測(cè)試組件單元、基板、顯示面板以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及液晶顯示領(lǐng)域，具體地，涉及測(cè)試組件單元、陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在人們對(duì)高分辨率的顯示器需求越來(lái)越高。顯示器的分辨率越高意味著該顯示器的顯示面板內(nèi)的像素個(gè)數(shù)越多，而像素個(gè)數(shù)越多則對(duì)顯示面板的工藝能力的要求也越高，相應(yīng)地，對(duì)工藝能力的檢測(cè)時(shí)效性的需求也需要提高。
[0003]現(xiàn)有的檢測(cè)技術(shù)通常在各個(gè)不同層設(shè)計(jì)數(shù)個(gè)測(cè)試組件單元，然后進(jìn)行單層單個(gè)功能的測(cè)試。因此，當(dāng)進(jìn)行后層工藝時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)工藝出現(xiàn)異常，現(xiàn)有檢測(cè)技術(shù)不能夠進(jìn)行即時(shí)的檢測(cè)。
[0004]特別是針對(duì)類(lèi)似于低溫多晶硅技術(shù)(LTPS)頂柵結(jié)構(gòu)的器件而言，由于光掩模數(shù)量較多，工藝較為復(fù)雜，如果不能夠即時(shí)的反應(yīng)生產(chǎn)過(guò)程的不良，將造成產(chǎn)品的制作成本與時(shí)間上的極大浪費(fèi)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種即時(shí)測(cè)試組件單元(TEG)，利用該即時(shí)測(cè)試組件單元能夠即時(shí)監(jiān)控和判別現(xiàn)行設(shè)備和工藝在多層膜工藝中的工藝參數(shù)，并通過(guò)檢測(cè)結(jié)果及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，由此提高工藝穩(wěn)定度改善工藝性能，降低不良工藝帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)和浪費(fèi)。
[0006]本實(shí)用新型的目的還在于提供一種即時(shí)測(cè)試組件單元，利用該即時(shí)測(cè)試組件單元能夠同時(shí)即時(shí)監(jiān)控不同的長(zhǎng)短溝道薄膜晶體管器件的特性。
[0007]本實(shí)用新型的目的還在于提供一種即時(shí)測(cè)試組件單元，利用該即時(shí)測(cè)試組件單元能夠同時(shí)即時(shí)監(jiān)控不同的夾層電容。
[0008]本實(shí)用新型的目的還在于提供一種即時(shí)測(cè)試組件單元能夠?qū)⒅丿B、工藝能力、電容以及薄膜晶體管器件長(zhǎng)短溝道的測(cè)定整合一起，使用同一即時(shí)測(cè)試組件單元來(lái)完成上述的功能，降低量測(cè)成本。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種測(cè)試組件單元包括:多層測(cè)試圖形，每層測(cè)試圖形包括多個(gè)測(cè)試塊，不同層之間的測(cè)試塊之間分別形成多個(gè)相應(yīng)的電容器。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種包括測(cè)試組件單元的基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置至少一個(gè)測(cè)試組件單元，所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)置多條數(shù)據(jù)線、多條柵線、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)像素電極，所述測(cè)試組件單元為上述的測(cè)試組件單元。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種包括基板的顯示面板，包括上述基板。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種包括顯示面板的顯示裝置，包括上述顯示面板。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成緩沖層與有源層沉積結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成緩沖層與有源層曝光顯影后示意圖；
[0015]圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成有源層刻蝕與剝膜后的剖面示意圖；
[0016]圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成柵極絕緣層沉積結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖5為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成柵極金屬層沉積結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0018]圖6為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成柵極金屬層曝光顯影后示意圖；
[0019]圖7為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成柵極金屬層刻蝕與剝膜后的剖面示意圖；
[0020]圖8為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成內(nèi)部介質(zhì)層沉積結(jié)構(gòu)剖面示意圖；
[0021]圖9為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成內(nèi)部介質(zhì)層曝光顯影后示意圖；
[0022]圖10為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成內(nèi)部介質(zhì)層刻蝕與剝膜后的示意圖；
[0023]圖11為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成源極和漏極金屬層沉積結(jié)后的示意圖；
