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      整流器件的制作方法

      文檔序號:9996107閱讀:617來源:國知局
      整流器件的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本實用新型涉及電子器件領域,特別是涉及一種整流器件。
      【背景技術】
      [0002]肖特基勢皇二極管,其特點如下:反向恢復時間小到可以忽略不計,正向壓降小(VF值均分布在IV以內(nèi)),電流大(正向不重復峰值電流IFSM可達500A),因具備上述特點現(xiàn)被廣泛應用于PC電源及伺配器。
      [0003]目前市場上用于開關電源上的整流器件,大部分為肖特基勢皇二極管,其封裝形式為T0-220,在封裝時內(nèi)部芯片為兩粒單切芯片復合為共陰極對管。以16S45芯片為例,其單粒芯片面積為1.83*1.83 = 3.3489 (單位為毫米),芯片總面積為6.6978平方毫米,成品測試VF08A值分布較離散,其值分布在0.52?0.57V之間,VFM值分布在O?45mV之間。因此于客戶端使用時,則會發(fā)生因器件兩邊VF值較離散,VF值較大的一邊會造成功耗大、溫升偏高,器件損壞比率偏高。而且,在粘片作業(yè)時,邦頭需要兩次動作才能完成作業(yè),生產(chǎn)效率較為低下。兩粒單切芯片,面積較大也導致成本過高。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0004]基于此,有必要提供一種整流器件,該整流器件能夠解決器件損壞比率偏高、生產(chǎn)效率較為低下和成本過高中至少一種的缺點。
      [0005]—種整流器件,包括載片、第一芯片、第二芯片、第一連接線、第二連接線、第一引腳、第二引腳和第三引腳;
      [0006]所述第一芯片和第二芯片為晶圓片上相鄰的兩個芯片,所述第一芯片和第二芯片貼合在所述載片上并均與所述載片形成電性連接;所述第一芯片通過所述第一連接線與所述第一引腳電連接,所述第二芯片通過所述第二連接線與所述第二引腳電連接,所述載片與所述第三引腳電連接。
      [0007]在其中一個實施例中,所述第一芯片和第二芯片均為肖特基勢皇二極管,所述第一芯片的陰極和第二芯片的陰極均與所述載片電連接,所述第一芯片的陽極與所述第一引腳電連接,所述第二芯片的陽極與所述第二引腳電連接。
      [0008]在其中一個實施例中,所述第一連接線和第二連接線的材料包括金屬或金屬合金。
      [0009]在其中一個實施例中,所述金屬或金屬合金包括硅、鋁、銅、金和銀中的至少一種。
      [0010]在其中一個實施例中,所述第一連接線和第二連接線的材料為鋁或硅鋁合金。
      [0011]在其中一個實施例中,所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均經(jīng)過電鍍處理。
      [0012]在其中一個實施例中,所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均鍍錫處理。
      [0013]在其中一個實施例中,所述第一引腳、第二引腳和第三引腳的表面均鍍上厚6微米以上的錫。
      [0014]在其中一個實施例中,所述整流器件還包括封裝外殼,所述封裝外殼封裝所述載片、第一芯片、第二芯片、第一連接線和第二連接線。
      [0015]在其中一個實施例中,所述封裝外殼的材料包括環(huán)氧樹脂。
      [0016]上述整流器件,包括第一芯片和第二芯片,第一芯片和第二芯片為晶圓片上相鄰的兩粒芯片(連體芯片),相鄰位置的兩粒芯片電學參數(shù)差異往往很小。相對于傳統(tǒng)的整流器件而言,上述整流器件的兩粒芯片的VF值相差不大更為集中,不會出現(xiàn)VF值較大的一邊功耗大、溫升偏高的現(xiàn)象,有效提高產(chǎn)品可靠性,使得器件損壞比率降低。
      [0017]由于第一芯片和第二芯片形成一體貼合在載片,因此在粘片作業(yè)時邦頭只用一次動作便可完成作業(yè),相對于傳統(tǒng)的整流器件而言提高了生產(chǎn)效率。而且,由于第一芯片和第二芯片形成一體,體積相對于兩粒單切芯片的總面積來說要小,而芯片單價均依芯片面積大小訂定,芯片面積小則單價相對較低,因而可以降低產(chǎn)品成本。
      【附圖說明】
