本發(fā)明涉及具有初級(primary)繞組側(cè)的電流控制和傳播延遲補償?shù)碾娏鬓D(zhuǎn)換器。具體地,本公開涉及可以被用在針對固態(tài)發(fā)光(SSL)裝置的電源中的轉(zhuǎn)換器,并且更加具體地涉及包括包含了發(fā)光二極管(LED)陣列的燈的裝置。
背景技術(shù):
使用LED的發(fā)光裝置的線下驅(qū)動電源包括控制電路和用于保持在控制電路和負載(LED)之間安全絕緣的變壓器。在這些電路中,常常希望在不利用使用在次級繞組側(cè)獲得的信號的反饋電路的情況下,調(diào)節(jié)用于驅(qū)動LED的直流輸出電流。這樣,在變壓器的次級側(cè),不需要電流檢測元件、參考電壓源或故障放大器,也不需要用于將故障信號傳遞給布置在初級側(cè)的控制電路的光耦合器。通常,還期望高功率因子(Hi-PF,高于0.9)以滿足電流諧波的發(fā)射限制(根據(jù)歐洲標準IEC 61000-3-2和日本標準JEITA-MITI)。
為了獲得上述特性,已知例如根據(jù)圖1的電路圖制造的Hi-PF反激式開關(guān)轉(zhuǎn)換器(同樣參見C.Adragna的"Primary-Controlled High-PF Flyback Converters Deliver Constant Dc Output Current"Europe Power Electronics Conference,Sept.2011,參考其獲得更多細節(jié))。
圖1示出包括了橋式整流器2和反激式轉(zhuǎn)換器3的電源1。
橋式整流器2具有兩個輸入端子10a、10b,被設(shè)計用于以頻率fL接收交流供電電壓Vac,以及提供輸入電壓Vin(θ)的兩個輸出端子,其中θ是供電電壓Vac的相位。橋式整流器2的輸出端子分別連接到第一參考電勢線(第一接地12)和輸入節(jié)點13。
反激式轉(zhuǎn)換器3包括濾波電容器Cin,其連接在輸入節(jié)點13和第一接地12之間并操作為高頻平滑濾波器;包括初級繞組Lp、次級繞 組Ls、以及輔助繞組Laux的變壓器4;控制模塊15;包括第一分壓電阻器Ra和第二分壓電阻器Rb的電阻分壓器16;由功率晶體管形成的功率開關(guān)M,例如MOSFET;具有電阻Raux的輔助感測電阻器21;具有電阻Rs的初級感測電阻器19;以及鉗位電路20。
具體地,變壓器4的初級繞組Lp具有連接到輸入節(jié)點13的第一端子4a和第二端子4b。次級繞組Ls具有第一端子4c和第二端子4d,后者連接到第二參考電勢線(第二接地17)。輔助繞組Laux具有連接到第一接地12的第一端子4e和第二端子4f。如圖1所圖示,初級、次級和輔助繞組Lp、Ls、Laux與正極端子4b、4c和4f耦合在一起,。
第一分壓電阻器Ra連接在輸入節(jié)點13和中間節(jié)點14之間。第二電阻器Rb具有連接到中間端子14的第一端子和連接到第一接地12的第二端子。中間節(jié)點14耦合到控制模塊15的第一輸入端子MULT并根據(jù)下面等式(1)通過電阻分壓器16的分壓比Kp=Rb/(Ra+Rb)提供與輸入電壓Vin(θ)成比例的第一電壓信號A(θ):
A(θ)=KpVin,pk sinθ (1)
其中
輔助感測電阻器21連接在輔助繞組Laux的第二端子4f與控制模塊15的第二輸入端子ZCD之間。初級感測電阻器19連接在功率開關(guān)M的源極端子和第一接地12之間。此外,功率開關(guān)M的源極端子連接到控制模塊15的第三輸入端子CS并向其提供感測電壓Vcs(t,θ),其在功率晶體管M接通時(即,在初級繞組Lp的磁化期間)正比于初級繞組Lp中的電流。事實上,在功率開關(guān)M接通時初級感測電阻器19檢測在初級繞組Lp中流動的電流Ip(t,θ)。
