少一發(fā)光層，位于該n型半導(dǎo)體單元上;一P型半導(dǎo)體單元，位于該n型 半導(dǎo)體單元上，且該發(fā)光層夾設(shè)于該P(yáng)型半導(dǎo)體單元與該n型半導(dǎo)體單元之間，部份的n型半 導(dǎo)體單元露出且不被該P(yáng)型半導(dǎo)體單元覆蓋；W及一透明電極層，位于該P(yáng)型半導(dǎo)體單元的 表面；
[0018] 于該些磊晶單元的表面形成第一金屬層，使該第一金屬層覆蓋部分的磊晶單元表 面，W連結(jié)該磊晶單元與另一相鄰的磊晶單元；
[0019] 形成n對布拉格反射鏡對，使該些布拉格反射鏡對包覆該些該磊晶單元W及部分 的第一金屬層，其中n為一大于6的整數(shù);W及
[0020] 于該布拉格反射鏡對的一表面形成一第二金屬層，且該第二金屬層連接未經(jīng)該布 拉格反射鏡對所覆蓋的該第一金屬層。
[0021] 于上述的制造方法中，在步驟(a)的前，可選擇性地先在基板上先形成一緩沖層， 譬如，氮化侶緩沖層，W使后續(xù)形成的磊晶單元和基板之間有更好的結(jié)合。
[0022] 為了避免電流經(jīng)由側(cè)壁連通n型層或金屬電極造成短路，在步驟(a)中，更包括在 該P(yáng)型半導(dǎo)體單元的側(cè)壁及該發(fā)光層的側(cè)壁上形成一絕緣層;再者，步驟(a)中所述的n型半 導(dǎo)體單元可為一 n型氮化嫁，且該P(yáng)型半導(dǎo)體單元可為一 P型氮化嫁。
[0023] 此外，于本實(shí)用新型的制造方法中，在步驟(d)之后更包括一步驟(e)，圖案化該第 二金屬層使該第二金屬層具有一間隙而分隔成至少兩獨(dú)立的電極。
【附圖說明】
[0024] 圖1為本實(shí)用新型一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 圖2為本實(shí)用新型一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[00%]【符號說明】
[0027] 10發(fā)光二極管裝置
[00巧]110第一金屬層 [00巧]120磊晶單元
[0030] 130 基板
[0031] 140布拉格反射鏡對
[0032] 150第二金屬層
【具體實(shí)施方式】
[0033] W下利用特定的具體實(shí)施例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟習(xí)此技藝的人±可由 本說明書所掲示的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與其他功效。本實(shí)用新型亦可藉由其 他不同的具體實(shí)施例加 W施行或應(yīng)用，且本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可針對不同的觀點(diǎn)與應(yīng) 用，在不背離本實(shí)用新型精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
[0034] 實(shí)施例1
[0035] 圖1為本實(shí)用新型一示例性實(shí)施例的發(fā)光二極管裝置10結(jié)構(gòu)示意圖。該發(fā)光二極 管裝置10包括:第一金屬層110、磊晶單元120、基板130、布拉格反射鏡對140、W及第二金屬 層 150。
[0036] 更具體地，于實(shí)施例1中，在藍(lán)寶石基板130的一表面上，于750~1200°C、1大氣壓 的操作條件下利用有機(jī)金屬氣相沉積方法依序形成氮化嫁本質(zhì)磊晶、n型氮化嫁、發(fā)光層、P 型氮化嫁;之后W半導(dǎo)體制程如黃光、微影、蝕刻工序?qū)⑶笆隼诰Р牧现谱鞒蓭в蠵N極性的 元件。然后在P型氮化嫁的側(cè)壁及發(fā)光層的側(cè)壁上，利用化學(xué)氣相沉積法形成氮化娃絕緣層 (圖未示），W避免電流經(jīng)由側(cè)壁連通n型層或金屬電極而短路。
[0037] 接下來，在真空條件下，利用電子束蒸鍛方式，在該些磊晶單元120的表面W金/儀 形成第一金屬層110,使第一金屬層覆蓋部分的磊晶單元表面，使得該些磊晶單元與相鄰的 磊晶單元120能夠彼此串接相連。
[0038] 形成磊晶單元之后，接下來在真空條件下，W電子束蒸鍛方式，在該些磊晶單元 120及第一金屬層110的表面形成布拉格反射鏡對140。該布拉格反射鏡對14〇W 460 A的 Ti化與6拼）A的Si〇2所組成，總共有20層(對），并且包覆該些磊晶單元120W及部分的第 一金屬層110，且部分的第一金屬層110不被該布拉格反射鏡140包覆(參考圖1)。
