用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架及封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架及封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，QFN(Quad Flat No lead)是一種方形扁平無引腳半導體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部俯視構(gòu)造如圖1所示，截面剖視構(gòu)造如圖2所示。從這兩個視圖中可以看出，封裝結(jié)構(gòu)是在芯片封裝空間的下部由中央的基島10和圍繞基島10布置的導電焊盤11構(gòu)成，基島10上放置芯片12，芯片12上的各導電部分別通過金屬線13與各導電焊盤11電連接，其余封裝空間填充環(huán)氧樹脂14。DFN(Dual Flat No lead)是一種矩形扁平無引腳半導體芯片封裝結(jié)構(gòu)，其中矩形指的是該芯片在俯視狀態(tài)下為長方形，其封裝結(jié)構(gòu)與QFN相同。一方面，在QFN和DFN的封裝結(jié)構(gòu)中都需要基島來放置芯片，基島為引線框架的一部分，由金屬材料制成，其作用一是在封裝中作為芯片的安置基座，二是具有散熱功能。但是由于PCB板布線要求在塑封體下面有線路，不允許產(chǎn)品有外露的散熱片，以避免散熱對PCB板線路的影響。
[0003]現(xiàn)有的解決方法為:一、通過設(shè)計無基島外露的框架并采取設(shè)備凸臺支撐焊片焊線。但是，需要根據(jù)每種框架設(shè)計的不同設(shè)計專用的凸臺支撐焊盤，費用支出較大，凸臺制作與框架制作公差間的不匹配將會影響焊片焊線的良率；封裝前需要貼膜蓋住外露的引腳部分，貼膜作業(yè)的不穩(wěn)定會影響封裝溢膠的比例，造成良率損失。二、通過設(shè)計無基島外露的框架并采取預(yù)封裝工藝先做好焊片支撐結(jié)構(gòu)。但是，目前預(yù)封裝框架的厚度由于封裝能力限制無法小于0.127mm ;預(yù)封裝工藝的增加會進一步造成框架成品的良率損失(溢膠、框架變形、鍍層不良等)；基于不同框架厚度及框架外形尺寸需要投資不同的預(yù)封裝模具。
[0004]因此，實現(xiàn)無基島外露的封裝成為急需解決的問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架及封裝結(jié)構(gòu)，其能實現(xiàn)無基島外露的QFN/DFN封裝需求。
[0006]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架，包括框架本體及多個貫穿所述框架本體的導電粧，在所述框架本體的一表面上設(shè)置有與所述導電粧電連接的導電焊盤，所述框架本體的表面上未設(shè)置導電焊盤的位置用于放置芯片，所述導電焊盤能夠通過金屬線與所述芯片電連接，所述框架本體采用絕緣材料制成。
[0007]進一步，所述引線框架的厚度為60~150微米。
[0008]進一步，所述導電焊盤表面及導電粧裸露在外的表面均覆蓋一層鎳鈀金層。
[0009]進一步，所述導電粧突出于所述框架本體，以便于與外部部件電連接。
[0010]進一步，所述導電焊盤覆蓋面積大于所述導電粧的端面積。
[0011]本實用新型還提供一種采用上述的引線框架的封裝結(jié)構(gòu)，包括引線框架及芯片，所述引線框架包括框架本體及多個貫穿所述框架本體的導電粧，在所述框架本體的一表面上設(shè)置有與所述導電粧電連接的導電焊盤，所述框架本體的表面上未設(shè)置導電焊盤的位置放置所述芯片，所述導電焊盤通過金屬線與所述芯片電連接，所述框架本體采用絕緣材料制成。
[0012]本實用新型的優(yōu)點在于:1、采用絕緣引線框架本體支撐芯片，塑封后無基島外露，能實現(xiàn)無基島外露的QFN/DFN封裝需求；2、能夠使得框架的結(jié)構(gòu)設(shè)計更加合理，有效改善打線布局，縮短線長，降低打線風險；3、能夠更有效的利用塑封體內(nèi)的空間，實現(xiàn)小尺寸封裝體的封裝；4、本實用新型相對基于傳統(tǒng)框架的設(shè)計在切割道上沒有金屬，能使排列密度更高，能有效降低成本。
【附圖說明】
[0013]圖1及圖2是現(xiàn)有的封裝體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖3是本實用新型用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖4是本實用新型用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架的制作方法的步驟示意圖；
[0016]圖5A~圖5E是本實用新型用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架的制作流程圖；
[0017]圖6是采用本實用新型引線框架的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架及封裝結(jié)構(gòu)的【具體實施方式】做詳細說明。附圖僅用于說明本實用新型引線框架的結(jié)構(gòu)，并不用于限定本實用新型各個部件之間的尺寸關(guān)系。
[0019]參見圖3，本實用新型用于無引腳封裝結(jié)構(gòu)的引線框架30包括框架本體31及多個貫穿所述框架本體31的導電粧32。
[0020]所述引線框架本體31采用絕緣材料制成，所述絕緣材料可以采用現(xiàn)有技術(shù)中已知的絕緣材料，本實用新型不進行限制。在本【具體實施方式】中，所述框架本體31厚度較薄，為薄膜框架本體。
[0021 ] 所述導電粧32由導電材料制成，貫穿所述框架本體31，即所述導電粧32的兩端從所述框架本體31的兩面暴露。進一步，在本【具體實施方式】中，所述導電粧32突出于所述框架本體31，以便于后續(xù)與外部部件電連接，其作用類似于引腳類產(chǎn)品的引腳。
[0022]在所述框架本體31的一表面上設(shè)置有與所述導電粧32電連接的導電焊盤33。所述導電焊盤33直接覆蓋在所述導電粧32暴露于所述框架本體31表面的端面上。進一步，所述導電焊盤33覆蓋面積大于所述導電粧32的端面積，所述導電焊盤33與所述導電粧32采用相同材料制成，例如銅。在本【具體實施方式】中，所述導電焊盤33表面及導電粧31裸露在外的表面均覆蓋一層鎳鈀金層34，以提高導電性能，為了更清楚的看到鎳鈀金層34，在附圖中夸大了鎳鈀金層34的厚度。
[0023]進一步，所述引線框架30的厚度為60~150微米，所述厚度指的是引線框架30的總厚度，其以框架本體31的厚度或?qū)щ娀?2和導電焊盤33的總厚度中