晶體管M還具有連接到初級繞組Lp的第二端子4b的它的源極端子和連接到控制模塊15的輸出端子GD的它的柵極端子。
鉗位電路20被布置在初級繞組Lp的第一和第二端子4a,4b之間,用于限制例如由寄生電感引起的開關(guān)M的漏極端子上的電壓尖峰。
在次級繞組Ls側(cè),反激式轉(zhuǎn)換器3包括輸出二極管D和輸出電容器Cout。輸出電容器Cout例如是電解電容器類型并具有耦合到第一 輸出端子22和第二輸出端子23的正極板和負極板,第一輸出端子22和第二輸出端子23進而耦合到負載18。第二輸出端子23耦合到第二接地17。輸出二極管D具有連接到次級繞組Ls的第一端子4c的它的陽極并具有連接到第一負載端子22的它的陰極??巛敵鲭娙萜鰿out的電壓因此是提供到負載18的輸出電壓Vout,這里負載18是一系列的二極管,例如LED。
控制模塊15包括參考電流源級24和比較器級25。
具體地,參考電流源級24(在專利申請US 2013/0088897中詳細描述的)具有連接到控制模塊15的第一輸入端子MULT的第一輸入,連接到控制模塊15的第四端子CT的第二輸入,以及生成可根據(jù)供電電壓Vac的相位θ變化的參考電壓VcsREF(θ)的輸出27,如在下文中詳細解釋的。
比較器級25包括比較器26、置位-復(fù)位類型的鎖存器觸發(fā)器28。驅(qū)動器30、啟動電路32、OR類型的邏輯門34,以及過零檢測器(ZCD)36。
比較器26具有連接到參考電流源級24的輸出27的反向輸入和連接到控制模塊15的第三輸入端子CS的非反向輸入。
比較器26的輸出連接到觸發(fā)器28的復(fù)位輸入R,其輸出Q連接到驅(qū)動器30的輸入,驅(qū)動器30的輸入耦合到控制模塊15的輸出端子GD。輸觸發(fā)器28的輸出Q進一步通過啟動電路32連接到輸觸發(fā)器28的置位輸入。具體地,啟動電路32的輸入連接到觸發(fā)器28的輸出Q,并且啟動電路32的輸出連接到第一邏輯門34的第一輸入。第一邏輯門34具有連接到ZCD電路36的第一輸出的第二輸入和耦合到觸發(fā)器28的置位輸入的輸出。ZCD電路36具有連接到控制模塊15的第二輸入端子ZCD的輸入。
參考電流源級24包括電壓控制的電流源40,其具有連接到中間節(jié)點14的控制端子;分壓器41,連接在中間節(jié)點14和控制塊15的第四節(jié)點CT之間;第一開關(guān)42;第二開關(guān)43;以及第四電阻器RT。
電流源40具有提供與輸入電壓Vin(θ)成比例的電流ICH(θ)的輸出 端子44。第一開關(guān)42連接在電流源40的輸出端子44與第一接地12之間。第二開關(guān)43連接在電流源40的輸出端子44與控制模塊15的第四端子CT之間。第四電阻器RT耦合在控制模塊15的第四端子CT與第一接地12之間并生成第二電壓信號B(θ)。
開關(guān)42、43通過由ZCD電路36生成的邏輯類型(相等和反相)的相位信號FWN和FW支配??刂颇K15的第四端子CT連接到高值的外部電容器CT,選擇高值以使得第二電壓信號的交流分量B(θ)(在等于供電電壓Vac的頻率的兩倍的頻率處)至少以第一近似相比于直流分量B0可忽略。該條件通常被滿足也是因為在Hi-PF反激式轉(zhuǎn)換器中控制回路具有遠低于供電電壓Vac的頻率的帶寬。
圖1的電源1的操作在下文中參考圖2和圖3進行描述,并在上面提及的C.Adragna的論文中詳細描述。
應(yīng)當注意,在反激式轉(zhuǎn)換器3中,當在Hi-PF條件下操作時,濾波電容器Cin不作為能量庫操作,以使得輸入電壓Vin是經(jīng)整流的正弦(Vin(θ)=Vin,pk|sinθ|withθ∈(0,π))。
