涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著鋰離子電池技術(shù)的不斷突破與發(fā)展，傳統(tǒng)的卷繞式電池形狀固定已經(jīng)無法滿足在某些特殊形狀空間內(nèi)使用，疊片電池因其具有外觀整潔、不易變形、能量密度高、可制作成任意形狀等優(yōu)點(diǎn)，逐漸受到青睞，尤其是在某些特殊形狀的空間內(nèi)，通過疊片技術(shù)來將電池做成異形來滿足需求。
[0003]疊片電池的內(nèi)部通常分為正極極片、隔離膜和負(fù)極極片等，正極極片和負(fù)極極片的集流體表面均涂有活性物質(zhì)膜，用于在充放電過程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在生產(chǎn)極片過程中，每一片極片的集流體的正、反兩面均涂有活性物質(zhì)膜，集流體正面活性物質(zhì)涂膜邊緣到集流體邊緣之間的距離、與集流體反面活性物質(zhì)涂膜邊緣到集流體邊緣之間的距離的差值為涂膜錯(cuò)位值，根據(jù)涂膜錯(cuò)位值可以對(duì)正面活性物質(zhì)涂膜邊緣和/或反面活性物質(zhì)涂膜邊緣進(jìn)行調(diào)整，使得涂膜錯(cuò)位值為零，以提高疊片電池的質(zhì)量。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，檢測(cè)涂膜錯(cuò)位值通常需要將涂膜機(jī)停止，由操作人員使用針狀物從極片反面活性物質(zhì)涂層邊緣刺穿極片，再使用軟尺或直尺從極片正面測(cè)量針孔與極片正面活性物質(zhì)涂膜邊緣的距離，判斷集流體表面的活性物質(zhì)涂膜邊緣是否需要糾正，進(jìn)而手動(dòng)調(diào)整極片正面活性物質(zhì)涂膜位置。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型提供一種涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中檢測(cè)涂膜錯(cuò)位時(shí)需要將機(jī)器關(guān)閉，通過穿刺極片的形式人工測(cè)量涂膜錯(cuò)位值，進(jìn)而手動(dòng)調(diào)整極片正面活性物質(zhì)涂膜位置，容易造成測(cè)量值誤差大及破壞極片的問題。
[0006]本實(shí)用新型提供一種涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)，包括:第一傳感器、第二傳感器以及涂膜錯(cuò)位處理裝置，其中，所述第一傳感器用于檢測(cè)極片中的集流體正面涂膜邊緣到集流體邊緣的距離，所述第二傳感器用于檢測(cè)集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離;所述涂膜錯(cuò)位處理裝置分別與所述第一傳感器和所述第二傳感器電連接;所述涂膜錯(cuò)位處理裝置，用于從所述第一傳感器中獲取所述第一傳感器檢測(cè)的所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離，從所述第二傳感器中獲取所述第二傳感器檢測(cè)的所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離;并判斷所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離與所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離是否相等；當(dāng)不相等時(shí)，調(diào)整所述集流體正面涂膜或者所述集流體反面涂膜，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0007]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述涂膜錯(cuò)位處理裝置包括:
[0008]獲取模塊，分別與所述第一傳感器和所述第二傳感器連接，用于從所述第一傳感器獲取所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離，并從所述第二傳感器獲取所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離；
[0009]判斷模塊，與所述獲取模塊連接，用于判斷所述獲取模塊獲取的所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離，與所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離是否相等；
[0010]執(zhí)行模塊，與所述判斷模塊連接，所述執(zhí)行模塊用于當(dāng)所述判斷模塊確定所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離與所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離不相等時(shí)，調(diào)整所述集流體正面涂膜或者所述集流體反面涂膜，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0011 ]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述判斷模塊，包括:
[0012]計(jì)算單元，與所述獲取模塊連接，用于根據(jù)所述獲取模塊獲取的所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離與所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離，計(jì)算涂膜錯(cuò)位值;所述涂膜錯(cuò)位值等于所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離減去所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離的值；
[0013]確定單元，與所述計(jì)算單元連接，用于確定所述計(jì)算單元計(jì)算的所述涂膜錯(cuò)位值是否為零；
[0014]進(jìn)一步地，所述執(zhí)行模塊，與所述確定單元連接，所述執(zhí)行模塊用于當(dāng)所述確定單元確定所述涂膜錯(cuò)位值不為零時(shí)，根據(jù)所述涂膜錯(cuò)位值，調(diào)整所述集流體正面涂膜或者所述集流體反面涂膜，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0015]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述執(zhí)行模塊，具體用于當(dāng)所述確定單元確定所述涂膜錯(cuò)位值大于零時(shí)，調(diào)整所述集流體正面涂膜向靠近所述集流體邊緣的方向移動(dòng)，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0016]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述執(zhí)行模塊，具體用于當(dāng)所述確定單元確定所述涂膜錯(cuò)位值大于零時(shí)，調(diào)整所述集流體反面涂膜向遠(yuǎn)離所述集流體邊緣的方向移動(dòng)，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0017]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中所述執(zhí)行模塊，具體用于當(dāng)所述確定單元確定所述涂膜錯(cuò)位值小于零時(shí)，調(diào)整所述集流體正面涂膜向遠(yuǎn)離所述集流體邊緣的方向移動(dòng)，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。
[0018]進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述執(zhí)行模塊，具體用于當(dāng)所述確定單元確定所述涂膜錯(cuò)位值小于零時(shí)，調(diào)整所述集流體反面涂膜向靠近所述集流體邊緣的方向移動(dòng)，使得所述集流體正面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離接近所述集流體反面涂膜邊緣到所述集流體邊緣的距離。進(jìn)一步地，上述涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)中，所述第一傳感器和所述第二傳感器分別采用電荷耦合元件圖像傳感器。
[0019]本實(shí)用新型涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)，通過第一傳感器檢測(cè)極片中的集流體正面涂膜邊緣到集流體邊緣的距離，第二傳感器檢測(cè)集流體反面涂膜邊緣到集流體邊緣的距離，且第一傳感器和第二傳感器分別與涂膜錯(cuò)位處理裝置電連接，并且通過涂膜處理裝置獲取第一傳感器與第二傳感器的數(shù)據(jù)，調(diào)整集流體正面涂膜或者集流體反面涂膜的位置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，檢測(cè)涂膜錯(cuò)位時(shí)需要將機(jī)器關(guān)閉，通過穿刺極片的形式人工測(cè)量涂膜錯(cuò)位值，進(jìn)而手動(dòng)調(diào)整極片正面活性物質(zhì)涂膜位置，容易造成測(cè)量值誤差大及破壞極片的問題，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)計(jì)算涂膜錯(cuò)位值，并在涂膜錯(cuò)位值不為零時(shí)，根據(jù)涂膜錯(cuò)位值調(diào)整集流體正面涂膜或集流體反面涂膜，使得涂膜錯(cuò)位值為零，提高涂膜錯(cuò)位的處理精度，同時(shí)又不會(huì)破壞極片，提高了鋰離子電池的制造效率，降低了制造成本。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021 ]圖1為本實(shí)用新型涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本實(shí)用新型涂膜錯(cuò)位處理系統(tǒng)實(shí)施例的使用場(chǎng)景圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下