可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型半導體器件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，特別是涉及一種可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導體領(lǐng)域，為了節(jié)約芯片的面積，現(xiàn)有的包括焊墊的半導體結(jié)構(gòu)(以包括3層金屬層為例)如圖1所示，所述半導體結(jié)構(gòu)包括:焊墊11、金屬插塞(Via)12、第一金屬層13、第二金屬層14、底層金屬層15及介質(zhì)層16;所述第一金屬層13及所述第二金屬層14位于所述焊墊11的下方，且與所述焊墊相隔一定的間距，所述底層金屬層15位于所述第一金屬層13及所述第二金屬層14的下方;所述第一金屬層13與所述焊墊11及所述底層金屬層15通過所述金屬插塞12相連接;所述介質(zhì)層17填充在所述焊墊11、所述金屬插塞12、所述第一金屬層13、所述第二金屬層14及所述底層金屬層15任意二者之間的間隙內(nèi)。為了滿足后續(xù)打線的需要，所述焊墊11的尺寸會設計的較大，而為了節(jié)約芯片的面積，所述第一金屬層13的尺寸會設計的較小，以節(jié)省出來空間用于布置所述第二金屬層14。
[0003]在現(xiàn)有的半導體工藝中，在打線時，會在所述焊墊11上施加一定的向下的壓力，然而，圖1所述的現(xiàn)有半導體結(jié)構(gòu)中，所述焊墊11下方只有設有所述第一金屬層13的一側(cè)有金屬插塞12，另一側(cè)(即設有所述第二金屬層14的一側(cè))沒有所述金屬插塞12，只有所述介質(zhì)層17;由于兩側(cè)的結(jié)構(gòu)不同，使得兩側(cè)所述能承受的壓力就會不一樣，即設有所述金屬插塞12的一側(cè)可以承受較大的壓力，而另一側(cè)則由于沒有所述金屬插塞12所能承受的壓力較小，會在打線時在設有所述第二金屬層14的一側(cè)形成裂痕16(如圖1所示)。
[0004]目前，主要通過調(diào)整打線工藝解決產(chǎn)生所述裂痕16的問題，但這只能降低裂痕16發(fā)生的概率，并不能徹底解決;而且，調(diào)整打線工藝還有可能引起一些其他的問題，所以，調(diào)整打線工藝并不是最好的解決方法。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于由于焊墊下方一側(cè)沒有金屬插塞而導致的打線時容易形成裂痕的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)，所述可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)包括:焊墊、第一金屬層、第二金屬層、第一金屬插塞及第二金屬插塞；
[0007]所述第一金屬層位于所述焊墊的下方，且與所述焊墊相隔一定的間距;所述第一金屬層與所述焊墊通過所述第一金屬插塞相連接；
[0008]所述第二金屬層位于所述焊墊的下方，且位于所述第一金屬層的一側(cè)，并與所述焊墊及所述第一金屬層均相隔一定的間距;所述第二金屬層位于所述焊墊正下方的區(qū)域內(nèi)設有若干個通孔，所述通孔的橫向尺寸大于所述第二金屬插塞的橫向尺寸；
[0009]所述第二金屬插塞位于所述焊墊與所述第二金屬層之間，一端與所述焊墊相連接，另一端垂直插入所述通孔內(nèi)。
[0010]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第二金屬插塞的數(shù)量與所述通孔的數(shù)量相等，且上下一一對應。
[0011]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述通孔均勻地分布在所述第二金屬層位于所述焊墊正下方的區(qū)域內(nèi)。
[0012]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述通孔橫截面的形狀為正方形、圓形或六邊形。
[0013]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬層與所述第二金屬層位于同一平面內(nèi)。
[0014]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)還包括底層金屬層，所述底層金屬層位于所述第一金屬層及所述第二金屬層的下方，且通過所述第一金屬插塞與所述第一金屬層相連接。
[0015]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)還包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層填充于所述焊墊、所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述第一金屬插塞及所述第二金屬插塞任意二者之間的間隙內(nèi)。
[0016]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一金屬層的數(shù)量為多個，多個所述第一金屬層上下平行間隔排布，且相鄰第一金屬層通過所述第一金屬插塞相連接。
[0017]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第二金屬層的數(shù)量為多個，多個所述第二金屬層上下平行間隔排布。
[0018]作為本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第二金屬插塞遠離所述焊墊的一端延伸至最底層的所述第二金屬層中的通孔內(nèi)。
[0019]如上所述，本實用新型的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)，通過在第二金屬層內(nèi)形成通孔，并在對應于通孔的位置形成第二金屬插塞，由于通孔的橫向尺寸大于第二金屬插塞的橫向尺寸，第二金屬插塞不會與第二金屬層直接接觸;第二金屬插塞的存在可以增強半導體結(jié)構(gòu)中相應位置的強度，使得打線時整個半導體結(jié)構(gòu)受力均衡，徹底解決了半導體結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)裂痕的問題;同時，該半導體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)簡單，制備時不需要額外的工藝步驟。
【附圖說明】
[0020]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的半導體結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖2顯示為本實用新型實施例一中提供的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖3顯示為本實用新型實施例一中提供的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)中的焊墊與第二金屬層的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖4顯示為本實用新型實施例一中提供的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)中的第二金屬層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖5顯示為本實用新型實施例一中提供的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)中的第二金屬層與第二金屬插塞相對應設置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖6顯示為本實用新型實施例二中提供的可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]元件標號說明
[0027]11焊墊
[0028]12金屬插塞
[0029]13第一金屬層
[0030]14第二金屬層
[0031]15底層金屬層
[0032]16裂痕
[0033]17介質(zhì)層
[0034]21焊墊
[0035]22第一金屬插塞
[0036]23第二金屬插塞
[0037]24第一金屬層
[0038]25第二金屬層
[0039]251通孔
[0040]26底層金屬層[0041 ]27介質(zhì)層
【具體實施方式】
[0042]以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本實用新型的精神下進行各種修飾或改變。
[0043]請參閱圖2至圖6。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本實用新型的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本實用新型中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
[0044]實施例一
[0045]請參閱圖2至圖5，本實用新型提供一種可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)，所述可防止開裂的半導體結(jié)構(gòu)包括:焊墊21、第一金屬層24、第二金屬層25、第一金屬插塞22及第二金屬插塞23;所述第一金屬層24位于所述焊墊21的下方，且與所述焊墊21相隔一定的間距;所述第一金屬層24與所述焊墊21通過所述第一金屬插塞22相連接;所述第