如，圖1A的105上)形成第一阱區(qū)(例如，圖1A的110)和兩個或更多第二阱區(qū)(例如，圖1A的120-1和120-2) (410)。兩個或更多第二阱區(qū)通過一個或多個非阱區(qū)(例如，圖1A的115)分開。第一鰭片(例如，圖1A的135)部分地形成在第一阱區(qū)上，并且第二鰭片(例如，圖1A的155)形成在兩個或更多第二阱區(qū)的最后一個(例如，圖1A的120-2)上(420)。源極結(jié)構(gòu)(例如，圖1A的130)設(shè)置在第一鰭片上，并且漏極結(jié)構(gòu)(例如，圖1A的150)設(shè)置在第二鰭片上(430)。一個或多個虛設(shè)區(qū)(例如，圖1A的140)形成在一個或多個非阱區(qū)上(440)。虛設(shè)區(qū)提供包括用于電荷載流子的垂直流動路徑的附加的耗盡區(qū)流動路徑(例如，路徑160的部分，在圖1A的虛設(shè)區(qū)140中)以支持高壓操作。
[0034]圖5示出了根據(jù)一個或多個實施例的無線通信設(shè)備的示例。無線通信裝置500包括射頻(RF)天線510、接收器520、發(fā)送器530、基帶處理模塊540、存儲器550、處理器560、本地振蕩發(fā)生器(LOGEN) 570以及電源580。在本技術(shù)的各種實施方式中，圖5中表示的一個或多個方框可以被集成在一個或者多個半導(dǎo)體基板上。例如，方框520至570可以以單芯片或單片上系統(tǒng)來實現(xiàn)或者可以以多芯片的芯片組來實現(xiàn)。
[0035]RF天線510可適用于在寬頻率范圍上發(fā)送和/或接收RF信號(例如，無線信號)。雖然示出了單個的RF天線510，但是本技術(shù)并不限于此。
[0036]接收器520包括可操作地接收和處理來自RF天線510的信號的適當(dāng)邏輯電路和/或代碼。例如，接收器520可被操作為放大和/或下轉(zhuǎn)換所接收的無線信號。在本技術(shù)的各個實施方式中，接收器520可被操作為去除所接收的信號中的噪聲并且在寬頻率范圍上可以是線性的。以此方式，接收器520適合于接收根據(jù)各種無線標(biāo)準(zhǔn)的信號，例如W1-F1、WiMAX,藍牙以及各種蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。
[0037]發(fā)送器530包括可被操作為處理來自RF天線510的信號并且從RF天線510發(fā)送該信號的適當(dāng)邏輯電路和/或代碼。例如，發(fā)送器530可操作為將基帶信號上轉(zhuǎn)換成RF信號并且放大RF信號。在本技術(shù)的各種實施方式中，發(fā)送器530可操作為上轉(zhuǎn)換并且放大根據(jù)各種無線標(biāo)準(zhǔn)處理的基帶信號。該等標(biāo)準(zhǔn)的實例包括W1-F1、WiMAX、藍牙、以及各種蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。在本技術(shù)的各個實施方式中，發(fā)送器530可操作為提供信號供一個或多個功率放大器進一步放大。
[0038]在一些實施方式中，發(fā)送器530包括可以是使用本技術(shù)的(例如，如在圖1A或者圖1C中所示的)LDMOS器件制作的高壓功率放大器的RF功率放大器。
[0039]雙工器512提供傳輸頻帶的隔離以避免接收器520或者接收器520的損壞部分的飽和，以及放寬接收器520的一個或多個設(shè)計要求。此外，雙工器512可以使接收頻帶中的噪聲衰減。雙工器可在各種無線標(biāo)準(zhǔn)的多頻帶中操作。
[0040]基帶處理模塊540包括可操作為執(zhí)行基帶信號的處理的適當(dāng)邏輯、電路、接口、和/或代碼。例如，基帶處理模塊540可分析接收的信號并且生成控制信號和/或反饋信號以配置無線通信設(shè)備500的諸如接收器520的各組件?；鶐幚砟K540可操作為根據(jù)一種或多種無線標(biāo)準(zhǔn)編碼、解碼、轉(zhuǎn)碼、調(diào)制、解調(diào)、加密、解密、加擾、解擾和/或其他方式處理數(shù)據(jù)。
[0041]處理器560包括能夠處理數(shù)據(jù)和/或控制無線通信設(shè)備500的操作的適當(dāng)邏輯、電路、和/或代碼。就這一點而言，處理器560能夠?qū)⒖刂菩盘柼峁┲翢o線通信設(shè)備500的其他各部分。處理器560還可以控制無線通信設(shè)備500的各部分之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移。此外，處理器560能夠運行操作系統(tǒng)或以其它方式執(zhí)行代碼以管理無線通信設(shè)備500的操作。
[0042]存儲器550包括使能存儲各種類型的信息(諸如接收的數(shù)據(jù)、生成的數(shù)據(jù)、代碼、和/或配置信息等)的適