      [0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實施例的附圖。
      [0019]圖1為一個實施例的整流器件示意圖;
      [0020]圖2為貼合于載片上的第一芯片和第二芯片的示意圖。
      【具體實施方式】
      [0021]為了便于理解本實用新型,下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的較佳實施例。但是,本實用新型可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地,提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
      [0022]除非另有定義,本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本實用新型的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在限制本實用新型。本文所使用的術語“和/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
      [0023]在晶圓片的不同位置,其材料特性有所差異,由此會造成同一晶圓片不同位置的芯片,其電參數(shù)特性也有所差異,非相鄰位置的芯片電學參數(shù)差異往往比較大,而同一批不同晶圓片之間存在差異性則更明顯。而在封裝過程中不可能避免換行或者更換晶圓片,也就是不能有效保證每一個整流器件中的兩粒芯片為同一晶圓片相鄰的兩芯片。不相鄰的兩芯片本身VF值存在差異性,經(jīng)封裝后器件兩邊VF值離散性較高,VFM差值得不到有效控制。于客戶端使用時,則會發(fā)生因兩邊VF值差值較大,瞬間電流亦存在較大差異性,即VF值較大一邊瞬間電流大、功耗較大、溫升偏高,繼而出現(xiàn)器件損壞。
      [0024]目前市場上用于功率200W開關電源上的整流器件(例如整流二極管16S45),因芯片面積大以及粘片效率低而造成生產(chǎn)成本偏高。(a).單芯片面積=1.83*1.83 =3.3489(單位為毫米),共陰對管芯片面積6.696平方毫米。(b).粘片作業(yè)時生產(chǎn)效率低,完成一只整流器件時邦頭要兩次動作。
      [0025]因此,如果整流器件中的兩粒芯片為同一晶圓片相鄰的連體芯片(連體芯片復合共陰/共陽極對管),則上述問題便會得到解決。
      [0026]圖1為一個實施例的整流器件示意圖。
      [0027]—種整流器件,包括載片100、第一芯片200、第二芯片300、第一連接線400、第二連接線500、第一引腳600、第二引腳700和第三引腳800。
      [0028]載片100主要起到的是承載作用,承載第一芯片200和第二芯片300。載片100可以理解是在晶圓片切下第一芯片200和第二芯片300兩個芯片(連體芯片)時所附帶的部分晶圓片,也可以理解是額外增加的承載片。載片100還起到電連接作用,因而載片100應該具備可導性。圖2為貼合于載片上的第一芯片和第二芯片的示意圖。
      [0029]第一芯片200和第二芯片300為晶圓片上相鄰的兩個芯片(連體芯片),第一芯片200和第二芯片300貼合在載片100上并均與載片100形成電性連接。第一芯片200通過第一連接線400與第一引腳600電連接,第二芯片300通過第二連接線500與第二引腳700電連接,載片100與第三引腳800電連接。
      [0030]第一芯片200和第二芯片300均可以為肖特基勢皇二極管,第一芯片200的陰極和第二芯片300的陰極均與載片1000電連接,第一芯片200的陽極與第一引腳600電連接,第二芯片300的陽極與第二引腳700電連接,即連體芯片復合對管且共陰極(共陰對管)。當然,在其他實施例中,還可以是第一芯片200的陽極和第二芯片300的陽極均與載片1000電連接,第一芯片200的陰極與第一引腳600電連接,第二芯片300的陰極與第二引腳700電連接,即共陽對管。
      [0031]第一芯片200和第二芯片300為晶圓片上相鄰的連體芯片,保證器件兩芯片VF值一致性,不會出現(xiàn)因器件兩邊VF值差異性大而造成功耗較大、溫升偏高,可有效地提高產(chǎn)品可靠性。以16S45芯
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