一種透明陶瓷基板led燈絲的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及LED技術領域，尤其涉及一種透明陶瓷基板LED燈絲。
【背景技術】
[0002]隨著LED技術的不斷成熟，傳統(tǒng)白熾燈將逐漸被LED燈絲燈所取代。為了增加出光面積和角度，LED燈絲燈通常由多條LED燈絲相互拼接組成?，F(xiàn)有技術中，LED燈絲通常采用金屬基板等非透光基板，只能單面透光，其單根LED燈絲的出光角度最多只能為180°，這大大限制了 LED的發(fā)光效果。同時現(xiàn)有技術中，LED燈絲上的LED芯片通常采用已封裝好的LED燈珠焊接在基板上，不僅增加了 LED燈絲的尺寸，同時增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。另外，LED燈絲上的電阻元件通常采用貼片電阻以焊接的方式固定在LED燈絲上，貼片電阻的一致性和穩(wěn)定性存在無法得到保證，尤其在LED燈絲長時間使用的情況下，會極大影響LED燈絲的壽命，同時也增加了 LED燈絲制備工藝的復雜度。
[0003]故，針對目前現(xiàn)有技術中存在的上述缺陷，實有必要進行研究，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術中存在的缺陷。
【實用新型內容】
[0004]為了解決現(xiàn)有技術存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種用于LED燈絲并使其實現(xiàn)360°出光的透明陶瓷基板LED燈絲。
[0005]為了克服現(xiàn)有技術的缺陷，本實用新型的技術方案為：
[0006]一種透明陶瓷基板LED燈絲，包括透明陶瓷基板，該透明陶瓷基板上設置一層ITO薄膜層，在所述ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層，以及在所述透明陶瓷基板上形成多個固晶區(qū)，多個正裝LED裸芯片設置在所述固晶區(qū)內，所述多個正裝LED裸芯片以金線鍵合的方式串接在所述線路層中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都設有熒光層；在所述線路層的端部設有電極，所述電極用于與外接驅動電源相連接；在所述線路層設有電阻圖形并通過濺射工藝在其上沉積ITO材料形成電阻。
[0007]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0008]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板上。
[0009]優(yōu)選地，根據所述電阻的阻值控制在所述線路層的電阻圖形上沉積相應量的ITO材料，從而實現(xiàn)設置不同阻值的電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述透明陶瓷基板為長條形，所述電極設置在長條形透明陶瓷基板的兩端。
[0011]優(yōu)選地，所述正裝LED裸芯片通過固晶膠固定在所述固晶區(qū)。
[0012]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層為35 μ m?280 μ m。
[0013]優(yōu)選地，所述線路層在所述固晶區(qū)兩端區(qū)域分別設有金線焊點，所述正裝LED裸芯片上設有P極和N極。
[0014]優(yōu)選地，通過金線使所述正裝LED裸芯片的P極或N極與所述線路層上的金線焊點電氣連接。
[0015]優(yōu)選地，正裝LED裸芯片的N極通過金線與其后級的正裝LED裸芯片的P極電氣連接，或者正裝LED裸芯片的P極通過金線與其前級的正裝LED裸芯片的N極電氣連接。
[0016]相對于現(xiàn)有技術，采用本實用新型的技術方案，由于采用透明陶瓷基板，從而使LED芯片真正實現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果；由于將正裝LED裸芯片直接封裝在透明陶瓷基板上，大大縮小了 LED燈絲的尺寸，也簡化了 LED封裝工藝；同時導電層采用ITO材料，其電阻率遠大于銅等金屬，故可在線路層上直接沉積ITO材料形成電阻，從而不需要焊接電阻元件，并保證了電阻元件的一致性和穩(wěn)定性，從而延長LED燈絲的使用壽命。
【附圖說明】
[0017]圖I為本實用新型實施例提供的一種透明陶瓷基板LED燈絲的結構示意圖。
[0018]圖2為本實用新型實施例提供的一種透明陶瓷基板LED燈絲的平面結構示意圖。
[0019]圖3為本實用新型實施例提供的一種透明陶瓷基板LED燈絲另一種實施方式的平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]以下是本實用新型的具體實施例并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步的描述，但本實用新型并不限于這些實施例。
[0021]為了克服現(xiàn)有技術存在的缺陷，請參閱圖1，為本實用新型實施例提供的一種透明陶瓷基板LED燈絲的結構示意圖，包括透明陶瓷基板I，透明陶瓷基板I是一塊薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95%以上。該透明陶瓷基板I上設置一層ITO薄膜層，一層ITO (氧化銦錫）薄膜層，ITO薄膜層是通過濺射工藝或者通過噴涂工藝形成在所述透明陶瓷基板I上，其厚度為35μπι?280 μπι。材料ITO(氧化銦錫）同時具有優(yōu)良電學傳導和光學透明的特性，作為透明傳導鍍膜應用廣泛。由于采用透明陶瓷基板，從而使LED燈絲真正實現(xiàn)360°出光，大大提升了 LED燈絲的立體出光效果。
[0022]在透明陶瓷基板I上設置ITO薄膜層作為導電層，其作用類似于現(xiàn)有技術中的銅箔層。通過光刻膠掩膜蝕刻工藝可將電路圖形印制在ITO薄膜層上，也即在ITO薄膜層上通過刻蝕工藝形成線路層2，同時通過刻蝕工藝在透明陶瓷基板I上形成固晶區(qū)3，固晶區(qū)3用于設置正裝LED裸芯片4，多個正裝LED裸芯片4通過固晶膠設置在所述固晶區(qū)3內，并以金線鍵合的方式串接在所述線路層2中。金線鍵合工藝的好壞直接影響LED燈絲的光電性能及可靠性，金線焊接時要形成一定的弧度，不能直接跨過LED裸芯片的P極或者N極，否則容易遮擋LED射出光線，降低光通量，影響產品的光學性能。在透明陶瓷基板I的正面和反面分別設置由熒光材料形成的熒光層，由于透明陶瓷基板具有反向透光性，通過調節(jié)透明陶瓷基板I正面和反面的熒光材料配方，從而達到正反面均勻的立體發(fā)光LED燈絲。在所述線路層2的端部設有電極6，所述電極6用于與外接驅動電源相連接