半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體裝置及其制造技術(shù)，例如涉及應(yīng)用于使用了引線框架的樹脂封裝型半導(dǎo)體裝置而有效的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]在特開平6-140563號公報(專利文獻(xiàn)1)中，記載有在搭載半導(dǎo)體芯片的芯片焊盤(die pad)的側(cè)面形成槽或者凸部的技術(shù)。
[0003]此外，在特開平10-4170號公報(專利文獻(xiàn)2)中，記載有在搭載半導(dǎo)體芯片的引線框架的芯片支架部形成不連續(xù)槽的技術(shù)。
[0004]此外，在特開平8-107172號公報(專利文獻(xiàn)3)中，記載有在半導(dǎo)體芯片的周圍配置的引線的表面形成凹凸的技術(shù)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:特開平6-140563號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:特開平10-4170號公報
[0009]專利文獻(xiàn)3:特開平8-107172號公報【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0010]有作為半導(dǎo)體裝置的封裝方式而使用了引線框架的樹脂封裝型半導(dǎo)體裝置。此夕卜，在樹脂封裝型半導(dǎo)體裝置中，為了確保其可靠性而實(shí)施了溫度循環(huán)試驗(yàn)。
[0011]但是，在溫度循環(huán)試驗(yàn)中，由封裝樹脂從引線的剝落所引起，在焊接金屬絲和引線的連接部分中焊接金屬絲斷線的問題變得顯著。
[0012]其他的課題和新的特征通過本說明書的描述以及附圖應(yīng)該變得清楚。
[0013]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括:半導(dǎo)體芯片；引線，配置在所述半導(dǎo)體芯片的周圍且具有主面和與所述主面對置的背面；金屬絲，連接到所述引線的所述主面，將所述半導(dǎo)體芯片和所述引線電連接；以及封裝體，由封裝樹脂將所述半導(dǎo)體芯片、所述引線以及所述金屬絲覆蓋而成，所述引線在所述引線的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的一端、位于所述封裝體的外部的另一端以及連接有所述金屬絲的金屬絲連接部，所述引線在所述一端和所述金屬絲連接部之間的所述主面具有第一槽。
[0014]此外，優(yōu)選所述第一槽沿著與所述引線的延伸方向正交的方向延伸。
[0015]此外，優(yōu)選在所述引線的延伸方向上，在所述金屬絲連接部和所述引線的所述一端之間配置有所述第一槽。
[0016]此外，優(yōu)選所述引線具有所述封裝體內(nèi)部的內(nèi)側(cè)部和所述封裝體外部的外側(cè)部，與所述引線的延伸方向正交的方向上的所述外側(cè)部的寬度小于與所述引線的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的長度。
[0017]此外，優(yōu)選與所述引線的延伸方向正交的方向上的所述內(nèi)側(cè)部的寬度大于與所述弓丨線的延伸方向正交的方向上的所述外側(cè)部的寬度。
[0018]此外，優(yōu)選所述第一槽的剖面形狀為V字形狀。
[0019]此外，優(yōu)選在所述引線的延伸方向上具有與所述第一槽相鄰的第二槽。
[0020]此外，優(yōu)選在所述封裝體的內(nèi)部，在所述金屬絲連接部和所述另一端之間具有第三槽。
[0021]此外，優(yōu)選在與所述引線的延伸方向正交的方向上，所述第三槽的長度小于所述第一槽的長度。
[0022]本實(shí)用新型還涉及一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括:半導(dǎo)體芯片，具有四邊形的第一面且在所述第一面上具有第一焊盤和多個第二焊盤，所述第一面具有對置的第一邊和第二邊；第一引線以及第二引線，沿著與所述半導(dǎo)體芯片的所述第一邊以及所述第二邊正交的方向延伸，且具有主面和與所述主面對置的背面；第一金屬絲，連接到所述第一引線的主面，將所述半導(dǎo)體芯片的所述第一焊盤和所述第一引線電連接；多個第二金屬絲，連接到所述第二引線的主面，將所述半導(dǎo)體芯片的所述多個第二焊盤和所述第二引線電連接；以及封裝體，由封裝樹脂將所述半導(dǎo)體芯片、所述第一引線、所述第二引線、所述第一金屬絲以及所述第二金屬絲覆蓋而成，所述第一引線配置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第一邊側(cè)，所述第二引線配置在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二邊側(cè)，所述第一引線在所述第一引線的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的第一端部、位于所述封裝體的外部的第二端部以及位于所述封裝體的內(nèi)部且連接有所述第一金屬絲的第一金屬絲連接部，所述第二引線在所述第二引線的延伸方向上具有位于所述封裝體的內(nèi)部的第三端部、位于所述封裝體的外部的第四端部以及位于所述封裝體的內(nèi)部且連接有所述多個第二金屬絲的第二金屬絲連接部，在所述第一端部和所述第一金屬絲連接部之間的所述第一引線的主面具有第一槽，在所述第二引線的主面，從所述第二金屬絲連接部至所述第三端部具有平坦面。
[0023]此外，優(yōu)選所述第一槽沿著與所述第一引線的延伸方向正交的方向延伸。
[0024]此外，優(yōu)選在所述第一引線的延伸方向上，在所述第一金屬絲連接部和所述第一端部之間配置有所述第一槽。
[0025]此外，優(yōu)選在所述封裝體內(nèi)的所述第一引線的主面，在所述第一金屬絲連接部和所述第二端部之間具有第二槽，在所述封裝體內(nèi)的所述第二引線的主面，在所述第二金屬絲連接部和所述第四端部之間具有第三槽。
