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      低通濾波結(jié)構(gòu)、天線罩及天線系統(tǒng)的制作方法_2

      文檔序號(hào):9976030閱讀:來源:國知局
      [0044]如圖1所示,低通濾波結(jié)構(gòu)包括兩層介質(zhì)層,兩層介質(zhì)層為依次設(shè)置第一蜂窩基板11和第二蜂窩基板12,蜂窩基板的介電常數(shù)的范圍為0.84 < ε < 1.26,優(yōu)選地,ε =
      1.05,蜂窩基板的損耗的范圍為0.0048 ( loss ( 0.0072,優(yōu)選地,loss = 0.006,第一蜂窩基板11設(shè)置在中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22與第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層21之間,第二蜂窩基板12設(shè)置在中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22與第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層23之間。低通濾波結(jié)構(gòu)還包括浸料基板30,浸料基板30的介電常數(shù)的范圍為2.52 < ε ^ 3.78,優(yōu)選地ε =3.15,浸料基板30的損耗的范圍為0.004 ( loss ( 0.006,優(yōu)選地,loss = 0.005,各層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層設(shè)置在相鄰兩層浸料基板30之間以與介質(zhì)層隔離開。第一蜂窩基板11將第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層21與中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22隔開適當(dāng)?shù)木嚯x,從而很好調(diào)整通過的電磁波的透波能量、反射能量以及調(diào)整第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層21和中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22之間的電磁波共振,從而實(shí)現(xiàn)低通濾波的目標(biāo)。
      [0045]在本實(shí)施例中,導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層與浸料基板30之間為粘接,應(yīng)用在導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層與浸料基板30之間的膠層的介電常數(shù)的范圍為2.56 < ε <3.84,優(yōu)選地ε =3.2,浸料基板30的損耗的范圍為0.0016 ( loss ( 0.0024,優(yōu)選地,loss = 0.002。第一蜂窩基板11與相鄰的浸料基板30之間為粘接,第二蜂窩基板12與相鄰的浸料基板30之間為粘接。由于浸料基板30與蜂窩基板之間粘接固定比較困難,因此,本實(shí)施例利用粘接能力較強(qiáng)的膠層進(jìn)行粘接,并且控制膠層的厚度的范圍為0.08mm-0.12mm,優(yōu)選的,控制膠層的厚度為0.1mm,該膠層的介電常數(shù)的范圍為2.32 < ε <3.48,優(yōu)選地ε =2.9,該膠層的損耗的范圍為0.0064 ( loss ( 0.0096,優(yōu)選地,loss = 0.008。在夾住第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層21的兩塊浸料基板30中和/或在夾住第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層23的兩塊浸料基板30中,遠(yuǎn)離中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22的浸料基板比靠近中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層22的浸料基板厚。當(dāng)入射的電磁波具有一定的入射角的時(shí)候,設(shè)置在最外層的浸料基板30需要制作的厚一點(diǎn),并且在一定范圍內(nèi),最外層浸料基板30越厚越好。
      [0046]如圖1所示,第一蜂窩基板11與第二蜂窩基板12的厚度相等,并且第一蜂窩基板11與第二蜂窩基板12的厚度的取值范圍為17.5_至18.5_,優(yōu)選地,本實(shí)施例的第一蜂窩基板11與第二蜂窩基板12的厚度為18mm。
      [0047]為了更好地適應(yīng)電磁波在具有入射角情況下的濾波效果,設(shè)置在最外層的兩塊浸料基板30的厚度的范圍為0.64mm-0.96mm,優(yōu)選地,本實(shí)施例的最外層的兩塊浸料基板30的厚度為0.8mm ;其余的浸料基板30的厚度都相等且厚度范圍均為0.32mm_0.48mm,優(yōu)選地為 0.4mmο
      [0048]如圖4所示,在第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層23中,相鄰兩個(gè)第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)231之間的相應(yīng)端點(diǎn)之間的距離為1.0mm至2.0mm,優(yōu)選為1.5mm。各第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的寬度為0.2mm。進(jìn)一步地,田字形網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的邊長為4.3mm至5.3mm,優(yōu)選為4.8mm。
      [0049]如圖5所示,本實(shí)施例的九宮格方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的邊長為1mm至11mm,優(yōu)選為10.5mm。組成九宮格方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬線寬的范圍是0.08mm-0.12mm,優(yōu)選為0.1mm。
      [0050]如圖6所不,在第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層21中,一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)212的寬度范圍是0.16mm-0.24mm,優(yōu)選寬度為0.2mm,長度為6mm至7.2mm,優(yōu)選長度為6.6mm。其中,相鄰的兩個(gè)一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)212相互垂直,且二者之間的相鄰端點(diǎn)的垂直距離為1.0mm至
      2.0_,優(yōu)選為1.5_。同一個(gè)第一^h字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)211的同一邊上的兩端連接的一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)212相互平行,并且兩個(gè)一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)212之間的距離為9.5mm至10.5mm,優(yōu)選為10mnin
      [0051]如圖7示出了根據(jù)本實(shí)施例的濾波結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試的CST仿真結(jié)果曲線圖,TE波電磁波的入射角度為零即電磁波從正面入射,從曲線圖上可以看到:電磁波通過能量S21在0-2.9GHz波段均高于-0.7dB ;
      [0052]電磁波通過能量S21在3.8至17.5GHz波段均低于_10dB。
      [0053]其中:S11表示電磁波反射能量;S21表示電磁波通過能量。
      [0054]這是本實(shí)用新型的實(shí)施例的低通濾波效果,0-2.9GHz波段可透波而且低損耗,同時(shí)3.8至17.5GHz波段會(huì)被抑制,而且透波波段與抑制波段之間的滾降范圍窄,而現(xiàn)有技術(shù)中,電磁波在3.8至17.5GHz波段也不能很好的被抑制,因此本實(shí)用新型實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了在低頻段的透波,在高頻段被抑制的良好效果。
      [0055]根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面,提供了一種天線罩,該天線罩包括前述的低通濾波結(jié)構(gòu)。
      [0056]根據(jù)本實(shí)用新型的又一方面,提供了一種天線系統(tǒng),該天線系統(tǒng)包括天線罩,該天線罩包括上述的低通濾波結(jié)構(gòu)。