在這些條件中,根據(jù)等式(1),電壓A(θ)與輸入電壓Vin(θ)成比例。此外,如上所述,因為可以將第二電壓信號B(θ)相對于直流值B0近似,所以分壓器41的輸出上的參考電壓VcsREF(θ)為
其中KD是比例常數(shù),等于分壓器41的增益。參考電壓VcsREF(θ)因此是正弦電壓,其值基于等式(1)取決于供電電壓Vac的有效值。
比較器26將參考電壓VcsREF(θ)與感測電壓Vcs(t,θ)相比較,感測電壓Vcs(t,θ)與初級繞組Lp中以及(當開關(guān)M接通時)開關(guān)M中的電流Ip(t,θ)成比例。
假定開關(guān)M初始閉合,則通過初級繞組Lp的電流如感測電壓Vcs(t,θ)一樣初始增加。當后者到達參考電壓VcsREF(θ)時,比較器26切換并重置觸發(fā)器28的輸出。因此,功率開關(guān)M被斷開。這樣,如所述的具有經(jīng)整流的正弦形狀的第一電壓信號A(θ)確定初級繞組Lp中的電流Ip(t,θ)的峰值,其因此由經(jīng)整流的正弦所包絡(luò)。
當開關(guān)M斷開時,存儲在初級繞組Lp中的能量通過磁耦合被傳遞到次級繞組Ls,并進而傳遞到輸出電容器Cout和負載18,直到次級繞組Ls完全被去磁化。
在開關(guān)M的斷開之后并且只要電流在次級繞組Ls中流動,開關(guān)M的漏極端子的電壓等于Vin(θ)+VR,其中VR是所謂的反射電壓,等于n·Vout,其中n等于變壓器4的初級繞組Lp的匝數(shù)和次級繞組Ls的匝數(shù)之間的比率。
在次級繞組Ls的去磁化之后,二極管D斷開且開關(guān)M的漏極端子變?yōu)楦≈?,并且通過由寄生電容與初級繞組Lp振蕩所引起的衰減振蕩,傾向于假定電壓等于輸入電壓Vin(θ)的瞬時值。然而,跟隨變壓器的去磁化的開關(guān)M的漏極端子上的快速的電壓降被耦合到控制模塊15的第二輸入端子ZCD,并進而通過輔助繞組Laux和第三電阻器Raux耦合到ZCD電路36,如在下文中更為詳細地描述。
每當ZCD電路36檢測到控制模塊15的第二輸入端子ZCD上的電壓的下降沿降低到閾值(圖2中的VZCDt)之下時,ZCD電路36在其連接到比較器26的輸出上生成脈沖S。該脈沖迫使對觸發(fā)器28置位,觸發(fā)器28的輸出切換,接通功率開關(guān)M并引起新的開關(guān)循環(huán)的開始。
啟動電路32通過邏輯門34使得能夠在反激式變壓器3接通時(即,當還沒有信號出現(xiàn)在控制模塊15的第二輸入端子ZCD上時),開始第一開關(guān)循環(huán),并且在控制模塊15的第二輸入端子ZCD的信號出于某種原因丟失的情況下,進一步阻止反激式轉(zhuǎn)換器3保持阻斷。
ZCD電路36同樣生成相位信號FW和FWN,其被提供至開關(guān)42、43(如針對信號FW的圖2所圖示的)。具體地,相位信號FW在變壓器的去磁化期間為高,并用于生成第二電壓信號B(θ)的正確值,以調(diào)節(jié)直流輸出電流的期望值,如在引用的C.Adragna的論文中示出的。
在圖1的電路中,當開關(guān)M接通時,控制模塊15的第二輸入端子ZCD(通過控制器,未圖示)連接到第一接地12。因此,跨輔助 感測電阻器21的電壓等于輔助繞組Laux上的輔助電壓Vaux。在該周期中,初級感測電阻器19上和開關(guān)M上的電壓降可忽略,并且輸入電壓Vin基本上完全被施加在初級繞組Lp上,在端子4a和4b之間。因此,輔助電壓Vaux和輔助感測電阻器21中的電流與輸入電壓Vin成比例。
