(a)，從晶圓100的第二表面102朝向第一表面101的方向，利用切刀沿V型切割槽103切割，直至切透晶圓100的第一表面101，即切刀切入支撐單元210 —部分。由于晶圓100的材質(zhì)較脆，韌性、延展性較差，切刀采用硬度較大的刀，如金屬刀。且切刀的切割寬度h小于V型切割槽103靠近第二表面102的開口的寬度H，如此，V型切割槽103保留了部分傾斜側(cè)壁1031。由于傾斜側(cè)壁1031，對后續(xù)工藝中涂布的感光油墨117具有引流作用，使得感光油墨117更容易充滿V型切槽103。
[0042]請參考圖7(b),于本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，可以直接米用切刀從晶圓100的第二表面102沿空隙切割出V型切割槽103’，切刀切透晶圓100的第一表面101，即切刀切入支撐單元210 —部分。如此，直接通過切刀切割形成具有傾斜側(cè)壁1031’的V型槽103’，傾斜側(cè)壁1031’，對后續(xù)工藝中涂布的感光油墨117具有引流作用，使得感光油墨117更容易充滿V型切槽103’。
[0043]請參考圖8 (a)，在晶圓100的第二表面102、開孔113的側(cè)壁和底部以及V型切割槽103的內(nèi)壁形成絕緣層114，于本實(shí)施例中，絕緣層114為有機(jī)絕緣材料，具有絕緣以及一定的柔性，采用噴涂或者旋涂工藝形成絕緣層114，然后通過鐳射或者曝光顯影的方式暴露出焊墊112。
[0044]請參考圖8(b)，于本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，可以在晶圓100的第二表面102、開孔113的側(cè)壁和底部以及V型切割槽103的內(nèi)壁沉積絕緣層114’，絕緣層114’的材質(zhì)為無機(jī)材料，通常為二氧化硅。由于二氧化硅抗沖擊能力不如有機(jī)絕緣材料114，還需要通過曝光顯影工藝在晶圓101的第二表面形成緩沖層1140以方便后續(xù)上焊球，然后采用刻蝕工藝刻蝕掉開孔113底部的絕緣層露出焊墊112。
[0045]請參考圖9，在絕緣層114(或者絕緣層114’)上形成再布線層115，再布線層115與焊墊112電連接。
[0046]本實(shí)用新型關(guān)鍵要在V型切割槽103充滿感光油墨，而在開孔113中形成空腔119使感光油墨不接觸開孔113底部，避免感光油墨充滿開孔113。
[0047]通過降低感光油墨的粘度容易使感光油墨充滿切割槽，通過提高感光油墨的粘度使感光油墨不容易填充至開孔的下半部分，這是本實(shí)用新型所要解決的沖突點(diǎn)。
[0048]本實(shí)用新型通過將切割槽設(shè)計成具有傾斜側(cè)壁的切割槽方便將粘度較高的感光油墨引流至切割槽的下半部分，使感光油墨能夠充滿切割槽而不能充滿開孔并在開孔中形成空腔。很好的解決了沖突點(diǎn)。
[0049]請參考圖10，在晶圓100的第二表面102涂布感光油墨117，使感光油墨117充滿V型切割103、覆蓋開孔113并在開孔113中形成空腔119。
[0050]本實(shí)用新型優(yōu)選的采用粘度不小于12Kcps的感光油墨。
[0051]于本實(shí)施例中采用旋涂工藝在晶圓100的第二表面102涂布感光油墨117，可以根據(jù)感光油墨的粘度并調(diào)整旋涂速率可以使感光油墨117充滿V型切割103、覆蓋開孔113并在開孔113中形成空腔119。
[0052]感光油墨117形成阻焊層，方便后續(xù)上焊球工藝，起阻焊、保護(hù)芯片的作用。
[0053]為了方便后續(xù)上焊球，需要在感光油墨117對應(yīng)再布線層115的位置形成通孔，具體的，通過從晶圓100第二表面102整面涂布感光油墨117，再固化、曝光顯影工藝形成通孔，通孔暴露出再布線層115。當(dāng)然，也可以通過絲網(wǎng)印刷的方式將第二感光油118墨涂布至晶圓100的第二表面102且形成暴露再布線層115的通孔。
[0054]請參考圖11，采用上焊球工藝，在通孔中形成焊球116使焊球116與再布線層115電連接。
[0055]最后，沿V型切割槽103從晶圓100的第二表面102朝向晶圓100的第一表面101切割晶圓100以及保護(hù)基板200，得到單顆的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0056]請參考圖12，單顆影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)包括從晶圓100上切割得到的基底310，其具有第一面301以及與第一面301相背的第二面302，影像傳感區(qū)111以及焊墊112位于第一面301，開口 113以及焊球116位于第二面302，基底310的側(cè)面被感光油墨117包覆。
[0057]于本實(shí)施例中，基底310的側(cè)面包括傾斜側(cè)壁311以及豎直側(cè)壁312，傾斜側(cè)壁311的一端與第二面302交接，另一端與豎直側(cè)壁312交接，豎直側(cè)壁312的另一端與第一面301交接。
[0058]于另一實(shí)施例中，請參考圖13，基底310’具有傾斜側(cè)壁311’，其一端與第二面302
交接，另一端與第一面301交接。
[0059]優(yōu)選的，傾斜側(cè)壁311 (或者傾斜側(cè)壁311’)到基底310第二面302的角度的范圍是 40° 至 85°。
