)提供所述氣流。替代地或結(jié)合地，在一些實施方式中，阻擋層219可以是可移動的門/閘門。門針對某些工藝(例如，在工序的沉積部分期間)提供額外隔離。一般來說，由于僅在將基板從一個模塊移送至下一模塊期間需要高凈化氣體幕簾流動，所以這些門使得處理腔室模塊內(nèi)的消耗品成本降低。在利用負載鎖定腔室(即基板移送腔室)及減小的壓力的一些實施方式中，將需要門來隔離待處理的基板。
[0040]在一些實施方式中，門可由金屬制成，所述金屬諸如鋁、拋光不銹鋼或類似物。在其他實施方式中，處理系統(tǒng)的較熱區(qū)域中的閘門可由石英制成以承受高溫。在一些實施方式中，閘門的一個或更多個側(cè)面可包括反射涂層以使模塊102D中的熱損失最小化。為了提供反射閘門以朝向處理區(qū)域?qū)⒛芰糠瓷浠厝?并保持閘門冷卻)，可提供復(fù)合閘門。例如，在一些實施方式中，如219’所示，可在兩個透明石英板240之間設(shè)置鎳膜、反射石英或其他反射材料242?？蓪?fù)合閘門熔合在一起，以密封石英內(nèi)的反射材料242。反射材料(例如，鎳)起鏡子作用以反射光和熱能，以防止熱損失。在一些實施方式中，“反射”是指朝向材料反射至少90%的能量(例如，光、熱等)的材料。在一些實施方式中，反射材料朝向處理區(qū)域反射回至少95%的能量，以最小化能量消耗和在基板載體的邊緣處提供更好的溫度均勻性。
[0041]在一些實施方式中，可在閘門中形成一個或更多個凹口(notch)(圖示兩個凹口224,226)以便于在處理期間將基板載體緊固在模塊102D內(nèi)的所需位置中和/或在基板載體與阻擋層219之間形成密封。一旦推動機構(gòu)將基板載體輸送至每個腔室中的所需位置，門/閘門阻擋層219(和腔室襯墊元件)在基板載體周圍形成密封，以形成各腔室內(nèi)的封閉區(qū)域。門/閘門阻擋層219可接觸底部204以形成密封表面250，所述密封表面防止模塊之間工藝氣體的交叉污染或混合。如上文針對圖1所討論的，在閘門機構(gòu)打開或關(guān)閉時，還可在每個門與門的相鄰載體之間提供四個側(cè)面氣流252(即氣體凈化或氣幕)以防止腔室之間的交叉污染。在一些實施方式中，閘門可被垂直打開/關(guān)閉，并且可經(jīng)由一個或更多個致動器(未圖示)從腔室底部進入或從腔室頂部下降進入。在其他實施方式中，閘門可經(jīng)由一個或更多個致動器(未圖示)水平滑入。
[0042]在一些實施方式中，模塊102D可包括設(shè)置在殼體的一個或更多個側(cè)面中的一個或更多個窗口，例如諸如圖2中所示，窗口 214被設(shè)置在殼體202的側(cè)面220中。當存在窗口 214時，窗口 214允許從例如輻射熱燈將輻射熱提供至殼體202中，所述輻射熱燈設(shè)置在與殼體202內(nèi)部相對的窗口 214的側(cè)面上。窗口 214可由任何適當材料制成，所述材料允許經(jīng)過窗口 214的輻射熱通過，同時當暴露于殼體202內(nèi)的處理環(huán)境中時抗降解。例如，在一些實施方式中，窗口 214可由石英(S12)制成。
[0043]在一些實施方式中，模塊102D可包括氣體入口 208，所述氣體入口設(shè)置在殼體202的頂部230附近以經(jīng)由殼體202中形成的通孔231提供一種或更多種氣體至殼體202中?？梢匀魏芜m合于將所需工藝氣流提供至殼體202的方式配置氣體入口 208?？稍趦蓚€基板載體之間提供氣體噴射，以在兩個基板載體之間的反應(yīng)區(qū)域中容納工藝氣體，和/或在基板載體與模塊壁之間容納凈化氣體。
[0044]例如，參照圖4，在一些實施方式中，氣體入口 208可包括具有多個噴氣孔410的氣體分配板402。噴氣孔410可被配置成將所需的工藝氣體流提供至殼體202中。例如，在一些實施方式中，噴氣孔410可包括多個內(nèi)部氣孔408和多個外部氣槽406，諸如圖4中所示。在這種實施方式中，內(nèi)部氣孔408可將工藝氣體的高速噴射流提供至殼體202的中央?yún)^(qū)域以促進工藝。在一些實施方式中，外部氣槽406可在設(shè)置于基板載體中的基板之上提供工藝氣體的較低速層流。
[0045]返回參照圖2，在一些實施方式中，模塊102D可包括排氣裝置221，所述排氣裝置耦接至與氣體入口 208相對的殼體202的一部分(例如，底部204)，以便于經(jīng)由在殼體202的底部204中形成的通道233從殼體202移除氣體。