當開關(guān)M斷開時,控制模塊15的第二輸入端子ZCD從第一接地12斷開耦合,并且第二輸入端子ZCD的電壓VZCD根據(jù)與次級繞組Ls與輔助繞組Laux之間的匝數(shù)比相關(guān)聯(lián)的比例系數(shù)來跟隨輸出電壓Vout的曲線圖。在次級繞組Ls的去磁化之后,具體地,第二輸入端子ZCD上的電壓傾向于快速下降,如輔助感測電阻器21中的電流一樣,如圖2中詳細地圖示出。
圖2中示出了在反激式轉(zhuǎn)換器3中生成的信號的示例,其中跟隨輸入電壓Vin的模式的一些量具有直線型拉伸(rectilinear stretches),假定開關(guān)頻率fs(千赫茲的數(shù)量級)遠遠高于輸入電壓Vin的頻率fL(一般為50-60Hz)。
具體地,圖2示出了下面的量:
–開關(guān)M的漏極與源極端子之間的電壓VDS;
–電壓Vin,pksinθ,其中Vin,pk是輸入電壓Vin的峰值;
–輔助繞組Laux上的電壓Vaux;
–控制模塊15的第二輸入端子ZCD上的電壓VZCD;
–電壓VZCD的閾值VZCDt,其中ZCD電路36生成提供至邏輯門34的脈沖;
–提供至觸發(fā)器28的置位與復(fù)位脈沖S、R;
–在控制模塊15的輸出端子GD上提供的并且驅(qū)動開關(guān)M的接通與斷開的電壓VGD;
–感測電壓Vcs(t,θ);
–次級繞組Ls中的電流Is(t,θ);以及
–當變壓器4的去磁化發(fā)生時的續(xù)流(freewheel)相位信號FW。
此外,圖2突出了下面的周期:
–當開關(guān)M接通時并進而表示變壓器4的芯的磁化的周期TON;
–當變壓器4的芯去磁化時的周期TFW;以及
–周期TR,即,在壓器4的芯的完全去磁化與隨后的開關(guān)M的接通(即,變壓器4的芯的新的磁化的開始)之間流逝的周期。
因此通過T(θ)=TFW(θ)+TR+TON給出了開關(guān)周期T。
圖3中示出了所得到的電流Ip(t,θ),Is(t,θ),以及對應(yīng)峰值Ipkp(θ),Ipks(θ)的對應(yīng)包絡(luò),和初級繞組Lp中的電流的逐個循環(huán)的平均Iin(θ)的曲線。
出于實踐性目的,反激式轉(zhuǎn)換器3是準諧振的類型。實際上,盡管具有延遲,晶體管M的接通與變壓器4的完全去磁化的時刻同步(即,與次級繞組中的電流變?yōu)?的時刻同步)。相反,理論上晶體管M的斷開通過檢測到當初級繞組Lp中的電流Ip到達所提供的閾值(VcsREF(θ)/Rs)時來確定。此外,反激式轉(zhuǎn)換器3是電流模式控制類型,并且具體地是峰值電流模式控制類型。再次指出,由于在感測電阻器Rs中并進而在初級繞組Lp中流動的電流的峰值包絡(luò)是正弦的,因此獲得高于0.9的功率因子。
如在上面提及的C.Adragna的論文中所示的,在負載18中流動的調(diào)節(jié)后的直流輸出電流Iout由下面等式給出
其中n是變壓器4的初級繞組Lp的匝數(shù)和次級繞組Ls的匝數(shù)之間的比率,KD是分壓器41的增益(參見等式(2))并且GM是電流源40的跨導。因此,在僅使用在變壓器4的初級繞組Lp上可得的量的瞬時控制方案的情況下,平均(mean)輸出電流Iout理想地僅取決于可以由用戶選擇的諸如n和Rs的外部參數(shù)或諸如GM,RT和KD的固定參數(shù),且不取決于輸出電壓Vout或輸入電壓Vin或開關(guān)頻率fs=1/T(θ)。