[0026]此外，優(yōu)選與所述第一引線的延伸方向正交的方向上的所述第一槽的長度大于所述第二槽的長度。
[0027]實(shí)用新型效果
[0028]根據(jù)上述一實(shí)施方式，能夠提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。
【附圖說明】
[0029]圖1是作為一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
[0030]圖2是圖1所示的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。
[0031]圖3A和圖3B分別是作為一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的信號引線的放大俯視圖和放大剖視圖。
[0032]圖4是表示作為一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序的工藝流程。
[0033]圖5是作為一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序中的俯視圖。
[0034]圖6是作為一個實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造工序中的剖視圖。
[0035]圖7A和圖7B分別是表不相對于圖6的信號引線的變形例的放大俯視圖以及放大剖視圖。
[0036]圖8A和圖8B分別是表不相對于圖6的信號引線的變形例的放大俯視圖以及放大剖視圖。
[0037]圖9是表示本發(fā)明人研究的關(guān)聯(lián)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的主要部分剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038](本申請中的記載形式、基本用語、用法的說明)
[0039]在本申請中，實(shí)施方式的記載根據(jù)需要而便于分為多個部分等而記載，但除了特別明示了不是那樣的情況之外，這些并不是相互獨(dú)立的，無論記載的前后，單一的例子的各部分、一方為另一方的一部分細(xì)節(jié)或者一部分或者全部的變形例等。此外，原則上，同樣的部分省略重復(fù)的說明。此外，實(shí)施方式中的各結(jié)構(gòu)元素除了特別明示了不是那樣的情況、理論上被限定為該數(shù)目的情況以及從邏輯上可知不是那樣的情況之外，不是必須的。
[0040]同樣地，在實(shí)施方式等的記載中，關(guān)于材料、組成等，“由A構(gòu)成的X”等也除了特別明示了不是那樣的情況以及從邏輯上可知不是那樣的情況之外，不排除包括A以外的元素。例如，關(guān)于成分而言，是“將A作為主要的成分而包含的X”等的含義。例如，即使稱為“硅構(gòu)件”等，也并不限定于純的硅，當(dāng)然也可以包括SiGe (硅/鍺)合金、將其他硅作為主要的成分的多元合金、包含其他的添加物等的構(gòu)件。此外，即使稱為鍍金、鍍Cu層、鍍鎳等，除了特別明示了不是那樣的情況之外，除了純的構(gòu)件之外，還包括分別以金、Cu、鎳等為主要的成分的構(gòu)件。
[0041]進(jìn)一步，在涉及特定的數(shù)值、數(shù)量時，除了特別明示了不是那樣的情況、理論上被限定為該數(shù)目的情況以及從邏輯上可知不是那樣的情況之外，也可以是超過該特定的數(shù)值的數(shù)值，也可以是小于該特定的數(shù)值的數(shù)值。
[0042]此外，在實(shí)施方式的各圖中，相同或者同樣的部分由相同或者類似的記號或者參考號來表示，原則上不重復(fù)說明。
[0043]此外，在附圖中，反而會變得煩雜的情況或者與空隙的區(qū)分明確的情況下，即使是剖面，有時也省略陰影等的情況。與此相關(guān)地，在根據(jù)說明等而變得清楚的情況下等，即使是在平面上關(guān)閉的孔，有時也省略背景的輪廓線。尤其，即使不是剖面，為了明示不是空隙或者為了明示區(qū)域的邊界，有時也附加陰影或點(diǎn)圖案。
[0044](實(shí)施方式)
[0045]<關(guān)聯(lián)技術(shù)的說明>
[0046]首先，參照【附圖說明】本發(fā)明人研究的關(guān)聯(lián)技術(shù)。圖9是表示本實(shí)施方式的關(guān)聯(lián)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的主要部分剖視圖。
[0047]圖9所示的半導(dǎo)體裝置是樹脂封裝型半導(dǎo)體裝置，包括芯片焊盤DP、在芯片焊盤上通過芯片鍵合材料AD而粘結(jié)的半導(dǎo)體芯片CH、通過金屬絲BW與半導(dǎo)體芯片CH進(jìn)行了電連接的引線LD、對芯片焊盤DP、半導(dǎo)體芯片CH、金屬絲BW以及引線LD進(jìn)行封裝的封裝體BD0
[0048]在關(guān)聯(lián)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置中，構(gòu)成封裝體BD的封裝樹脂由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成，其線膨脹系數(shù)大致為9ppm/K，引線LD由銅(Cu)構(gòu)成，其線膨脹系數(shù)大致為17ppm/K。S卩，封裝樹脂和引線LD由線膨脹系數(shù)大不相同的材料構(gòu)成。
[0049]此外，在關(guān)聯(lián)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置中，在產(chǎn)品出廠前的檢查工序中實(shí)施溫度循環(huán)試驗(yàn)。溫度循環(huán)試驗(yàn)是，例如將在低溫(_65°C )和高溫(150°C )的環(huán)境中分別暴露30分鐘的1個循環(huán)重復(fù)500個循環(huán)左右，評價產(chǎn)品的可靠性、耐久性的試驗(yàn)。
[0050]根據(jù)本發(fā)明人的研究，判