[0046]參照圖3，在一些實施方式中，模塊102D可包括一個或更多個加熱燈(圖示兩個加熱燈302、304)，所述加熱燈耦接至殼體202的側(cè)面306、308。加熱燈302、304經(jīng)由窗口214將輻射熱提供至殼體202中。加熱燈302、304可以是適合于將足夠輻射熱提供至殼體中的任何類型的加熱燈，以執(zhí)行模塊102D內(nèi)工藝的所需部分。例如，在一些實施方式中，加熱燈302、304可以是線性燈或分區(qū)線性燈，所述燈能夠以約0.9微米的波長或在一些實施方式中以約2微米的波長提供輻射熱。可基于所需應(yīng)用選擇用于各種模塊中的燈的波長。例如，可選擇所述波長以提供所需燈絲溫度。低波長的燈泡較為便宜，使用較少功率，并可用于預(yù)熱。較長波長的燈泡提供高功率，以便于提供例如用于沉積工藝的較高工藝溫度。
[0047]在一些實施方式中，可在一個或更多個區(qū)域中提供紅外線(IR)燈，以將熱能提供至基板載體并最終提供至基板。不需要沉積的腔室部分(諸如窗口)可由不會吸收IR光能并變熱的材料制成。這種熱管理使沉積保持實質(zhì)上控制在所需區(qū)域。IR燈的一個或更多個區(qū)域(例如，在模塊側(cè)面自上而下的水平帶中)便于控制垂直溫度梯度以補償耗盡效應(yīng)(deplet1n effect)或者沉積或其他處理的其他垂直非均勾性。在一些實施方式中，還可隨時間推移以及在區(qū)域之間調(diào)節(jié)溫度。除上文針對圖4描述的氣體噴射調(diào)節(jié)外，或與氣體噴射調(diào)節(jié)相結(jié)合，這種類型的粒狀溫度控制可促進控制基板自上而下以及側(cè)向邊緣到邊緣的基板處理結(jié)果(例如，沉積膜的厚度或摻雜劑濃度和/或深度的均勻性)。
[0048]圖5描繪可與本文描述的本實用新型的實施方式一起使用的基板載體502的至少一個示例性實施方式?；遢d體502可支撐兩個或更多個基板，并將兩個或更多個基板載運穿過具索引的串聯(lián)基板處理工具100或載運至群集基板處理工具(未圖示)。在一些實施方式中，基板載體502 —般可包括底座512和一對相對的基板支撐件508、510?？稍谟糜谔幚淼幕逯渭?08的每一個上設(shè)置一個或更多個基板(圖5所示的基板504、506)。在一些實施方式中，將基板支撐件508、510緊固在基板載體502上，并且基板支撐件508、510可相對于彼此保持成銳角，其中所述基板面對彼此并界定兩者之間的反應(yīng)區(qū)域。例如，在一些實施方式中，將基板支撐件508、510保持與垂直線成約2度與10度之間的角度。
[0049]底座512可由任何適合于在處理期間支撐基板支撐件508、510的材料制成，例如諸如石墨。在一些實施方式中，可在底座512中形成第一槽526和第二槽528，以允許基板支撐件508、510至少部分地設(shè)置在第一槽526和第二槽528內(nèi)，以將基板支撐件508、510維持在所需位置以便處理。在一些實施方式中，基板支撐件508、510—般向外略微傾斜，以使得基板支撐表面通常彼此相對，并以“V”形布置。在一些實施方式中，底座512由隔熱材料(insulating material)制成，并且可以是透明或不透明石英或者透明與不透明石英的組合以便溫度管理。
[0050]在底座512的底表面527中設(shè)置溝道514，并自底座512的頂表面529穿過底座512至溝道514設(shè)置開口 518，以形成一種或更多種氣體流動穿過底座512的路徑。例如，當在模塊(諸如上文描述的模塊102D)中設(shè)置基板載體502時，開口 518和溝道514便于氣體從氣體入口(例如，上文描述的氣體入口 208)流動到模塊排氣裝置(例如，上文描述的模塊102D的排氣裝置221)。托架可由石英制成，其中將排氣裝置和清潔溝道機械加工成設(shè)置在石英下方的金屬底座或石英。可提供擋扳以促進使穿過底座512的流體平坦。
[0051]在一些實施方式中，底座512可包括管道516，所述管道設(shè)置在底座512內(nèi)并外接溝道514。管道516可具有沿管道516的長度形成的一個或更多個開口，以將管道516流體地耦接至溝道514，以允許氣體從管道516流動到溝道514。在一些實施方式中，在模塊中設(shè)置基板載體502時，可將清潔氣體提供至管道516和溝道514，以便于從溝道514移除沉積材料?？稍谝粋€或更多個排氣裝置附近提供清潔氣體，以防止在排氣裝置內(nèi)沉積工藝副產(chǎn)物，從而減少清潔/維護所需的停機時間。清潔氣體可以是任何適合于從模塊中移除特定材料的氣體。例如，在一些實施方式中，清潔氣