然而,在圖1的電路中,由于傳播延遲,使得在感測電壓Vcs(t,θ)到達參考電壓VcsREF(θ)時,即,在初級繞組中Lp的電流Ip(t,θ)到達提供的閾值VcsREF(θ)/Rs時,晶體管M沒有立即斷開,而是保持接通達被稱為“總傳播延遲TD”的另外一段時間,如圖4中所示的。具體 地,總傳播延遲TD由比較器26的開關(guān)延遲、驅(qū)動器30的傳播延遲、以及功率開關(guān)M的斷開延遲特性之和給出。隨后初級繞組中Lp的電流比理想值高出等于如下等式中的量ΔIP(θ)
并且因此調(diào)節(jié)后的直流輸出電流Iout隨著輸入電壓Vin的有效值而增加。
為了補償與輸入電壓Vin相關(guān)聯(lián)的峰值電流的增加,在市場上可得的電源中,與輸入電壓Vin成比例的正向偏移電壓被添加到感測電壓Vcs(t,θ)中,如圖5中所圖示的。
圖5示出了類似于圖1的電源1的反激式電源50。因此,反激式電源50的與圖1的電路圖的那些元件共用的元件被由相同的附圖標記所指定,并將不再重復(fù)對其的描述。
反激式電源50包括前饋電阻器51,該前饋電阻器51具有電阻RFF并連接在開關(guān)M的源極端子和控制模塊15的第三輸入端子CS之間;以及前饋電流源52,生成前饋電流IFF并由通過ZCD電路36生成的并與在輔助感測電阻器21中流動的輔助電流Iaux成比例的控制電流IZCD支配,在開關(guān)接通的時間段期間,該控制電流IZCD通過ZCD電路36生成的并與在輔助感測電阻器21中流動的輔助電流Iaux成比例。例如,控制電流IZCD等于輔助電流Iaux并經(jīng)由電流鏡電路生成。
在該假設(shè)的基礎(chǔ)上,如前面所提及的,因為在晶體管M的接通周期TON期間,控制模塊15的第二輸入端子ZCD連接到第一接地12,因此在輔助感測電阻器21中流動的輔助電流Iaux和控制電流IZCD為
其中m是輔助繞組Laux和初級繞組Lp之間的匝數(shù)比。
前饋電流源IFF是電流鏡,其根據(jù)下面關(guān)系生成與電流IZCD成比例的電流
IFF(θ)=KFF IZCD(θ)
其中KFF是電流鏡的增益。
前饋電流IFF被提供到前饋電阻器51,前饋電阻器51生成額外的反饋電壓VFF。設(shè)定RFF>>RS,得到:
由于傳播延遲,使得額外的反饋電壓VFF等于電壓步長
ΔVCS(θ)=RSΔIP(θ)=VFF(θ)
并且與等式(4)結(jié)合,得到對得到補償有用的前饋電阻器的電阻值RFF:
實踐中,施加到比較器26的電壓相對于初級感測電阻器19上的電壓Vp增加一個值,以使得預(yù)期比較器26的切換增加等于總傳播延遲TD的一定時間。這樣,當比較器26切換時,在初級感測電阻器19中流動的電流IP低于閾值,并且當功率開關(guān)M以延遲TD斷開時,電流IP已經(jīng)到達期望的閾值,如圖6中所圖示的。
隨后,如果總傳播延遲TD恒定,則由于總傳播延遲導致的與輸入電壓Vin成比例的由次級繞組Ls提供的輸出電流的變化可以由此得到補償。然而,如果總傳播延遲TD變化,該補償同樣是不充分的。
這在獲得直流輸出電流的高準確度(值甚至低于±3%)愈發(fā)重要的固態(tài)照明裝置中是一個問題,利用圖5中表示的補償技術(shù)不能一直實現(xiàn)高準確度。
另外,根據(jù)用戶的應(yīng)用和要求,所描述的電源與不同的功率晶體管M使用。市場上可得的功率晶體管M具有類似的靜態(tài)特性,尤其是類似的飽和電阻RDS-on,但是具有不同的開關(guān)特性,尤其是不同的開關(guān)時間。因此,輸出電流根據(jù)使用的功率晶體管而變化。這要求基于等式(7),根據(jù)應(yīng)用和功率開關(guān),對前饋電阻器51的值進行修改與適應(yīng)。然而,這種設(shè)置復(fù)雜且成本高。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于改進所描述類型的電流轉(zhuǎn)換器,使得克服其限 制,特別是使得它生成與供電電壓Vac的變化和傳播延遲的變化二者無關(guān)的直流輸出電流。