      [0057]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,包括至少三層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層,相鄰兩層所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置有介質(zhì)層,所述至少三層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層包括沿疊置方向依次設(shè)置的第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(21)、中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)以及第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(23), 所述第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(21)包括多個(gè)互不相連的第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211),各所述第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211)的四個(gè)端部上連接有一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(212), 所述第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(23)包括多個(gè)互不相連的第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(231)與設(shè)置在相鄰的四個(gè)所述第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(231)圍成的區(qū)域內(nèi)的第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232), 所述中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)包括多個(gè)互不相連的第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232)與所述第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211)在所述疊置方向上的投影至少部分重合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,相鄰的兩個(gè)所述一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(212)的相鄰端部之間互不相連。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多個(gè)第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(231)呈矩形陣列分布。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232)為縱橫交錯(cuò)的第一方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232)為田字形網(wǎng)格結(jié)構(gòu),所述田字形網(wǎng)格結(jié)構(gòu)位于相鄰的四個(gè)所述第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(231)圍成的區(qū)域的中間位置,且各所述第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211)的四個(gè)端部上連接的所述一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(212)的延長線所形成的區(qū)域的投影位于相鄰的四個(gè)所述第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(231)圍成的區(qū)域的投影內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)與所述第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211)在所述疊置方向上的投影至少部分重合,且所述第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)與所述第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232)在所述疊置方向上的投影至少部分重合。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多個(gè)第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)呈矩形陣列分布。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)為縱橫交錯(cuò)的第二方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(221)為九宮格方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,各所述第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(211)的幾何中心與相應(yīng)的一個(gè)所述九宮格方形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的幾何中心以及相應(yīng)的一個(gè)所述第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(232)的幾何中心正對(duì)設(shè)置。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低通濾波結(jié)構(gòu)包括兩層所述介質(zhì)層,兩層所述介質(zhì)層為依次設(shè)置的第一蜂窩基板(11)和第二蜂窩基板(12),所述第一蜂窩基板(11)設(shè)置在所述中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)與所述第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(21)之間,所述第二蜂窩基板(12)設(shè)置在所述中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)與所述第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(23)之間。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述低通濾波結(jié)構(gòu)還包括浸料基板(30),各層所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層設(shè)置在相鄰兩層所述浸料基板(30)之間以與所述介質(zhì)層隔離開。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層與所述浸料基板(30)之間為粘接,所述第一蜂窩基板(11)與相鄰的所述浸料基板(30)之間為粘接,所述第二蜂窩基板(12)與相鄰的所述浸料基板(30)之間為粘接。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的低通濾波結(jié)構(gòu),其特征在于,在夾住所述第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(21)的兩塊所述浸料基板(30)中和/或在夾住所述第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(23)的兩塊所述浸料基板(30)中,遠(yuǎn)離所述中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)的浸料基板比靠近所述中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層(22)的浸料基板厚。16.一種天線罩,其特征在于,包括權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的低通濾波結(jié)構(gòu)。17.一種天線系統(tǒng),包括天線罩,其特征在于,所述天線罩為權(quán)利要求16所述的天線罩。
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種低通濾波結(jié)構(gòu)、天線罩及天線系統(tǒng)。該低通濾波結(jié)構(gòu)包括至少三層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層,相鄰兩層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置有介質(zhì)層,至少三層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層包括沿疊置方向依次設(shè)置的第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層、中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層以及第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層,第一外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層包括第一十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和一字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu),第二外層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層包括多個(gè)互不相連的第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與設(shè)置在相鄰的四個(gè)第二十字型導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圍成的區(qū)域內(nèi)的第一網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu),中間層導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層包括多個(gè)互不相連的第二網(wǎng)狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案可以解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)天線工作頻段外的電磁波抑制效果不好的問題。
      【IPC分類】H01Q1/42, H01P1/20
      【公開號(hào)】CN204885375
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520646232
      【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
      【申請(qǐng)人】深圳光啟高等理工研究院
      【公開日】2015年12月16日
      【申請(qǐng)日】2015年8月25日
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