影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行測(cè)試封裝后再進(jìn)行切割，得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，其逐漸取代引線鍵合封裝技術(shù)，成為封裝的主流技術(shù)。
[0003]在影像傳感器的封裝中，也多采用晶圓級(jí)封裝技術(shù)，如圖1所示，如圖1所示，為現(xiàn)有傳統(tǒng)的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括影像傳感芯片10和保護(hù)蓋板20，影像傳感芯片的第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)12和焊墊14，保護(hù)蓋板20設(shè)置在影像傳感區(qū)12上方，用于保護(hù)影像傳感區(qū)，通常的，保護(hù)蓋板20由玻璃基板22和玻璃基板22上的支撐結(jié)構(gòu)24組成，支撐結(jié)構(gòu)24圍成空腔，在支撐結(jié)構(gòu)24鍵合到影像傳感區(qū)所在的第一表面后，將影像傳感區(qū)12罩在空腔中，起到保護(hù)影像傳感區(qū)的作用。在第二表面上設(shè)置有貫通至焊墊14的導(dǎo)孔以及與導(dǎo)孔電連接的焊接凸點(diǎn)22，從而，實(shí)現(xiàn)與外部的電連接，導(dǎo)孔包括通孔中及通孔側(cè)面的第二表面上的絕緣層16、電連線層18和阻焊層22，焊接凸點(diǎn)22形成在導(dǎo)孔側(cè)面的電連線層18上，從而實(shí)現(xiàn)外部與焊墊的電連接。
[0004]然而，在該結(jié)構(gòu)中，電連線層18設(shè)置在阻焊層20和絕緣層16之間，絕緣層16多采用有機(jī)材料形成，由于阻焊層20和絕緣層16的熱膨脹系數(shù)較大，在后續(xù)的可靠度測(cè)試中會(huì)有溫度的變化，阻焊層20和絕緣層16膨脹后，電連線層受到擠壓，使其容易產(chǎn)生虛接甚至斷裂的缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，以降低影像傳感芯片電連線層的缺陷。
[0006]為解決上述問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0007]影像傳感芯片，其具有相對(duì)的第一表面和第二表面，在第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)以及位于影像傳感區(qū)周圍的焊墊；
[0008]從第二表面貫通至焊墊的通孔；
[0009]沿通孔內(nèi)壁設(shè)置并延伸至第二表面的電連線層，所述電連線層與所述焊墊電連接;
[0010]填充通孔并覆蓋電連線層的阻焊層，阻焊層中形成有開口，所述開口底部暴露出所述電連線層；
[0011]覆蓋所述開口內(nèi)壁和開口底部并延伸至阻焊層上的導(dǎo)引焊墊，所述導(dǎo)引焊墊與所述電連線層電連接；
[0012]位于導(dǎo)引焊墊上的焊接凸點(diǎn)，所述焊接凸點(diǎn)與所述導(dǎo)引焊墊電連接。
[0013]可選的，所述導(dǎo)引焊墊的形狀為圓形。
[0014]可選的，還包括電連線之下通孔側(cè)壁以及第二表面上的鈍化層。
[0015]可選的，所述阻焊層的材質(zhì)為阻焊感光油墨。
[0016]可選的，還包括:遮光層，位于第二表面上且覆蓋所述影像傳感區(qū)。
[0017]可選的，還包括:與所述影像傳感器芯片對(duì)位壓合的保護(hù)蓋板，所述保護(hù)蓋板對(duì)位壓合至所述影像傳感芯片的第一表面。
[0018]可選的，所述保護(hù)蓋板為光學(xué)玻璃，光學(xué)玻璃的至少一個(gè)表面上設(shè)置有防反射層。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，不直接將焊接凸點(diǎn)設(shè)置于電連線層上，而是在焊接凸點(diǎn)下表面與電連線層之間形成有導(dǎo)引焊墊，避免在后續(xù)焊接凸點(diǎn)工藝以及其他測(cè)試中，對(duì)電連線層的熱沖擊，對(duì)電連線層起到保護(hù)的作用，防止電連線層產(chǎn)生虛接甚至斷裂的缺陷。此外，導(dǎo)引焊墊形成在阻焊層的開口內(nèi)壁和開口底部及開口外的阻焊層表面上，僅開口底部的導(dǎo)引焊墊與電連線層連接，而焊接凸點(diǎn)通過導(dǎo)引焊墊與電連線層電連接，這樣，導(dǎo)引焊墊與焊接凸點(diǎn)匹配，在與焊接凸點(diǎn)的連接處，電連線層無(wú)需設(shè)置與焊接凸點(diǎn)匹配的端部，使得電連線層可以更密集的設(shè)置，大大提高器件的集成度，實(shí)現(xiàn)器件進(jìn)一步的小型化。
[0020]進(jìn)一步的，電連線層下設(shè)置鈍化層，來(lái)作為電連線層的絕緣層，鈍化層具有小的膨脹系數(shù)，使得電連線層由于熱膨脹受到的擠壓力大大減小，進(jìn)一步降低影像傳感芯片電連線層的缺陷。