根據(jù)本發(fā)明,提供了針對用于開關(guān)式電流轉(zhuǎn)換器的開關(guān)的控制電路、開關(guān)式電源、以及相應(yīng)的控制方法,如在權(quán)利要求1、11和12中限定的。
實踐中,本公開的控制電路基于提供前饋電流的原理,所述前饋電流不僅與輸入電壓Vin成比例,而且與總傳播延遲TD成比例。具體地,本公開的電源提供具有補償電流ICOMP的前饋電阻器51:
ICOMP(θ,TD)=KFF0 Vin(θ)TD (8)
其中KFFO為常數(shù)。
為了這樣做,由于傳播延遲ΔVCS(θ)=RSΔIP(θ)并考慮了等式(4),使得正偏移RFF IFF(θ,TD)等于感測電壓步長,這使得:
等式(9)示出了輸入電壓Vin和總傳播延遲TD二者可以通過使用具有電阻RFF的前饋電阻器51得到補償:
附圖說明
為了更好地理解本發(fā)明,現(xiàn)僅以非限定性示例的方式,參考附圖來描述優(yōu)選實施例,其中:
–圖1示出已知的開關(guān)式電源的電路圖;
-圖2至圖4示出在圖1中圖示的開關(guān)式電源內(nèi)生成的信號的時間圖;
–圖5示出另一開關(guān)式電源的電路圖;
–圖6示出圖5的電路的一些量的時間圖;
–圖7示出本公開的開關(guān)式電源的實施例的簡化電路圖;
–圖7A示出用于圖7的電源的一些量的時間圖;以及
–圖8示出圖7和圖7A的電源的一些量的時間圖。
具體實施方式
圖7示出具有圖4的電源50的一般性結(jié)構(gòu)的開關(guān)式電源100。因此,開關(guān)式電源100與圖4的電路圖共用的元件由相同的附圖標記指定并將不再對其進行描述。
開關(guān)式電源100包括在圖7A中詳細示出的電流源級101,電流源級101接收由ZCD電路36提供的控制電流IZCD和分別由邏輯門34和比較器26(下文中也被稱為占空比比較器26)生成的置位與復(fù)位信號S、R(下文中也被稱為占空比置位與復(fù)位信號S、R),并生成補償?shù)碾娏鱅COMP。
參考圖7A,電流源級101包括延遲估計塊102和電流源塊103。
延遲估計塊102包括第一電流鏡生成器105,該電流鏡生成器105由控制電流IZCD控制并在輸出110處提供與控制電流IZCD成比例(特別是相等)的第一鏡電流ICH1;輔助比較網(wǎng)絡(luò)109;估計比較器113;以及置位/復(fù)位類型的鎖存器觸發(fā)器114。
輔助比較網(wǎng)絡(luò)109包括輔助電流感測電阻器111,其耦合在第一電流鏡生成器105的輸出110和第一接地12之間并具有電阻R1;以及濾波支路112,其并聯(lián)地連接到輔助電流感測電阻器111。
濾波支路112進而包括具有電阻RD的濾波器電阻器115,以及具有電容CD的濾波器電容器116,它們串聯(lián)地連接在一起并限定了中間節(jié)點118。濾波器電阻器115連接在第一電流鏡生成器105的輸出與中間節(jié)點118之間。濾波器電容器116連接在中間節(jié)點118與第一接地12之間。用于生成幾十毫伏電壓偏移的偏移電壓源117被布置在第一電流鏡生成器105的輸出與估計比較器113的反向輸入之間。估計比較器113進一步包括直接耦合到中間節(jié)點118的非反向輸入和連接到鎖存器觸發(fā)器114的復(fù)位輸入R1的輸出。鎖存器觸發(fā)器114進一步具有接收由觸發(fā)器28(圖7)生成的復(fù)位信號R并調(diào)節(jié)開關(guān)M的占空比的置位輸入S1。鎖存器觸發(fā)器114進一步具有連接到電流源塊103的它的輸出Q1。
