一種氧化爐晶舟的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化爐晶舟。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)向高密度、高集成度的方向迅速發(fā)展，對半導(dǎo)體集成電路新工藝、新技術(shù)、新設(shè)備提出了越來越高的要求。在半導(dǎo)體制造工藝中需要在晶片的襯底上沉積不同種類的薄膜，而在各種沉積薄膜的方法中，低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD，Low PressureChemical Vapor Deposit1n)是一種常用的方法，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到各種薄膜的沉積工藝中。
[0003]在LPCVD工藝中，當(dāng)前采用的主流設(shè)備是立式爐管，利用立式爐管對晶片沉積薄膜的工藝一般為:氧化爐晶舟在裝載區(qū)載入若干晶片后，將裝載了晶片的氧化爐晶舟放入爐管內(nèi)，同時(shí)，工藝氣體通過管路供給到立式爐管內(nèi)，然后開始對晶片進(jìn)行沉積工序。通常，工藝氣體是從氧化爐晶舟底部向頂部進(jìn)行擴(kuò)散，因而，在晶舟底部的工藝氣體濃度較高，相對的在晶舟頂部的工藝氣體濃度較低，這就導(dǎo)致同一氧化爐晶舟內(nèi)的若干晶片之間的成膜厚度不一致，片間均勻性較差。
[0004]另一方面，因?yàn)楝F(xiàn)有的氧化爐晶舟的材料主要是石英，所以氧化爐晶舟整體重量較重。由于氧化爐晶舟上缺少合適搬運(yùn)的受力處，工作人員在進(jìn)行晶舟拆裝時(shí)，只能將雙手置于氧化爐晶舟上的支撐筋部分，但由于該部分空間較小，經(jīng)常會出現(xiàn)工作人員觸碰到晶舟的環(huán)形片狀部件，導(dǎo)致該部分因受搬運(yùn)的作用力而碎裂，從而導(dǎo)致整個(gè)晶舟因環(huán)形片狀部件碎裂而報(bào)廢。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于，通過環(huán)形片狀部件的空心圓的直徑從氧化爐晶舟底部向上逐漸增大，解決同一氧化爐晶舟內(nèi)的若干晶片之間的成膜厚度不一致的問題。
[0006]本實(shí)用新型的另一目的在于，通過在上蓋板上設(shè)置手柄為搬運(yùn)時(shí)提供受力處，防止環(huán)形片狀部件碎裂。
[0007]本實(shí)用新型提供的一種氧化爐晶舟，包括:上蓋板、下蓋板、環(huán)形片狀部件、支撐腳和支撐筋。其中，所述上蓋板與所述下蓋板之間通過所述支撐筋連接；所述環(huán)形片狀部件均勻分布于所述上蓋板和下蓋板之間，所述環(huán)形片狀部件的空心圓的直徑從所述氧化爐晶舟的底部向所述氧化爐晶舟的頂部逐漸增大；所述支撐腳安裝在所述環(huán)形片狀部件上。
[0008]其中，所述環(huán)形片狀部件的材料為石英；
[0009]其中，所述上蓋板為圓形片狀結(jié)構(gòu)；所述下蓋板為環(huán)形片狀結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步的，所述上蓋板的材料為石英；所述下蓋板的材料為石英。
[0011]其中，所述支撐筋的數(shù)量為3根，所述支撐筋沿所述環(huán)形片狀部件的直徑方向的連接線構(gòu)成一等腰直角三角形。
[0012]其中，所述支撐腳包括多個(gè)的支撐部，并且所述多個(gè)支撐部之間具有高度差。
[0013]進(jìn)一步的，所述支撐腳包括第一支撐部、第二支撐部以及連接所述第一支撐部和所述第二支撐部的連接段，所述第一支撐部靠近所述支撐筋，并且所述第二支撐部的高度小于第一支撐部的高度。
[0014]優(yōu)選的，所述支撐腳的數(shù)量為3個(gè)，每個(gè)支撐腳均與所述支撐筋固定連接。
[0015]更優(yōu)選的，所述支撐腳具有尖端，所述支撐腳的尖端為三棱柱、四棱柱或圓錐形結(jié)構(gòu)中的一種或其組合。
[0016]更優(yōu)選的，所述支撐腳的材料為石英。
[0017]其中，所述上蓋板上安裝有手柄；進(jìn)一步的，所述手柄與所述支撐筋、接；更進(jìn)一步的，所述手柄上設(shè)置有凹槽或凸起；再進(jìn)一步的，所述手柄的材料為石英。
[0018]本實(shí)用新型中，環(huán)形片狀部件中的空心圓從底部向上逐漸增大，從而有利于工藝氣體向上擴(kuò)散并使晶舟頂部的晶片與工藝氣體更充分接觸反應(yīng)，提高工藝時(shí)晶舟上的晶片的成膜均勻性，保證良好工藝。本實(shí)用新型還通過在上蓋板上設(shè)置的手柄作為氧化爐晶舟搬運(yùn)的受力處，可極大地方便晶舟的安裝及拆除的便利，防止晶舟損壞。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實(shí)用新型的實(shí)施例的立體視圖；
[0020]圖2為本實(shí)用新型簡化后的實(shí)施例的立體視圖；
[0021]圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例的某一環(huán)形片狀部件上的剖面俯視圖；
[0022]圖4為本實(shí)用新型的實(shí)施例的沿支撐腳方向某一環(huán)形片狀部件上的剖視圖；
[0023]圖中，10 —上蓋板，20 一下蓋板，30 一環(huán)形片狀部件，40 —支撐腳，50 —支撐筋，60 一空心圓，70 —手柄，80 —晶片，41 一第一支撐部，42 —第二支撐部，43 —第三支撐部，400 一尖立而。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本實(shí)用新型的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。
[0025]如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型提供的一種氧化爐晶舟，包括:上蓋板10、下蓋板20、環(huán)形片狀部件30、支撐腳40和支撐筋50。其中，所述上蓋板10與所述下蓋板30之間通過所述支撐筋50連接，所述環(huán)形片狀部件30均勻分布于所述上蓋板10和所述下蓋板20之間，每個(gè)環(huán)形片狀部件30上均有支撐腳40。
[0026]繼續(xù)參考圖2，環(huán)形片狀部件30的空心圓60的直徑從所述氧化爐晶舟底部向所述氧化爐晶舟的頂部逐漸增大。由于工藝氣體是從氧化爐晶舟底部向氧化爐晶舟頂部進(jìn)行擴(kuò)散，所以氧化爐晶舟底部的工藝氣體濃度相對于氧化爐晶舟頂部的工藝氣體濃度較高，氧化爐晶舟底部的環(huán)形片狀部件30中的空心圓60的直徑較小，使氧化爐晶舟底部的的晶片與工藝氣體的接觸面較??；氧化爐晶舟頂部的環(huán)形片狀部件30中的空心圓60的直徑較大，使氧化爐晶舟頂部的晶片與工藝氣體更充分接觸反應(yīng)，提高工藝時(shí)氧化爐晶舟上的晶片的成膜均勻性，保證良好工藝。
[0027]較佳方案中，所述環(huán)形片狀部件30的空心圓60的直徑