【附圖說明】
[0021]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4A至圖14示出了本實(shí)用新型實(shí)施例的影像傳感芯片的封裝方法中所形成的中間結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0026]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0027]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。
[0028]為了降低影像傳感芯片的缺陷，尤其是電連線層的缺陷，本實(shí)用新型提出了一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)，參考圖2和圖3所示，其包括:
[0029]影像傳感芯片100，其具有相對(duì)的第一表面1001和第二表面1002，在第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)102以及位于影像傳感區(qū)周圍的焊墊104 ;
[0030]從第二表面1002貫通至焊墊104的通孔105 ；
[0031]沿通孔105內(nèi)壁設(shè)置并延伸至第二表面1002的電連線層108，所述電連線層108與所述焊墊104電連接；
[0032]填充通孔105并覆蓋電連線層108的阻焊層120，阻焊層120中形成有開口，所述開口底部暴露出所述電連線層108 ;
[0033]覆蓋所述開口內(nèi)壁和開口底部并延伸至阻焊層上的導(dǎo)引焊墊107，所述導(dǎo)引焊墊107與所述電連線層108電連接；
[0034]位于導(dǎo)引焊墊107上的焊接凸點(diǎn)122，所述焊接凸點(diǎn)122與所述導(dǎo)引焊墊107電連接。
[0035]在本實(shí)用新型中，不直接將焊接凸點(diǎn)設(shè)置于電連線層上，而是在兩者之間增設(shè)導(dǎo)引焊墊，避免在后續(xù)焊接凸點(diǎn)工藝以及其他測(cè)試中，對(duì)電連線層的熱沖擊，對(duì)電連線層起到保護(hù)的作用，防止電連線層產(chǎn)生虛接甚至斷裂的缺陷。此外，導(dǎo)引焊墊形成在阻焊層的開口內(nèi)壁和開口底部及開口外的阻焊層表面上，僅開口底部的導(dǎo)引焊墊與電連線層連接，而焊接凸點(diǎn)通過導(dǎo)引焊墊與電連線層電連接，這樣，導(dǎo)引焊墊與焊接凸點(diǎn)匹配，在與焊接凸點(diǎn)的連接處，電連線層無(wú)需設(shè)置與焊接凸點(diǎn)匹配的端部，使得電連線層可以更密集的設(shè)置，大大提高器件的集成度，實(shí)現(xiàn)器件進(jìn)一步的小型化。
[0036]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，該影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)可以為形成在完成電連線層和焊接凸點(diǎn)加工而尚未進(jìn)行切割的結(jié)構(gòu)，也可以為經(jīng)過切割之后的單個(gè)成品芯片的結(jié)構(gòu)。
[0037]對(duì)于影像傳感芯片，該芯片至少形成有影像傳感區(qū)和焊墊，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，在影像傳感芯片的第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)102和位于影像傳感區(qū)102周圍的焊墊104，所述影像傳感區(qū)102用于接收外界光線并轉(zhuǎn)換為電學(xué)信號(hào)，所述影像傳感區(qū)102內(nèi)至少形成有影像傳感芯片單元，還可以進(jìn)一步形成有與影像傳感芯片單元相連接的關(guān)聯(lián)電路，如用于驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)單元(圖未示出)、獲取感光區(qū)電流的讀取單元(圖未示出)和處理感光區(qū)電流的處理單元(圖未示出)等。
[0038]當(dāng)然，根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求，在該影像傳感芯片上還可以設(shè)置有其他的部件，由于這些部件與本實(shí)用新型的實(shí)用新型點(diǎn)并不密切相關(guān)，在此不做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0039]通常地，為了便于布線，影像傳感區(qū)102位于單個(gè)芯片單元的中間位置，焊墊104呈矩形分布，位于影像傳感區(qū)102的四周且位于單個(gè)芯片單元單元的邊緣位置，每一個(gè)側(cè)邊上可以形成有若干個(gè)焊墊104，焊墊104為影像傳感區(qū)內(nèi)器件與外部電路的輸入輸出端口，可以將影像傳感區(qū)102的電學(xué)信號(hào)傳出到外部電路，焊墊的材料