電流源塊103包括第二電流鏡生成器120,其接收控制電流IZCD 并輸出與控制信號IZCD成比例(特別是相等)的第二鏡電流ICH2;控制開關(guān)121,耦合在第二電流鏡生成器120的輸出與控制節(jié)點122之間;放電開關(guān)123,布置在控制節(jié)點122和第一接地12之間;充電電容器125,具有電容CTR并被布置在控制節(jié)點122和第一接地12之間;傳遞開關(guān)126,耦合在控制節(jié)點122和傳遞節(jié)點127之間;以及保持電容器128,具有電容CH并被耦合在傳遞節(jié)點127和第一接地12之間。充電電容器125、傳遞開關(guān)126以及保持電容器128形成跟蹤與保持類型的存儲器元件130,如下文中詳細解釋的。
輸出節(jié)點127被進一步耦合到補償電流源131的控制輸入,補償電流源131輸出提供給圖7的前饋電阻器51的補償電流ICOMP。電流源塊103進一步接收由圖7的邏輯門34生成并被饋送到傳遞開關(guān)126的控制輸入,并通過延遲元件132饋送到放電開關(guān)123的控制輸入的置位信號S。
下文中將描述圖7、圖7A的電路的操作。
由占空比比較器26(圖7)生成的復(fù)位信號R在當初級感測電阻器19上的感測電壓Vcs到達參考值VcsREF時,將鎖存器觸發(fā)器114置位,鎖存器觸發(fā)器114在等于總傳播延遲TD的估計值之后被估計比較器113復(fù)位,如下文中解釋的。
事實上,第一電流鏡生成器105向輔助比較網(wǎng)絡(luò)109提供等于控制電流IZCD的第一鏡電流ICH1。通過選擇電阻器111、115的電阻R1、RD的值,使得R1<<RD,并且通過選擇濾波器電容器116的電容CD,使得濾波器支路112形成在穩(wěn)態(tài)條件下具有納秒級時間常數(shù)的低通濾波器,由第一電流鏡生成器105提供的電流ICH1實際上在完全地在第一輔助電流感測電阻器111中流動,使得第一電流鏡生成器105的輸出節(jié)點110上的電壓為:
VR1(θ)=R1 IZCD(θ)
相反,濾波器支路112提供給估計比較器113以與第一鏡電流ICH1從而與控制電流IZCD的延遲值相關(guān)的電壓值。
這樣,輔助比較網(wǎng)絡(luò)109提供給估計比較器103以與瞬時值相 關(guān)的信號和輔助電流Iaux的延遲信號,以使得當輔助電流Iaux下降時(圖8的曲線的彎曲部)能夠檢測瞬時值。
具體地,鑒于由源117生成的偏移電壓,當開關(guān)M斷開時(圖8的定時中的周期t0-t1),估計比較器113的反向輸入比非反向輸入處于更高的電勢,并且估計比較器113的輸出R1為低。鑒于其遠低于開關(guān)頻率fs的頻率fL,這一行為在輸入電壓Vin的整個半周期中重復(fù)。
一旦占空比比較器26切換并且占空比復(fù)位信號R變?yōu)楦?時刻t1),則估計觸發(fā)器114切換,且它的輸出信號Q1變高。
在時刻t2,當晶體管M斷開時(以等于總傳播延遲TD的延遲,如上面所解釋的),輔助電流Iaux下降,如控制電流IZCD一樣,如在圖8的曲線圖中表示的,因此第一鏡電流ICH1確定第一電流鏡生成器105的輸出110上的急劇電壓下降,并因此確定估計比較器113的切換,其將估計觸發(fā)器114復(fù)位,估計觸發(fā)器114的輸出Q1變低。
隨后,估計觸發(fā)器114的輸出Q1具有寬度等于總傳播延遲TD的脈沖并因而表示延遲估計信號,延遲估計信號的參數(shù)(脈沖寬度)與總傳播延遲TD相關(guān)。