[0060]基底310的側(cè)面以及支撐單元210的部分側(cè)壁被感光油墨117包覆。
[0061]當(dāng)絕緣層114為有機(jī)絕緣材料時，再布線層115與絕緣層114之間對應(yīng)焊球116的位置可以不設(shè)置緩沖層1140。
[0062]當(dāng)絕緣層114’為無機(jī)材料時，再布線層115與絕緣層114之間對應(yīng)焊球116的位置設(shè)置有緩沖層1140，緩沖層1140為光阻材料，可以采用曝光顯影工藝形成。
[0063]應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個實(shí)施方式僅包含一個獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體，各實(shí)施方式中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
[0064]上文所列出的一系列的詳細(xì)說明僅僅是針對本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括: 基底，具有第一面以及與所述第一面相背的第二面； 位于所述第一面的影像傳感區(qū)以及焊墊； 位于所述第二面并向所述第一面延伸的開孔，所述開孔暴露出所述焊墊； 包覆所述基底側(cè)面的感光油墨； 其特征在于: 所述感光油墨覆蓋所述開孔并在所述開孔中形成空腔； 所述基底側(cè)面具有傾斜側(cè)壁，所述傾斜側(cè)壁的一端與所述第二面交接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底側(cè)面還具有豎直側(cè)壁，所述豎直側(cè)壁的一端與所述傾斜側(cè)壁交接，另一端與所述基底的第一面交接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傾斜側(cè)壁的另一端與所述基底的第一面交接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傾斜側(cè)壁到所述基底第二面的角度的范圍是40°至85°。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述感光油墨的粘度不小于12Kcps。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括: 與所述基底第一面對位壓合的保護(hù)基板； 位于所述保護(hù)基板與所述基底之間的支撐單元，所述支撐單元包圍所述影像傳感區(qū)； 所述感光油墨包覆至少部分所述支撐單元的側(cè)面； 位于所述開孔側(cè)壁以及所述基底第二面的絕緣層； 位于所述絕緣層上以及開孔底部的再布線層，所述再布線層與所述焊墊電連接； 所述感光油墨覆蓋所述再布線層，且在所述感光油墨上設(shè)置有通孔，所述通孔暴露出所述再布線層； 通孔中設(shè)置有焊球，所述焊球與所述再布線層電連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層為有機(jī)絕緣層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括: 與所述基底第一面對位壓合的保護(hù)基板； 位于所述保護(hù)基板與所述基底之間的支撐單元，所述支撐單元包圍所述影像傳感區(qū)； 所述感光油墨包覆至少部分所述支撐單元的側(cè)面； 位于所述開孔側(cè)壁以及所述基底第二面的絕緣層； 位于所述絕緣層上以及開孔底部的再布線層，所述再布線層與所述焊墊電連接； 所述感光油墨覆蓋所述再布線層，且在所述感光油墨上設(shè)置有通孔，所述通孔暴露出所述再布線層； 通孔中設(shè)置有焊球，所述焊球與所述再布線層電連接； 對應(yīng)焊球位置，位于絕緣層與再布線層之間的緩沖層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層為二氧化娃絕緣層。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層為光阻緩沖層。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：基底，具有第一面以及與所述第一面相背的第二面；位于所述第一面的影像傳感區(qū)以及焊墊；位于所述第二面并向所述第一面延伸的開孔，所述開孔暴露出所述焊墊；包覆所述基底側(cè)面的感光油墨；所述感光油墨覆蓋所述開孔并在所述開孔中形成空腔；所述基底側(cè)面具有傾斜側(cè)壁，所述傾斜側(cè)壁的一端與所述第二面交接,通過在開孔中形成空腔，有效避免了再布線層與焊墊脫離的情況，提升了影像傳感芯片的封裝良率，提高了影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的信賴性。
【IPC分類】H01L23/488, H01L21/60
【公開號】CN205050828
【申請?zhí)枴緾N201520780135
【發(fā)明人】王之奇, 王卓偉, 謝國梁
【申請人】蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
【公開日】2016年2月24日
【申請日】2015年10月10日