[0039] 圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1的發(fā)光二極管裝置結(jié)構(gòu)的俯視圖。由圖2可清楚看見，第 一金屬層IlOW交錯的方式與相鄰的磊晶單元120串聯(lián)連結(jié)，換言之，若由發(fā)光二極管裝置 的上方俯視，可見第一金屬層位于磊晶單元的一側(cè)的某一側(cè)使第一個磊晶單元與相鄰的第 二個磊晶單元相連，而由與某一側(cè)相對的另一側(cè)使第二個磊晶單元與相鄰的第=個磊晶單 元相連，W此類推。
[0040] 最后，在真空條件下，利用電子束蒸鍛方式，在該布拉格反射鏡對140的一表面形 成一第二金屬層150,且該第二金屬層150與未經(jīng)該布拉格反射鏡140對所覆蓋的該第一金 屬層110連接。并進(jìn)一步圖案化該第二金屬層150使該第二金屬150層具有一間隙而分隔成 至少兩獨(dú)立的電極。
[0041 ] W積分球在80V、15mA的操作條件下，實(shí)際測量所獲得的發(fā)光二極管裝置的出光強(qiáng) 度為在750至850mW，電光轉(zhuǎn)換效率約在60%，證實(shí)本實(shí)用新型的發(fā)光二極管裝置具有優(yōu)異 的效能。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光二極管裝置，其特征在于，包括： 一基板； 多個磊晶單元，位于該基板的一表面，每一磊晶單元包括： 一 n型半導(dǎo)體單元，位于該基板的表面； 至少一發(fā)光層，位于該η型半導(dǎo)體單元上； 一 ρ型半導(dǎo)體單元，位于該η型半導(dǎo)體單元上，且該發(fā)光層夾設(shè)于該ρ型半導(dǎo)體單元與該 η型半導(dǎo)體單元之間，部份的η型半導(dǎo)體單元露出且不被該ρ型半導(dǎo)體單元覆蓋；以及 一透明電極層，位于該Ρ型半導(dǎo)體單元的表面； 一第一金屬層，該第一金屬層位于該磊晶單元的部分表面； η對布拉格反射鏡對，包覆該些磊晶單元以及該第一金屬層的部份表面，其中η為一大 于6的整數(shù)；以及 一第二金屬層，設(shè)于該布拉格反射鏡對的表面，且該第二金屬層連接未經(jīng)該布拉格反 射鏡對所覆蓋的該第一金屬層。2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，更包括一絕緣層，位于該ρ型半導(dǎo) 體單元的側(cè)壁及該發(fā)光層的側(cè)壁。3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，更包括一緩沖層，位于該基板與 該嘉晶單元。4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該η型半導(dǎo)體單元為一η型氮化 鎵，且該Ρ型半導(dǎo)體單元為一 Ρ型氮化鎵。5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該第二金屬層經(jīng)圖案化而具有一 間隙，使該第二金屬層分隔成至少兩獨(dú)立的電極。6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，η為一大于6的整數(shù)。7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該布拉格反射鏡對的光學(xué)膜層折 射率介于1.3至2.8之間。8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于，該基板為藍(lán)寶石基板。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管裝置，其包括：透明基板；多個磊晶單元，位于該基板的一表面；一第一金屬層，該第一金屬層位于該磊晶單元的部分表面以連結(jié)該磊晶單元與另一相鄰的磊晶單元；n對布拉格反射鏡對，包覆該些磊晶單元以及該第一金屬層的部份表面，其中n為一大于6的整數(shù)；以及一第二金屬層，設(shè)于該布拉格反射鏡對的表面，且該第二金屬層連接未經(jīng)該布拉格反射鏡對所覆蓋的該第一金屬層。
【IPC分類】H01L33/36, H01L33/46
【公開號】CN205231098
【申請?zhí)枴緾N201521049015
【發(fā)明人】李乃義
【申請人】李乃義
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月16日