估計觸發(fā)器114的輸出Q1對控制開關(guān)121的接通與斷開進行控制。準確地來講,一旦估計觸發(fā)器114的輸出信號Q1變高(時刻t1),當占空比比較器26的反向輸入上的感測電壓Vcs到達它的閾值(VcsREF)時,控制開關(guān)121閉合并且等于控制電流IZCD并由第二電流鏡生成器120生成的第二鏡電流ICH2流向充電電容器125,從而對其充電(在該步驟中,占空比置位信號S為低因此放電開關(guān)123和傳遞開關(guān)126斷開)。充電電容器125上的控制電壓VCTR因此與控制電流IZCD和輔助電流Iaux成比例地增加。一旦估計觸發(fā)器114的輸出信號Q1切換到低(時刻t2),控制開關(guān)121斷開并且第二電流鏡生成器120中止對充電電容器125的充電。因此,充電電容器125被充電達等于總傳播延遲TD的估計的周期TC,并且電流等于控制電流IZCD且與輸入電壓Vin成比例。
針對圖1的電路,假定開關(guān)頻率fs=1/T(θ)遠高于輸入信號Vin的頻率fL,則控制電流IZCD以及第二鏡電流ICH2可以視為在估計的延遲TC期間恒定,充電電容器125在估計的延遲TC期間被充電,并且因此充電電容器125線性充電。
因此,由充電電容器125到達的峰值電壓VCTR_PEAK(θ)為
放電開關(guān)123和傳遞開關(guān)126保持斷開,直到隨后的占空比置位信號S的脈沖被接收到(時刻t3),使得充電電容器125保持值VCTR_PEAK(θ)。
在時刻t3,占空比置位信號S切換到高,引起傳遞開關(guān)126立即閉合并將充電電容器125連接到輸出電容器128。假定輸出電容器128具有比充電電容器125的電容CTR低很多的電容CH,它快速充電到充電電容器125的峰值電壓VCTR_PEAK(θ)。
實踐中,通過將等式(11)與等式(5)組合,跨輸出電容器128的控制電壓VCH由下面等式給出
其與輸入電壓Vin和近似等于總傳播延遲TD的估計的延遲TC的乘積成比例,使得
補償電流源131因此生成與控制信號VCH成比例的補償電流ICOMP,如下:
其中g(shù)FF是補償電流源131的電流-電壓增益。
一旦占空比置位信號S再次切換到低,傳遞開關(guān)126再次斷開,將輸出電容器128從充電電容器125斷開。
在電流源塊103中,占空比置位信號S被提供有略微延遲(時刻t4)并同樣被提供到放電電容器123,放電電容器123在其閉合時將充電電容器125連接至接地,對其快速放電,并然后再次斷開。在 放電電容器123閉合的短時間段內(nèi),充電電容器125從輸出電容器128斷開連接,輸出電容器128因此保持被充電到之前存儲的控制電壓VCTR的值。這樣,如圖8所圖示的,充電電容器125在每個開關(guān)循環(huán)處被放電并被重新充電到控制電壓VCTR的新的值,因此確保對可能的修改輸入電壓Vin或總傳播延遲TD中的條件的逐個循環(huán)的適配。
由電流源101提供的補償電流ICOMP因此與輸輸入電壓Vin和總傳播延遲TD的乘積成比例。
因此,本文中描述的開關(guān)式電源由于驅(qū)動器30以及利用在代替功率開關(guān)M的情況下不要求適當置位的且獨立于輸入電壓Vin的適應(yīng)性解決方案的開關(guān)M的切換(由占空比比較器26導致的延遲遠遠低于兩個之前的延遲,因此可以忽略),使得傳播延遲的補償成為可能。
最后,應(yīng)當清楚可以在不偏離如隨附的權(quán)利要求書中所限定的本發(fā)明范圍的情況下對本文中描述并圖示的電流做出修改和變形。
具體地,所述解決方案也可以被應(yīng)用到不同類型的轉(zhuǎn)換器,包括例如在降壓和升壓類型的轉(zhuǎn)換器中的沒有輸出電流讀取的電流控制。