凸塊結(jié)構(gòu)及封裝組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種凸塊結(jié)構(gòu)及封裝組件。
【背景技術(shù)】
[0002]凸塊結(jié)構(gòu)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于倒裝芯片封裝工藝中，在倒裝芯片封裝工藝中，凸塊結(jié)構(gòu)直接結(jié)合到封裝基板中的導(dǎo)電跡線上。凸塊結(jié)構(gòu)作為倒裝芯片封裝件的內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，具有連線密度高、封裝尺寸小、電性能及熱性能較好的特點(diǎn)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的凸塊結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述凸塊結(jié)構(gòu)11包括凸塊下金屬層114、位于所述凸塊下金屬層114上的銅柱111、位于所述銅柱111上的Ni層112及位于所述Ni層112上的SnAg層113 ;所述凸塊結(jié)構(gòu)11通過(guò)所述凸塊下金屬層114設(shè)置于一基座12上的金屬焊墊13上，所述基座12的表面設(shè)有鈍化層14，所述鈍化層14對(duì)應(yīng)所述金屬焊墊13的地方設(shè)有開(kāi)口。由圖1可知，所述銅柱111的頂部為平面，所述Ni層112覆蓋于所述銅柱111的頂部，作為焊料層的所述SnAg層113覆蓋于所述Ni層112上，且所述SnAg層113的寬度與所述Ni層112及所述銅柱111的寬度相同。
[0004]在倒裝芯片封裝工藝過(guò)程中，圖1中所示的結(jié)構(gòu)倒置，且經(jīng)由所述SnAg層113貼置于另一基座(未示出)的導(dǎo)電跡線15上，形成的封裝組件如圖2所示。然而，在倒裝芯片回流工藝后，在高溫條件下，位于所述銅柱111及所述導(dǎo)電跡線15之間的所述SnAg層113會(huì)融化并塌陷，融化的所述SnAg層113會(huì)從其原有的位置凸出，即如圖2中所示，所述SnAg層113在所述銅柱111及所述導(dǎo)電跡線15的兩側(cè)形成有凸出。如果導(dǎo)電跡線間的間距非常小，相鄰?fù)蛊鸾Y(jié)構(gòu)就會(huì)相互接觸導(dǎo)致短路，進(jìn)而對(duì)器件造成損壞。為了避免短路，現(xiàn)有的倒裝芯片封裝件中導(dǎo)電跡線的間距必須保持足夠的間距，這就限制了器件尺寸的小型化，進(jìn)而增加了生產(chǎn)成本。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種凸塊結(jié)構(gòu)及封裝組件，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在倒裝芯片封裝件中，由于焊料層在高溫下從原有位置凸出而導(dǎo)致間距較小的導(dǎo)電跡線短路，從而限制了器件尺寸的小型化，增加了生產(chǎn)成本的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)包括:
[0007]導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂部形成有凹面；
[0008]覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述導(dǎo)電柱的頂部；
[0009]焊料層，所述焊料層位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上。
[0010]作為本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述覆蓋層的寬度等于所述導(dǎo)電柱的寬度；所述焊料層的寬度小于或等于所述導(dǎo)電柱寬度的四分之三。
[0011]作為本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述導(dǎo)電柱包括銅柱；所述覆蓋層包括Ni層；所述焊料層包括SnAg層。
[0012]作為本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述凸塊結(jié)構(gòu)還包括凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層位于所述導(dǎo)電柱的底部。
[0013]作為本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層及所述焊料層均呈凹面狀。
[0014]作為本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述導(dǎo)電柱的形狀為長(zhǎng)方形。
[0015]本實(shí)用新型還提供一種封裝組件，所述封裝組件包括:
[0016]第一基底，所述第一基底表面設(shè)有金屬焊墊；
[0017]如上述方案中所述的凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)位于所述金屬焊墊上；
[0018]第二基底，所述第二基底表面設(shè)有導(dǎo)電跡線；所述凸塊結(jié)構(gòu)通過(guò)所述焊料層貼置于所述導(dǎo)電跡線上。
[0019]作為本實(shí)用新型的封裝組件的一種優(yōu)選方案，所述第一基底表面還設(shè)有鈍化層，所述鈍化層對(duì)應(yīng)于所述金屬焊墊的位置處設(shè)有開(kāi)口，所述凸塊結(jié)構(gòu)經(jīng)由所述開(kāi)口與所述金屬焊墊相連接。
[0020]如上所述，本實(shí)用新型的凸塊結(jié)構(gòu)及封裝組件，具有以下有益效果:通過(guò)在導(dǎo)電柱的頂部設(shè)置凹面，并將焊料層設(shè)置于所述凹面內(nèi)，使得所述焊料層在倒裝芯片回流工藝后，即使在高溫條件下，所述焊料層會(huì)被限制在所述凹面內(nèi)，不會(huì)從其原有的位置凸出至所述導(dǎo)電柱的兩側(cè)，可以有效地避免相鄰?fù)箟K焊料層接觸發(fā)生短路；本實(shí)用新型可以使得倒裝芯片封裝件的尺寸更小、更輕，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的凸塊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的封裝組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例一中提供的凸塊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖4顯示為本實(shí)用新型實(shí)施例二中提供的封裝組件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0026]11凸塊結(jié)構(gòu)
[0027]111銅柱
[0028]112 Ni 層
[0029]113SnAg 層
[0030]114 凸塊下金屬層
[0031]12基底
[0032]13金屬焊墊
[0033]14鈍化層
[0034]15導(dǎo)電跡線
[0035]21凸塊結(jié)構(gòu)
[0036]211導(dǎo)電柱
[0037]212覆蓋層
[0038]213焊料層
[0039]214 凸塊下金屬層
[0040]22第一基底
[0041]23金屬焊墊
[0042]24鈍化層
[0043]25導(dǎo)電跡線
【具體實(shí)施方式】
[0044]以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過(guò)另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書(shū)中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0045]請(qǐng)參閱圖3至圖4。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本實(shí)用新型中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0046]實(shí)施例一
[0047]請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)用新型提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)21包括:導(dǎo)電柱211，所述導(dǎo)電柱211的頂部形成有凹面；覆蓋層212，所述覆蓋層212覆蓋所述導(dǎo)電柱211的頂部；焊料層213，所述焊料層213位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層212上。
[0048]作為示例，所述凹面的寬度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，所述凹面的寬度可以小于或等于所述導(dǎo)電柱211的寬度，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面的寬度小于所述導(dǎo)電柱211的寬度。
[0049]作為示例，所述凹面位于所述導(dǎo)電柱211的中心，即所述凹面的中心線與所述導(dǎo)電柱211的中心線相重合。
[0050]作為示例，所述凹面縱截面的形狀可以為半圓形、半橢圓形、矩形等等，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面縱截面的形狀為半橢圓形。
[0051]作為示例，所述覆蓋層212覆蓋于所述凹面的表面及所述凹面周圍的所述導(dǎo)電