封裝疊加型堆疊封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]各種實(shí)施方式一般涉及半導(dǎo)體封裝，并且更具體地，涉及通過使封裝進(jìn)行堆疊而實(shí)現(xiàn)的封裝疊加型堆疊封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品逐漸小型化和高功能化，需要具有大容量的半導(dǎo)體芯片來滿足期望功能，因此，需要在小型化的電子產(chǎn)品上安裝更多數(shù)量的半導(dǎo)體芯片。在這方面，用于制造具有大容量的半導(dǎo)體芯片或者在有限空間中安裝更多數(shù)量的半導(dǎo)體芯片的技術(shù)無法提供幫助，而是具有局限性。
[0003]最近的趨勢(shì)致力于將更多數(shù)量的半導(dǎo)體芯片嵌入到一個(gè)封裝中或者堆疊兩個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，正在開發(fā)在即使嵌入一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體芯片或者堆疊兩個(gè)或更多個(gè)封裝也不增加封裝總厚度的情況下改善電特性的各種技術(shù)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]在實(shí)施方式中，一種堆疊封裝，其特征在于，該堆疊封裝可以包括:底部封裝，所述底部封裝具有第一半導(dǎo)體芯片和第一連接構(gòu)件；以及頂部封裝，所述頂部封裝設(shè)置在所述底部封裝上方，并且具有第二半導(dǎo)體芯片和第二連接構(gòu)件，所述第二連接構(gòu)件與所述第一連接構(gòu)件電聯(lián)接。所述底部封裝包括中介層，所述中介層具有沿著上表面的邊緣布置的多個(gè)電極。所述底部封裝還包括多個(gè)第一接合指，所述第一接合指通過與所述中介層的邊緣分開來布置。所述底部封裝還包括第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述中介層的上表面上方以暴露所述電極，并且所述第一半導(dǎo)體芯片具有在另一個(gè)上表面上方布置的多個(gè)第一接合焊盤。所述底部封裝還包括第一接合線，所述第一接合線將所述第一接合焊盤和所述電極電聯(lián)接。所述底部封裝還包括第二接合線，所述第二接合線將所述電極和所述第一接合指電聯(lián)接。所述底部封裝還包括第一密封構(gòu)件，所述第一密封構(gòu)件形成為覆蓋所述第一接合指、所述中介層和所述第一半導(dǎo)體芯片二者的上表面和側(cè)表面以及所述第一接合線和所述第二接合線，并且具有暴露所述第二接合線的部分的通孔。
[0005]所述第一半導(dǎo)體芯片包括邏輯芯片，并且所述第二半導(dǎo)體芯片包括存儲(chǔ)器芯片。
[0006]當(dāng)所述中介層和所述第一半導(dǎo)體芯片具有四邊形板狀時(shí)，所述第一接合指按照圍繞所述中介層的四個(gè)邊緣的形式來布置，并且所述電極和所述第一接合焊盤沿著所述中介層和所述第一半導(dǎo)體芯片二者的上表面的四個(gè)邊緣來布置。
[0007]所述通孔具有下直徑小于上直徑的形狀。
[0008]所述第一連接構(gòu)件分別插入到所述通孔中并且與所述第二接合線的暴露的部分電聯(lián)接。
[0009]所述第一連接構(gòu)件包括焊球。
[0010]所述焊球的直徑小于所述通孔的上直徑且大于所述通孔的下直徑。
[0011]所述焊球位于所述通孔中的下部中，并且所述焊球被設(shè)置為使得所述焊球的部分伸出到所述底部封裝的下表面的外面。
[0012]所述第二連接構(gòu)件分別插入到所述底部封裝的所述通孔中，并且與所述第一連接構(gòu)件電聯(lián)接。
[0013]所述頂部封裝包括:基板，所述基板具有上表面和與所述上表面遠(yuǎn)離面對(duì)的下表面，并且包括在所述上表面上方布置的第二接合指和在所述下表面上方布置外部電極，所述外部電極與所述第二接合指電聯(lián)接并且與所述第二連接構(gòu)件電聯(lián)接;第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片設(shè)置在所述基板的上表面上方以暴露所述第二接合指，并且所述第二半導(dǎo)體芯片具有在該第二半導(dǎo)體芯片的上表面上方布置的多個(gè)第二接合焊盤;第三接合線，所述第三接合線將所述第二接合焊盤和所述第二接合指電聯(lián)接；以及第二密封構(gòu)件，所述第二密封構(gòu)件形成在所述基板的上表面上方以覆蓋所述第二半導(dǎo)體芯片和所述第三接合線。
[0014]所述第二連接構(gòu)件包括焊球或焊膏。
【附圖說明】
[0015]圖1是例示了根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的截面圖。
[0016]圖2是例示了在根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝中部分去除了第一密封構(gòu)件的狀態(tài)下的底部封裝的平面圖。
[0017]圖3是解釋用于制造根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的底部封裝的方法的截面圖。
[0018]圖4是解釋用于制造根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的頂部封裝的方法的截面圖。
[0019]圖5是解釋用于制造根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的方法的截面圖。
[0020]圖6是例示應(yīng)用根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的電子系統(tǒng)的示例代表的框圖。