[0024]圖12為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成源極和漏極金屬層曝光顯影后示意圖；
[0025]圖13為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成源極和漏極金屬層刻蝕與剝膜后的示意圖；
[0026]圖14為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成平坦層沉積后的示意圖；
[0027]圖15a、15b分別為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的用于平坦層曝光和完成平坦層曝光顯影后的示意圖；
[0028]圖16為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成像素電極層沉積結(jié)后的示意圖；
[0029]圖17為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成像素電極層曝光顯影后示意圖；
[0030]圖18為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成像素電極層刻蝕與剝膜后的示意圖；
[0031]圖19為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成所有工藝后測(cè)試組件單元的圖案的俯視圖；
[0032]圖20為根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的完成所有工藝后測(cè)試組件單元的圖案的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]現(xiàn)在對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例提供詳細(xì)參考，其范例在附圖中說(shuō)明，圖中相同的數(shù)字全部代表相同的組件。為解釋本實(shí)用新型下述實(shí)施例將參考附圖被描述。
[0034]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，提供一種測(cè)試組件單元(TEG)，包括:多層測(cè)試圖形，每層測(cè)試圖形包括多個(gè)測(cè)試塊，不同層之間的測(cè)試塊之間分別形成多個(gè)相應(yīng)的電容器。測(cè)試組件單元可以形成在非圖形區(qū)內(nèi)，并且與圖形區(qū)內(nèi)的組件在相同的工藝條件下形成。
[0035]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，每層測(cè)試圖形還包括多條測(cè)試線，所述多條測(cè)試線寬度互不相同并且間隔分開(kāi)。測(cè)試塊通過(guò)測(cè)試線連接。
[0036]圖19示出了根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的測(cè)試組件單元的俯視圖，其下層的所述測(cè)試圖形可以由金屬材料或多晶硅制成，上層的所述測(cè)試圖形也可以由金屬材料制成。此處提到的“上層”、“下層”并不是為了限定任何層，而僅是為了區(qū)分兩個(gè)不同層，在空間上，上層在下層之上。例如，測(cè)試塊500和700在測(cè)試塊300上層，測(cè)試塊700在測(cè)試塊500上層。此夕卜，圖19是一種示意圖，示意地示出了在本文中將要進(jìn)行說(shuō)明的測(cè)試組件單元的各個(gè)層上的組件的相對(duì)位置，其他未示出的層或元件被忽略。
[0037]如圖所示，在半導(dǎo)體基板上，測(cè)試組件單元包括位于不同層上的多個(gè)測(cè)試塊300、500、700，以及位于不同層上的多個(gè)測(cè)試線102’、300’、400’、500’、600’、700’。應(yīng)該理解，這里所描述的塊和線是本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的一般形狀，塊的形狀可以是四邊形，也可以是正方形，也可以是其他四邊形或多邊形。本實(shí)用新型的實(shí)施例中的塊是正方形，這主要是方便計(jì)算電阻等材料或期間的性質(zhì)。本實(shí)用新型的實(shí)施例中的線是長(zhǎng)條形狀，測(cè)試線和測(cè)試塊的形狀優(yōu)選地可以跟基板上的圖形區(qū)的相應(yīng)的元件的形狀相同或類(lèi)似。
[0038]可以看到，同一層上的多個(gè)測(cè)試塊可以包括不同尺寸的多個(gè)測(cè)試塊，同一層上的多條測(cè)試線可以包括不同尺寸的多條測(cè)試線。例如，如圖19所示，形成源極和漏極金屬的層上設(shè)置兩個(gè)不同尺寸的多個(gè)測(cè)試塊500，同時(shí)還設(shè)置粗細(xì)不同尺寸的測(cè)試線500’。應(yīng)該知道，根據(jù)具體要求可以設(shè)置更多不同的尺寸的測(cè)試線或測(cè)試塊，例如設(shè)置三種、四種、五種或更多不同尺寸的測(cè)試線和測(cè)試塊，這可以根據(jù)圖形區(qū)的元件尺寸設(shè)置。通過(guò)設(shè)置尺寸不同的測(cè)試塊和測(cè)試線，可以確定基板上的同一層上所有的不同參數(shù)的塊組件和線組件的工藝條件。例如，可以通過(guò)確定測(cè)試塊和測(cè)試線上是否具有缺口，進(jìn)而確定同一層上其他位置的組件是否存在缺口，例如半導(dǎo)體基體上的圖形區(qū)的組件是否存在缺口；可以通過(guò)比較測(cè)試塊的尺寸和測(cè)試線的尺寸與預(yù)先設(shè)定尺寸確定同一層上圖形區(qū)內(nèi)的組件的尺寸是否達(dá)到預(yù)定尺寸;可以通過(guò)確定測(cè)試塊與測(cè)試線的電連接確定圖形區(qū)內(nèi)類(lèi)似組件之間的連接是否符合要求;可以通過(guò)測(cè)試塊之間的間距或測(cè)試線之間的間距確定同一層的圖形區(qū)內(nèi)的組件之間的間距是否符合要求。由此可見(jiàn)，利用根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的測(cè)試組件單元可以確定出現(xiàn)不良的工藝位置，因此可以有針對(duì)性地對(duì)工藝條件作出調(diào)整，包括組件自身的寬度，例如線寬，組件與組件之間的間距，組件邊緣的完整性，這些對(duì)應(yīng)工藝中的例如刻蝕的工藝是否合適。
[0039]如圖19所示，測(cè)試組件單元還包括測(cè)試線400”、500”、600”、700”構(gòu)成的非閉合框(圍繞測(cè)試塊)。測(cè)試