[0021]圖7是例示了包括根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝的存儲(chǔ)卡的示例代表的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]接下來，參照附圖通過實(shí)施方式的各種示例將在下文中描述封裝疊加型堆疊封裝及其制造方法。各種實(shí)施方式致力于實(shí)現(xiàn)底部封裝的低輪廓并由此減小總厚度的封裝疊加型堆疊封裝及其制造方法。
[0023]參照?qǐng)D1，根據(jù)實(shí)施方式的封裝疊加型堆疊封裝100可以包括底部封裝100A以及在底部封裝100A上堆疊的頂部封裝100B。
[0024]在實(shí)施方式中，底部封裝100A可以被構(gòu)造成沒有基板。底部封裝100A還可以包括第一接合指12、中介層(interposer)20、第一半導(dǎo)體芯片30、接合線42和接合線44、第一密封構(gòu)件46以及第一連接構(gòu)件48。另外，底部封裝100A還可以包括插在中介層20和第一半導(dǎo)體芯片30之間的第一粘合構(gòu)件40。
[0025]第一接合指12可以被形成為諸如金屬的導(dǎo)電材料的圖案?？梢园凑諒闹薪閷?0的邊緣分開預(yù)定距離的方式來布置多個(gè)第一接合指12。例如，當(dāng)中介層20具有如圖2中所示的四邊形板狀時(shí)，可以以規(guī)律的間隔布置第一接合指12以圍繞中介層20的四個(gè)邊緣。與此不同，雖然沒有示出，但是也可以將多個(gè)第一接合指布置成僅與中介層20的相反邊緣相鄰。
[0026]第一接合指12可以具有可經(jīng)由第二接合線44電聯(lián)接的尺寸。多個(gè)第一接合指12可以以規(guī)律的間隔被布置為從中介層20的四個(gè)邊緣分開以允許用于暴露第二接合線44的部分的通孔V足以形成在第一密封構(gòu)件46中。
[0027]作為第一接合指12和第一半導(dǎo)體芯片30之間的連接介質(zhì)的中介層20可以具有大致四邊形板狀。具有這種四邊形板形狀的中介層20具有上表面20a和下表面20b。中介層20還可以包括至少對(duì)應(yīng)于第一接合指12的數(shù)量的沿著上表面20a的四個(gè)邊緣布置的多個(gè)電極22。可以在中介層20的上表面20a上設(shè)置電極22。與此不同，電極22可以被設(shè)置成具有嵌入在中介層20中的形狀，并且電極22的一個(gè)表面暴露在中介層20的上表面20a上。電極22可以包括設(shè)置成與第一半導(dǎo)體芯片30相鄰的一端22-1以及從一端22-1朝向中介層20的邊緣延伸的另一端22-2。
[0028]第一半導(dǎo)體芯片30可以是邏輯芯片。與此不同，第一半導(dǎo)體芯片30可以是存儲(chǔ)器芯片。第一半導(dǎo)體芯片30可以被形成為具有上表面30a和背離上表面30a的下表面30b的四邊形板狀。第一半導(dǎo)體芯片30可以包括沿著上表面30a的四個(gè)邊緣布置的多個(gè)第一焊盤32。與此不同，在僅沿著中介層20的上表面20a的相反兩邊緣布置電極22的情況下，可以僅沿著第一半導(dǎo)體芯片30的上表面30a的與電極22相鄰的兩個(gè)邊緣來布置第一焊盤32。這種第一半導(dǎo)體芯片30可以按照面朝上類型設(shè)置在中介層20的上表面20a的中心部分上，使得第一半導(dǎo)體芯片30的下表面30b面向中介層20的上表面20a并且暴露電極22?？梢酝ㄟ^第一粘合構(gòu)件40的介質(zhì)將第一半導(dǎo)體芯片30固定至中介層20的上表面20a的中心部分。
[0029]可以通過線接合處理來形成第一接合線42以將第一半導(dǎo)體芯片30的第一焊盤32和中介層20的電極22的與第一接合焊盤32相鄰設(shè)置的一端22-1互相連接?？梢酝ㄟ^線接合處理來形成第二接合線44以將中介層20的電極22的與第一接合線42電聯(lián)接的另一端22-2和與電極22的另一端22-2相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的第一接合指12互相連接。
[0030]形成第一密封構(gòu)件46來保護(hù)第一半導(dǎo)體芯片30免受外部影響。第一密封構(gòu)件46例如可以由EMC(環(huán)氧樹模制化合物)制成。這種第一密封構(gòu)件46可以形成為覆蓋第一接合指12、中介層20的上表面20a和第一半導(dǎo)體芯片30的上表面30a以及中介層20和第一半導(dǎo)體芯片30的側(cè)表面、以及第一接合線42和第二接合線44。此外，第一密封構(gòu)件46可以包括形成為分別暴露第二接合線44的部分的多個(gè)穿塑孔(TMV:through-mold via)或通孔V。
[0031]在實(shí)施方式中，如圖1所示，通孔V可以形成為下直徑比上直徑小的形狀。可以理解，這是為了允許由焊球構(gòu)造的第一連接構(gòu)件48穩(wěn)定地插入和安裝在通孔V中。與此不同，雖然沒有示出，但是也可以按照每個(gè)通孔V的頂端和底端具有相同直徑的方式來形成通孔V。通孔V可以被形成為布置成如圖2所示的鋸齒形圖案。
[0032]第一連接構(gòu)件48形成為將頂部封裝100B和外部電路電聯(lián)接。第一連接構(gòu)件48例如可以由焊球來構(gòu)造。由焊球構(gòu)造的第一連接構(gòu)件48被分別插入到通孔V中。第一連接構(gòu)件48可以與第二接合線44在各通孔V中暴露的部分電聯(lián)接。構(gòu)造第一連接構(gòu)件48的焊球可以形成為例如具有小于通孔V的上直徑且大于通孔V的下直徑的直徑。根據(jù)這個(gè)事實(shí)，由焊球構(gòu)造的第一連接構(gòu)件48位于在各通